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本实用新型提供了一种用于在超临界流体中生长材料的装置。所述装置包括第一容器、第二容器和加热部件，所述第二容器被容纳于所述第一容器的内腔，所述加热部件设置于所述第一容器的内腔并用于给所述第二容器加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器内生长...该专利属于上海玺唐半导体科技有限公司;四川航空工业川西机器有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海玺唐半导体科技有限公司;四川航空工业川西机器有限责任公司授权不得商用。