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本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温...
该专利属于广东先导稀材股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东先导稀材股份有限公司授权不得商用。

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