一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）将D50粒径为100～500nm氧化钨纳米粉体倒入含有0.1～3wt%分散剂的去离子水中，经过8～24h的球磨形成浆料；2）采用注浆成型的方式实现氧化钨靶材坯体的成型，将成型的坯体经干燥后置于冷等静压设备中，经120～300MPa的冷等静压，保压时间为60～600s，形成相对密度为60～75%的氧化钨陶瓷坯体；3）将氧化钨陶瓷坯体烧结得到氧化钨磁控溅射靶材；本发明专利技术能够在纯氩气氛下利用氧化钨的陶瓷靶材高速磁控溅射沉积具有高效电致变色性能的氧化钨薄膜，满足大面积电致变色器件的使用需求。

A preparation method of electrochromic tungsten oxide film

【技术实现步骤摘要】
一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法
本专利技术涉及光电薄膜与器件
，具体讲是一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法。
技术介绍
氧化钨作为一种价格低廉、无毒环保的过渡金属氧化物在光致变色、气致变色、电致变色等领域得到了广泛研究。氧化钨作为电致变色薄膜具有高对比度、高变色效率、响应快、稳定的物化性质、良好的循环稳定性、低电压驱动，在建筑用节能玻璃、汽车防眩后视镜、护目镜、波音飞机舷窗等领域正得到越来越多的应用。氧化钨薄膜制备方法主要有热蒸发、化学气相沉积和溶胶-凝胶以及磁控溅射等。其中，磁控溅射具有成分均一、薄膜与基底附着强、室温溅射、可大面积镀膜等优点而得到广泛使用。磁控溅射靶材是磁控溅射镀膜过程中的重要消耗型原材料，对于所沉积的薄膜有着重要的影响。其中用于磁控溅射沉积氧化钨薄膜的靶材有两类，一类是氧化钨的金属单质靶材，另外一类是氧化钨的氧化物陶瓷靶材。而采用前一类氧化钨金属单质靶材的反应溅射制备氧化钨薄膜是目前产业界以及大多数研究工作集中的焦点。Kim等（JapaneseJournalofAppliedPhysics2013,52(5S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）将D50粒径为100～500nm氧化钨纳米粉体倒入含有0.1～3wt%分散剂的去离子水中，经过8～24h的球磨形成浆料；/n2）采用注浆成型的方式实现氧化钨靶材坯体的成型，将成型的坯体经干燥后置于冷等静压设备中，经120～300MPa的冷等静压，保压时间为60～600s，形成相对密度为60～75%的氧化钨陶瓷坯体；/n3）将氧化钨陶瓷坯体置于烧结炉中，0.01～1MPa的氧气压力下，首先由室温以0.5～10℃/min的升温速率升到1000～1200℃，保温60～300min，最后，以0.5～10℃/min的降温速率降至室温...

【技术特征摘要】
1.一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将D50粒径为100～500nm氧化钨纳米粉体倒入含有0.1～3wt%分散剂的去离子水中，经过8～24h的球磨形成浆料；
2）采用注浆成型的方式实现氧化钨靶材坯体的成型，将成型的坯体经干燥后置于冷等静压设备中，经120～300MPa的冷等静压，保压时间为60～600s，形成相对密度为60～75%的氧化钨陶瓷坯体；
3）将氧化钨陶瓷坯体置于烧结炉中，0.01～1MPa的氧气压力下，首先由室温以0.5～10℃/min的升温速率升到1000～1200℃，保温60～300min，最后，以0.5～10℃/min的降温速率降至室温得到氧化钨磁控溅射靶材；
4）将步骤3）所制备的氧化钨磁控溅射靶材置于磁控溅射镀膜设备中，在ITO透明导电玻璃衬底上沉积氧化钨薄膜，将溅射好的氧化钨薄膜在空气气氛下25～400℃热处理0～100min制得氧化钨电致变色薄膜。


2.根据权利要求1所述的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晔，赵文凯，宋伟杰，兰品军，李佳，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33