一种半导体性碳材料的制备方法技术

本发明专利技术公开一种半导体性碳材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将过氧化氢用去离子水进行稀释；（2）将碳材料加入到去离子水中，搅拌至分散均匀，用0.1mol/L稀盐酸溶液调节体系pH，搅拌并加热；（3）称取FeCl

A preparation method of semiconductor carbon material

【技术实现步骤摘要】
一种半导体性碳材料的制备方法
本专利技术属于碳材料制备
，具体的说涉及一种半导体性碳材料的制备方法。
技术介绍
碳材料从零维的富勒烯和一维的碳纳米管到发展至今的二维的石墨烯，因其特殊的结构特点，赋予了在物理、化学、电学和力学等方面的优异性能。这些优异的性能使得在电子器件、光学器件、化学传感器和复合材料等诸多领域具有潜在应用前景。碳纳米管和石墨烯都具有优异的电学性能，但因其带隙宽度为零导致制备的场效应晶体管的通断不能通过栅极控制，导致开/关电流比低，无法将其应用到电子工业之中。因此，在不破坏碳纳米管和石墨烯自身优异的电学性质，将其打开一个可观的带隙具有重要的实际应用价值。目前，打开带隙的方法主要有：（1）破坏碳纳米管或石墨烯的晶体或化学结构；（2）通过施加应力等方式破坏石墨烯的对称性，从而将带隙打开。但是，这些方法制备的石墨烯带隙较窄，难以控制，同时所需设备昂贵，步骤繁琐，难以实现其规模化生产。富勒烯分子由于在固体中的分立能级具有很弱的弥散，导致其带隙宽度很窄，只有0.5eV。从而，限制了富勒烯在电子器件领域中的应用。富勒烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体性碳材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n（1）过氧化氢和去离子水按体积比为1:1~1:10配制得到过氧化氢溶液；/n（2）取100mg碳材料加入到100mL去离子水中，搅拌至分散均匀，用0.1mol/L稀盐酸溶液调节体系pH，并搅拌加热至25℃~50℃；/n（3）取0.98g FeCl

【技术特征摘要】
1.一种半导体性碳材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
（1）过氧化氢和去离子水按体积比为1:1~1:10配制得到过氧化氢溶液；
（2）取100mg碳材料加入到100mL去离子水中，搅拌至分散均匀，用0.1mol/L稀盐酸溶液调节体系pH，并搅拌加热至25℃~50℃；
（3）取0.98gFeCl2加入到所述步骤（2）所得溶液中，搅拌至溶解；
（4）将一定量的步骤（1）中的过氧化氢溶液，滴加到步骤（3）所得溶液中；
（5）通过0.1mol/L稀盐酸溶液除去步骤（4）所得产物中的铁离子；
（6）通过去离子水除去步骤（5）所得产物中的氢离子和氯离子，干燥，获得半导体性碳材料。


2.如权利要求1所述的一种半导体性碳材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中过氧化氢和去离子水的体积比为1:3。


3.如权利要求1所述的一种半导体性碳材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中碳材料包括富勒烯或者碳纳米管或者石墨烯，其中石墨烯通过机械剥离法或气相沉积法制备得到。


4.如权利要求1所述的一种半导体性碳材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中调节体系pH=3~4。


5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶鹏，秦存琪，倪华钢，王梅，
申请(专利权)人：嘉兴烯成新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33