一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种聚‑3,4‑乙烯二氧噻吩改性薄膜及其制备方法和应用，在支撑材料上制备得到聚偏氟乙烯基底膜；将Fe

A poly-3,4-ethylene dioxothiophene modified film and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于光催化或光电催化膜复合材料
，特别涉及一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
聚-3,4-乙烯二氧噻吩是拜耳公司开发出的一种导电聚合物，因具有优异的环境稳定性、高导电性能和易加工成膜等优点而在导电聚合物领域被广泛关注，聚-3，4-乙烯二氧噻吩常以薄膜形式被用作过滤膜改性材料。现有的聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜通常采用原位聚合法，其中的气相沉积聚合法易于控制，制备得到的聚-3,4-乙烯二氧噻吩分子具有规整性好、电导率高及与基材粘合力强的特点；但气相沉积聚合需要在氧化剂涂覆后蒸发3,4-乙烯二氧噻吩单体实现制备，这一过程由于现有的涂覆方法出现的氧化剂涂覆不均匀，从而导致聚合效果不佳，改性薄膜质量无法保证。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供了一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜及其制备方法和应用，以解决现有技术中氧化剂涂覆不均匀导致的聚合效果不佳的技术问题，提高了改性薄膜的质量。为达本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、在支撑材料上制备得到聚偏氟乙烯基底膜；/n步骤2、配制Fe

【技术特征摘要】
1.一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在支撑材料上制备得到聚偏氟乙烯基底膜；
步骤2、配制Fe3+可溶盐乙醇溶液作为氧化剂，并将氧化剂均匀涂覆在聚偏氟乙烯基底膜上，得到涂覆有氧化剂的聚偏氟乙烯基底膜；
步骤3、使3,4-乙烯二氧噻吩单体在涂覆有氧化剂的聚偏氟乙烯基底膜上发生气相聚合反应，得到所述的聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中制备聚偏氟乙烯基底时，包括以下步骤：
步骤11、将聚乙烯吡咯烷酮和聚偏氟乙烯依次溶解在N,N-二甲基乙酰胺，搅拌至气泡消除，得到铸膜液；
步骤12、将步骤1中得到的铸膜液涂覆在支撑材料的表面，浸入凝固液中至铸膜液成膜，清洗，得到聚偏氟乙烯基底膜。


3.根据权利要求1所述的一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，Fe3+可溶盐乙醇溶液中Fe3+可溶盐的体积浓度为5％-30％。


4.根据权利要求1所述的一种，聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜的制备方法，其特征在于，Fe3+可溶盐乙醇溶液采用FeCl3·6H2O乙醇溶液、Fe2(SO4)3乙醇溶液和甲基苯磺酸铁乙醇溶液中的一种。


5.根据权利要求1所述的一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘嘉栋，王奕嘉，
申请(专利权)人：西安建筑科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61