气瓶增压装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气瓶增压装置，用于增加气瓶内部的压力，该装置包括一控制电路以及一加热设备，该控制电路接收来自气瓶的压力信号，根据该压力信号选择性输出一工作信号；该加热设备接收上述工作信号，对该气瓶进行加热增压。根据不同的使用需要，可以使用加热垫片或热水水管等加热设备。与现有技术相比，本发明专利技术的气瓶增压装置结构简单，容易实施，其提高了气瓶内气体的利用率，用于半导体制程领域可大大降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种气体处理装置，具体地说，涉及一种气瓶增压装置。技术背景在半导体制程的过程中会使用到如砷气、硼气、磷、或是氩气等特殊气体，这些特殊气体有剧毒，通常被吸附在气瓶(gas bottle)中。在使用时，气瓶将上 述气体喷出，气体经离子注入机(implanter tools )轰击，形成正负离子，这些 离子注入到晶圓表面，即可在晶圆上形成半导体的N极及P极。由于气体通过气瓶内外的压力差喷出，气瓶内部的压力会随着使用时间的 增加而降低，所以在使用一段时间后，当气瓶内部的气体压力不足以将气体喷 出时，就需要更换新的气瓶。但目前的主要问题在于，当气瓶内部的气体压力 不足以将气体喷出时，气瓶内部实际上还残留有不少气体，此时更换气瓶就无 法对残留气体加以利用。由于上述特殊气体是半导体制程的过程中的重要消耗 品，其价格十分昂贵，且生命周期仅为90天。因此气瓶内的残留气体问题造成 了半导体制程中的巨大浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种气体处理装置，具体地说，涉及一种气瓶增压 装置。为实现上述目的，本专利技术提供一种气瓶增压装置，用于增加气瓶内部的压 力，该装置包括 一控制电路以及一加热设备，该控制电路接收来自气瓶的压 力信号，根据该压力信号选择性输出一工作信号；该加热设备接收上述工作信 号，对该气瓶进行加热增压。根据不同的使用需要，可以使用加热垫片或热水 水管等加热设备。与现有技术相比，本专利技术的气瓶增压装置结构简单，容易实施，其提高了 气瓶内气体的利用率，用于半导体制程可大大降^<生产成本。 附图说明通过以下对本专利技术实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其专利技术的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1为本专利技术第一实施方式的实施示意图；图2为本专利技术气瓶增压装置的控制电路的方框图；图3为本专利技术第二实施方式的实施示意图。具体实施方式如图1和图2所示，本专利技术的气瓶增压装置用于将气瓶10加热，以提高其 内部气体压力。该气瓶增压装置主要包括控制电路20及加热垫片30。气瓶10的出口 ll连接有出气管道，在管道上设有气体压力表(图未示)。 该压力表可以将瓶内气体的压力转换为压力信号，并将该压力信号提供至控制 电路20。该加热垫片30内部设置有多个加热电阻，可在通电后升高温度。该控制电路20包括控制芯片40和温控芯片50。其中，控制芯片40接收来 自上述压力表的压力信号，其内部设置有两个预设压力值P,和P2。该控制芯片 40的第一输出端b连接至一报警器(图未示)，第二输出端c输出一增压工作信 号至温控芯片50。温控芯片50的第一输入端d接收来自控制芯片40的增压工作信号，其第 二输入端e输入一气体选择信号，该气体选择信号表明气瓶10当前正在被使用， 该信号可以在信号机台上加以改变。当增压工作信号与气体选择信号同时有效 时，温控芯片50输出高信号控制晶体管T导通，加热垫片30对气瓶10加热。 温控芯片50的第三接收端f连接至加热垫片30,以获取一温度反馈信号来控制 对气瓶10的加热温度，使其稳定在60。C左右。使用时，将加热垫片30缠绕于气瓶10四周。控制芯片40检测气瓶10的 内部压力值，当气瓶10的压力低于上述预设压力P,时，表明气瓶10内的自然 压力已无法将气体喷出，此时控制芯片40输出增压工作信号，温控芯片50控 制加热垫片30开始对气瓶IO加热。气瓶10内部压力增大后使残留气体喷出，即可达到进一步利用残留气体的目的；当气瓶10的压力低于预设压力P2时，则 表明气瓶10内的气体已基本完全释放，无继续加热的必要，此时加热垫片30停止加热。同时控制芯片40控制报警器报警，提醒更换气瓶IO。请参阅图3,为本专利技术第二实施例的示意图。在本实施例中，控制电路20 直接作用于水槽70,利用加热装置对水槽70中的水进行加热。再将水槽中的热 水通过水泵压入水管71，再将水管71环绕于气瓶10,即可达到加热气瓶10对 其进行增压的目的。由于水沸点为IO(TC,故采用该实施方式其安全性会更有保 障。当然，在本实施例中也可在控制电路中引入相应的温度反馈信号，该信号 可直接由水槽70内的水温得到，以便将温度进一步控制在60。C左右；同时设置 提醒更换气瓶10的报警器，原理与前一实施例类似。通常，每一半导体制程工具需要安装三个气瓶，其内分别装有AsH3、 BF3、 PH3气体以供使用，上述实施方式中也可根据需要引入多个气瓶及加热装置。由于在半导体制程中特殊气体会被大面积使用，而本专利技术的技术方案延长 了每一气瓶的使用时间，从而大大降低了生产成本。权利要求1. 一种气瓶增压装置，用于增加气瓶内部的压力，所述装置包括一控制电路，其接收来自所述气瓶的压力信号，根据所述压力信号选择性输出一工作信号；一加热设备，其接收来自所述控制设备的工作信号，对所述气瓶进行加热。2、 如权利要求1所述的气瓶增压装置，其特征在于所述气瓶连接于出气管道， 在所述管道上设有气体压力表来采集所述压力信号。3、 如权利要求1所述的气瓶增压装置，其特征在于所述控制设备包括一控制 芯片以及一温控芯片，所述控制芯片根据所述压力信号选择性输出一触发信号， 所述温控芯片根据所述触发信号选择性输出所述工作信号。4、 如权利要求3所述的气瓶增压装置，其特征在于所述控制芯片设置有第一 压力值和第二压力值，当所述压力信号的压力值压力低于所述第一压力值时， 所述控制芯片输出所述触发信号；当所述压力信号的压力值压力低于所述第一 压力值时，所述控制芯片停止输出所述触发信号，并发出更换气瓶信号。5、 如权利要求3所述的气瓶增压装置，其特征在于所述温控芯片还接收一气 体选择信号，当所述触发信号与气体选择信号同时有效时，所述温控芯片输出 所述工作信号。6、 如权利要求1所述的气瓶增压装置，其特征在于所述加热设备输出一温度 反馈信号至所述控制电路，所述控制电路根据所述温度反馈信号控制对所述气 瓶的加热温度。7、 如权利要求6所述的气瓶增压装置，其特征在于所述加热温度为60摄氏度。8、 如权利要求1至7任意一项所述的气瓶增压装置，其特征在于所述加热装 置为内置加热电阻的加热垫片。9、 如权利要求1至7任意一项所述的气瓶增压装置，其特征在于所述加热装 置为水槽及其相应的水管。10、 如权利要求1至7任意一项所述的气瓶增压装置，其特征在于所述气瓶 内的气体为AsH3、 BF3或PH3。全文摘要本专利技术提供一种气瓶增压装置，用于增加气瓶内部的压力，该装置包括一控制电路以及一加热设备，该控制电路接收来自气瓶的压力信号，根据该压力信号选择性输出一工作信号；该加热设备接收上述工作信号，对该气瓶进行加热增压。根据不同的使用需要，可以使用加热垫片或热水水管等加热设备。与现有技术相比，本专利技术的气瓶增压装置结构简单，容易实施，其提高了气瓶内气体的利用率，用于半导体制程领域可大大降低生产成本。文档编号F17C7/00GK101210649SQ200610148079公开日2008年7月2日 申请日期2006年12月27日 优先权日2006年12月27日专利技术者勇 张, 伟 李, 蔡国辉, 钱吴全 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气瓶增压装置，用于增加气瓶内部的压力，所述装置包括：一控制电路，其接收来自所述气瓶的压力信号，根据所述压力信号选择性输出一工作信号；一加热设备，其接收来自所述控制设备的工作信号，对所述气瓶进行加热。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱吴全，蔡国辉，李伟，张勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]