【技术实现步骤摘要】
纳米线晶体管结构和成形的方法
技术介绍
半导体器件是利用例如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）之类的半导体材料的电子性质的电子部件。场效应晶体管（FET）是包括如下三个端子的半导体器件：栅极、源极和漏极。FET使用由栅极施加的电场来控制沟道的导电率，其中电荷载流子（例如电子或空穴）通过该沟道在源极和漏极之间流动。在电荷载流子是电子的情况下，FET被称为n沟道器件，并且在电荷载流子是空穴的情况下，FET被称为p沟道器件。一些FET具有被称为主体或衬底的第四端子，其可用于偏置晶体管。另外，金属氧化物半导体FET（MOSFET）包括栅极和沟道之间的栅极电介质。MOSFET也可称为金属-绝缘体-半导体FET（MISFETS）或绝缘栅FET（IGFET）。互补MOS（CMOS）结构使用p沟道MOSFET（PMOS）和n沟道MOSFET（NMOS）器件的组合来实现逻辑门和其他数字电路。FinFET是在半导体材料条的薄带（通常被称为鳍状物（fin））周围构建的晶体管。FinFET器件的导电沟道驻留在与栅极电介质相邻的鳍状物的外部部分上...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n主体，包括半导体材料；/n环绕主体的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电极和在主体与栅极电极之间的栅极电介质；和/n源极区和漏极区，主体在所述源极区和漏极区之间；/n其中，主体在栅极电介质下方具有第一横截面形状，并且在其他地方具有第二横截面形状，所述第一横截面形状具有比所述第二横截面形状更圆的拐角。/n
【技术特征摘要】
20180620 US 16/0133291.一种半导体结构，包括：
主体，包括半导体材料；
环绕主体的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电极和在主体与栅极电极之间的栅极电介质；和
源极区和漏极区，主体在所述源极区和漏极区之间；
其中，主体在栅极电介质下方具有第一横截面形状，并且在其他地方具有第二横截面形状，所述第一横截面形状具有比所述第二横截面形状更圆的拐角。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，所述栅极结构还包括：
与第二横截面形状接触的栅极间隔体。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中第一横截面形状选自圆形、椭圆形或具有圆拐角的矩形，并且其中第二横截面形状选自矩形、正方形或梯形，并且第一横截面形状比第二横截面形状更圆。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中主体包括纳米线，所述纳米线具有由最小外接圆限定的外部大小和由最大内切圆限定的内部大小，其中针对第二横截面形状的外部大小和内部大小之间的差大于针对第一横截面形状的外部大小和内部大小之间的差。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中第一横截面形状具有第一垂直高度，第二横截面形状具有第二垂直高度，并且第一垂直高度与第二垂直高度的比不大于0.9。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中第一横截面形状具有第一周界长度，第二横截面形状具有第二周界长度，并且第一周界长度与第二周界长度的比不大于0.9。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中主体是第一主体，所述结构还包括一个或多个附加主体，第一主体和附加主体中的每个是纳米线或纳米带，并且每个主体具有在栅极电介质下的第一横截面形状，其中第一横截面形状的周界长度在任何主体之间相差不多于1.0nm。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中第一横截面形状的周界长度小于40nm。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中第一和附加主体的第一横截面形状的平均周界长度具有不大于1.0nm的标准偏差。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中标准偏差不大于0.5nm。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中具有第二横截面形状的主体的部分具有大于具有第一横截面形状的主体的部分的表面粗糙度的表面粗糙度。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的半导体结构，其中具有第一横截面形状的主体的部分基本上由硅组成，并且具有第二横截面形状的主体的部分包括硅和锗。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中具有第一横截面积的主体的部分无锗。
14.根据权利要求1-11中任一项所述的半导体结构，具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：EJ汤普森，A卡苏库尔蒂，姜俊成，张凯伦，B古哈，W苏，B比蒂，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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