【技术实现步骤摘要】
一种增强型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件结构
本技术涉及半导体
，具体涉及一种增强型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件结构。
技术介绍
以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的传统半导体材料，其器件在抗辐射、高温、高压和高功率的要求下已逐渐不能满足现代电子技术的发展。宽禁带半导体GaN电子器件，可以应用在高温、高压、高频和恶劣的环境中，如雷达和无线通信的基站及卫星通信。由于GaN的禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高，具有优良的电学和光学特性以及良好的化学稳定性，使其在高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐。GaN器件的广泛应用预示着光电信息甚至是光子信息时代的来临。如今微电子器件正以指数式扩张的趋势发展，至今GaN器件在军用和民用方面都得到相当广泛的应用。随着AlGaN/GaN的单异质结生长工艺和机理研究不断成熟，作为GaN基HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)主要结构的AlGaN/GaNHEMT器件的性能也一直在不断提高。从1993到...
【技术保护点】
1.一种增强型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构，其特征在于，包括Al
【技术特征摘要】
1.一种增强型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件结构，其特征在于，包括Al2O3衬底，所述Al2O3衬底表面形成有第一本征GaN缓冲层，所述第一本征GaN缓冲层表面形成有第二本征GaN缓冲层，所述第二本征GaN缓冲层表面形成有GaN衬底层，所述GaN衬底层表面形成有AlGaN阻挡层，所述AlGaN阻挡层表面形成有GaN帽层，所述GaN帽层至GaN衬底层刻蚀形成左侧源极区域和右侧漏极区域，所述左侧源极区域表面形成有凸出于器件表面的金属化源极欧姆接触，所述右侧漏极区域表面形成有凸出于器件表面的金属化漏极欧姆接触，所述GaN帽层和源漏极欧姆接触表面对应的栅极区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层表面形成有栅极金属。
2.根据权利要求1所述的增强型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件结构，其特征在于，所述Al2O3衬底和第一本征GaN缓冲层之间形...
【专利技术属性】
技术研发人员：李迈克，
申请(专利权)人：中证博芯重庆半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50
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