一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件，包括：位于Al

An enhanced heterogate AlGaN / GaN mos-hemt device

【技术实现步骤摘要】
一种增强型异质金属栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件
本技术属于AlGaN/GaNHEMT器件
，具体涉及一种增强型异质金属栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件。
技术介绍
以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的传统半导体材料，其器件在抗辐射、高温、高压和高功率的要求下已逐渐不能满足现代电子技术的发展。宽禁带半导体GaN电子器件，可以应用在高温、高压、高频和恶劣的环境中，如雷达和无线通信的基站及卫星通信。由于GaN的禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高，具有优良的电学和光学特性以及良好的化学稳定性，使其在高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐。GaN器件的广泛应用预示着光电信息甚至是光子信息时代的来临。如今微电子器件正以指数式扩张的趋势发展，至今GaN器件在军用和民用方面都得到相当广泛的应用。随着AlGaN/GaN的单异质结生长工艺和机理研究不断成熟，作为GaN基HEMT主要结构的AlGaN/GaNHEMT器件的性能也一直在不断提高。从1993到上世纪末，AlGaN/GaNHEMT推动发展的机理主要是异质结性能的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，包括：/n位于Al

【技术特征摘要】
1.一种增强型异质金属栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件，其特征在于，包括：
位于Al2O3衬底之上的AlN过渡层；
位于所述AlN过渡层之上的多层缓冲结构，所述多层缓冲结构的最上层为第一GaN层；
位于所述第一GaN层之上的AlGaN阻挡层，所述AlGaN阻挡层的厚度为5nm～10nm；
位于所述AlGaN阻挡层之上的GaN帽层；
位于所述第一GaN层之上且向上穿过所述AlGaN阻挡层以及GaN帽层的源极和漏极；
位于所述GaN帽层、源极和漏极之上的栅极氧化层；
位于所述栅极氧化层之上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李迈克，
申请(专利权)人：中证博芯重庆半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50