具有掉电保护功能的存储卡驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子电路技术领域，尤其是一种具有掉电保护功能的存储卡驱动电路，包括微处理器、存储卡、开关管Q1、二极管D1、二极管D2、限流电阻R1和充放电容C1，微处理器通过开关管Q1控制存储卡的电源通断情况，所述限流电阻R1旁接于所述单向电通路一侧，限流电阻R1远离开关管Q1的一端与单端接地的充放电容C1电连接；所述二极管D2的阴极旁接于所述单向电通路一侧，二极管D2的阳极旁接在充放电容C1与限流电阻R1的公共节点上。本实用新型专利技术通过设置结构简单的充放电路，在系统掉电时提供一定时间的供电，避免因系统掉电造成存储卡结构损坏或产生存储数据丢失的情况，提高存储卡的使用时长和可靠性。

Drive circuit of memory card with power-off protection function

【技术实现步骤摘要】
具有掉电保护功能的存储卡驱动电路
本技术涉及电子电路
，尤其是一种具有掉电保护功能的存储卡驱动电路。
技术介绍
SD卡由于其成本低、存储容量大及存储时间长，被作为存储器件广泛应用于各种领域，但是由于SD卡体积过小，难以嵌入保护电路，在读写数据时产生异常掉电或上下电时尖峰电压，容易造成SD卡损坏，其内部存储的数据则难以恢复，对于以信号采集为主的设备(例如集中器)，无疑是十分严重的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有带有SD卡的系统存在因掉电而导致SD卡损坏或数据丢失风险的缺陷。为实现上述目的，本技术提供一种具有掉电保护功能的存储卡驱动电路，包括：微处理器和存储卡；开关管Q1和二极管D1，开关管Q1的基极与微处理器的启动控制端电连接，开关管Q1的漏极接有直流电压端，开关管Q1的源极、二极管D1和存储卡的电源输入端电依次串接从而形成电流方向指向存储卡的单向电通路；二极管D2、限流电阻R1和充放电容C1；限流电阻R1旁接于单向电通路一侧，限流电阻R1远离开关管Q1的一端与单端接地的充放电容C1电连接；二极管D2的阴极旁接于单向电通路一侧，二极管D2的阳极旁接在充放电容C1与限流电阻R1的公共节点上。作为优选，微处理器和存储卡对应电连接从而形成时钟通路以及若干数据通路，时钟通路和数据通路上分别旁接有与直流电压端连接的上拉电阻。进一步的，时钟通路和数据通路上分别旁接有ESD二极管，ESD二极管的阴极与时钟通路或数据通路电连接，ESD二极管的阳极接地。进一步的，ESD二极管的型号为PESD5V0L6U型芯片。作为优选，微处理器的启动控制端旁接有与直流电压端连接的上拉电阻。作为优选，还包括电容C2和电容C3，电容C2和电容C3分别旁接在单向电通路一侧，电容C2和电容C3远离单向电通路的一端接地。作为优选，还包括用于反馈单向电通路通电情况的电阻R11和发光二极管LED，电阻R11的一端与发光二极管LED的阳极电连接，电阻R11的另一端旁接在单向电通路一侧，发光二极管LED的阴极接地。本技术的有益效果：通过设置结构简单的充放电路，在系统掉电时提供一定时间的供电，避免因系统掉电造成存储卡结构损坏或产生存储数据丢失的情况，提高存储卡的使用时长和可靠性。附图说明图1：本技术具有掉电保护功能的存储卡驱动电路的原理示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清晰，下面将结合实施例和附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本技术提供一种具有掉电保护功能的存储卡驱动电路。请参照图1所示，为本技术的一个实施例，该存储卡驱动电路至少包括有微处理器、开关管Q1、二极管D1、二极管D2、限流电阻R1、充放电容C1和存储卡；其中，微处理器为LPC2378型芯片，微处理器通过接插件JP间接与其他元器件进行相关电连接。微处理器通过开关管Q1控制存储卡的上电情况。具体地，开关管Q1的基极与微处理器的启动控制端电连接，开关管Q1的漏极接有直流电压端，开关管Q1的源极、二极管D1和存储卡的电源输入端电依次串接从而形成电流方向指向存储卡的单向电通路。存储卡驱动电路的掉电保护功能通过设置充放结构来实现。具体地，限流电阻R1旁接于单向电通路一侧，限流电阻R1远离开关管Q1的一端与单端接地的充放电容C1电连接；二极管D2的阴极旁接于单向电通路一侧，二极管D2的阳极旁接在充放电容C1与限流电阻R1的公共节点上。其中，限流电阻R1和充放电容C1构成充电支路，充放电容C1和二极管D2构成放电支路。存储卡驱动电路的掉电保护原理为：电路正常工作时，微处理器的启动控制端发出电平信号至开关管Q1的基极，从而导通开关管Q1，直流电压端对存储卡进行供电，充放电容C1存储从直流电压端获得的电能，此时，存储卡在与微处理器的信息交互下正常读写数据；当微处理器或直流电压端发生掉电情况时，充放电容C1通过二极管D2对存储卡放电，放电时间大约在2秒左右(放电时长取决于充放电容C1的容值大小)，在充放电容C1放电的过程中，微处理器因自身掉电或直流电压端掉电(微处理器也由直流电压端供电)而无法正常传送信号至存储卡，存储卡判断读写结束，放电时间结束后，存储卡已进入低功耗休眠状态，从而起到掉电保护效果。微处理器和存储卡之间还存在各种数据交互和时钟信号统一，微处理器和存储卡对应电连接从而形成时钟通路以及若干数据通路，时钟通路和数据通路上分别旁接有与直流电压端连接的上拉电阻(R2～R8)，微处理器的启动控制端旁接有与直流电压端连接的上拉电阻R9，上拉电阻的作用在于拉高时钟通路、数据通路或微处理器启动控制端的电平值，避免数据通路或始终同路信号断开或开关管Q1截止。为了进一步提高电路整体的防静电性能，时钟通路和数据通路上分别旁接有ESD二极管，ESD二极管的阴极与时钟通路或数据通路电连接，ESD二极管的阳极接地，本实施例采用PESD5V0L6U型芯片内的六组，ESD二极管对时钟通路和数据通路进行ESD防护。存储卡驱动电路还设有用于滤除输入干扰的电容C2和电容C3，使存储卡获得更为平滑的电源输入，具体地，电容C2和电容C3分别旁接在单向电通路一侧，电容C2和电容C3远离单向电通路的一端接地。在一种可选的实施方案中，存储卡驱动电路还包括用于反馈单向电通路通电情况的电阻R11和发光二极管LED，电阻R11的一端与发光二极管LED的阳极电连接，电阻R11的另一端旁接在单向电通路一侧，发光二极管LED的阴极接地。当微处理器或直流电压端掉电时，发光二极管LED熄灭，用户可据此判断电路是否存在掉电情况。综上所述，本技术提供的具有掉电保护功能的存储卡驱动电路通过设置结构简单的充放电路，在系统掉电时提供一定时间的供电，避免因系统掉电造成存储卡结构损坏或产生存储数据丢失的情况，提高存储卡的使用时长和可靠性，具有进步意义。以上所述仅为本技术的优选实施例，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有掉电保护功能的存储卡驱动电路，其特征在于，包括：/n微处理器和存储卡；/n开关管Q1和二极管D1，所述开关管Q1的基极与微处理器的启动控制端电连接，开关管Q1的漏极接有直流电压端，开关管Q1的源极、二极管D1和存储卡的电源输入端电依次串接从而形成电流方向指向存储卡的单向电通路；/n二极管D2、限流电阻R1和充放电容C1；所述限流电阻R1旁接于所述单向电通路一侧，限流电阻R1远离开关管Q1的一端与单端接地的充放电容C1电连接；所述二极管D2的阴极旁接于所述单向电通路一侧，二极管D2的阳极旁接在充放电容C1与限流电阻R1的公共节点上。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有掉电保护功能的存储卡驱动电路，其特征在于，包括：
微处理器和存储卡；
开关管Q1和二极管D1，所述开关管Q1的基极与微处理器的启动控制端电连接，开关管Q1的漏极接有直流电压端，开关管Q1的源极、二极管D1和存储卡的电源输入端电依次串接从而形成电流方向指向存储卡的单向电通路；
二极管D2、限流电阻R1和充放电容C1；所述限流电阻R1旁接于所述单向电通路一侧，限流电阻R1远离开关管Q1的一端与单端接地的充放电容C1电连接；所述二极管D2的阴极旁接于所述单向电通路一侧，二极管D2的阳极旁接在充放电容C1与限流电阻R1的公共节点上。


2.根据权利要求1所述的具有掉电保护功能的存储卡驱动电路，其特征在于，所述微处理器和存储卡对应电连接形成时钟通路以及若干数据通路，所述时钟通路和数据通路上分别旁接有与所述直流电压端连接的上拉电阻。


3.根据权利要求2所述的具有掉电保护功能的存储卡驱动电路，其特征在于，所述时钟通路和数据通路上分别旁...

【专利技术属性】
技术研发人员：何建璋，
申请(专利权)人：佛山市天宇鸿图创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44