一种锂电保护芯片的电流补偿电路制造技术

本发明专利技术公开了一种锂电保护芯片的电流补偿电路，应用于电池组上，连接在电池组的电池单元VCC上，包括第一采样电路、第二采样电路及电流镜模块IC3，第一采样电路与电池单元VCC相连接，第一采样电路与第二采样电路相连接，第二采样电路与电流镜模块IC3相连接，电流镜模块IC3与第一采样电路相连接；能够解决现有技术电池单元在芯片进行采样检测时产生的电量损耗问题。

A current compensation circuit of lithium protection chip

【技术实现步骤摘要】
一种锂电保护芯片的电流补偿电路
本专利技术涉及电池管理
，具体的说，是一种锂电保护芯片的电流补偿电路。
技术介绍
当今，随着锂电池应用的兴起，锂电池在使用过程中的安全问题，日益受到重视。锂电池在充电电压过高，放电电压过低时都会引发危险，因此针对该方面的锂电池保护芯片应运而生。然而，在保护芯片内部进行电压采样时，采样电阻不可避免会消耗电能，使得各节电池单元电量不均衡。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种锂电保护芯片的电流补偿电路，能够解决现有技术电池单元在芯片进行采样检测时产生的电量损耗问题。本专利技术通过下述技术方案实现：一种锂电保护芯片的电流补偿电路，应用于电池组上，连接在电池组的电池单元VCC上，包括第一采样电路、第二采样电路及电流镜模块IC3，第一采样电路与电池单元VCC相连接，第一采样电路与第二采样电路相连接，第二采样电路与电流镜模块IC3相连接，电流镜模块IC3与第一采样电路相连接；第一采样电路将采样所得电压输送至第二采样电路内，第二采样电路利用电流镜模块IC3输出电流至第一采样电路，第一采样电路在将电流输送至与该节电池单元VCC相连接的另一节电池单元VCC，实现电流补偿；电流镜模块IC3内的不同支路MOS管的宽长比存在比例关系，调控输出电流的大小；电流镜模块IC3采用任一MOS器件组成的G极相接的结构皆可以。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：第一采样电路设置有第一电阻R1、MOS管Q1、运放电路IC1及第二电阻R2，运放电路IC1的同相输入端连接在电池单元VCC的负极上，运放电路IC1的反相输入端通过电阻R1连接在电池单元VCC的正极上，运放电路IC1的1端口与电流镜模块IC3相连接，运放电路IC1的输出端连接MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源端连接运放电路IC1的反相输入端，MOS管Q1的漏端通过电阻R2连接第二采样电路；优选的在设置使用时，其中一个电池单元VCC的正极连接对应的电阻R1，电阻R1的另一端连接到MOS管Q1的S端，MOS管Q1的G端连接运算电路IC1的输出端，运放电路IC1的同相输入端、反相输入端分别连接电池单元VCC的负极和MOS管Q1的S端，MOS管Q1的D端连接电阻R2，提供采样电压，输送至第二采样电路中，第二采样电路连接至电流镜模块IC3中，再从电流镜模块IC3输出电流至运放电路IC1的偏置电流端（即1端口），流经运放电路IC1后连接至另一电池单元VCC的采样支路上，实现电流补偿。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述第二采样电路包括运放电路IC2、电阻R3、MOS管Q2及电阻R4，运放电路IC2的同相输入端通过电阻R2连接MOS管Q1的漏端，电阻R3连接在运放电路IC2的同相输入端上，运放电路IC2的输出端连接在MOS管Q2的栅极上，MOS管Q2的漏端与电流镜模块IC3相连接，MOS管Q2的远端分别与运放电路IC2的反相输入端和电阻R4的第一端相连接。优选的在设置使用时，其中一个电池单元VCC的正极连接对应的电阻R1，电阻R1的另一端连接到MOS管Q1的S端，MOS管Q1的G端连接运算电路IC1的输出端，运放电路IC1的同相输入端、反相输入端分别连接电池单元VCC的负极和MOS管Q1的S端，MOS管Q1的D端连接电阻R2，提供采样电压，输送至运放电路IC2的同相输入端，运放电路IC2的输出端连接MOS管Q2的G端，MOS管Q2的S端连接运放电路IC2的反相输入端和电阻R4，MOS管Q2的D端连接至电流镜模块IC3中，再从电流镜模块IC3输出电流至运放电路IC1的偏置电流端（即1端口），流经运放电路IC1后连接至另一电池单元VCC的采样支路上，实现电流补偿，优选的电阻R1、电阻R2、电阻R4之间存在一定的比例关系（优选的其阻值比例关系为：3:1:2），控制补偿电流的大小；运放电路IC1和运放电路IC2都采用负反馈的连接方式，优选的，运放电路IC1和运放电路IC2采用二级运放架构。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述电阻R3的另一端接地，电阻R4的另一端亦接地，MOS管Q2的漏端连接在电流镜模块IC3的输入端上。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述运放电路IC1的1端口与电流镜模块IC3的输出端相连接。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述运放电路IC1的2端口（即电流输出端口）上还连接有电阻R5，优选的电阻R5的阻值设定较小，主要起到保护电路的作用。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述电池单元VCC为两个及以上时，在每一个电池单元VCC上皆设置有电流补偿电路，且电池单元VCC与电池单元VCC之间串联，且相邻的一节电流补偿电路的A端接入另一个电池单元VCC的正极上。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述MOS管Q1采用P型耐压MOS管或N型耐压MOS管。进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述MOS管Q2采用与MOS管Q1极性相反的耐压MOS管。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术利用了采样电路进行电压采样，并将此采样电压按照一定比例的计算，转换为相应电流补充至电池单元的采样电路，补偿采样电路所消耗的电能，解决了锂电池保护芯片内部采样电路产生电池电量损耗的问题，完善了锂电保护芯片的功能。附图说明图1为本专利技术的电路原理图。图2为本专利技术应用于多节电池单元上时的连接示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锂电保护芯片的电流补偿电路，应用于电池组上，连接在电池组的电池单元VCC上，其特征在于：包括第一采样电路、第二采样电路及电流镜模块IC3，第一采样电路与电池单元VCC相连接，第一采样电路与第二采样电路相连接，第二采样电路与电流镜模块IC3相连接，电流镜模块IC3与第一采样电路相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种锂电保护芯片的电流补偿电路，应用于电池组上，连接在电池组的电池单元VCC上，其特征在于：包括第一采样电路、第二采样电路及电流镜模块IC3，第一采样电路与电池单元VCC相连接，第一采样电路与第二采样电路相连接，第二采样电路与电流镜模块IC3相连接，电流镜模块IC3与第一采样电路相连接。


2.根据权利要求1所述的一种锂电保护芯片的电流补偿电路，其特征在于：第一采样电路设置有第一电阻R1、MOS管Q1、运放电路IC1及第二电阻R2，运放电路IC1的同相输入端连接在电池单元VCC的负极上，运放电路IC1的反相输入端通过电阻R1连接在电池单元VCC的正极上，运放电路IC1的1端口与电流镜模块IC3相连接，运放电路IC1的输出端连接MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源端连接运放电路IC1的反相输入端，MOS管Q1的漏端通过电阻R2连接第二采样电路。


3.根据权利要求2所述的一种锂电保护芯片的电流补偿电路，其特征在于：所述第二采样电路包括运放电路IC2、电阻R3、MOS管Q2及电阻R4，运放电路IC2的同相输入端通过电阻R2连接MOS管Q1的漏端，电阻R3连接在运放电路IC2的同相输入端上，运放电路IC2的输出端连接在MOS管Q2的栅极上，MOS管Q2的漏端与电流镜模块IC3相连接，MOS管Q2的远...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世彬，顾鹏展，刘志军，杨亚杰，赵文川，
申请(专利权)人：成都蓉创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51