一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供了一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法。其中在进行TMAH工艺之前，方法包括：对晶圆的边缘进行离子注入，向晶圆的边缘注入指定离子；其中，被注入指定离子的晶圆的边缘在TMAH工艺中，相比较被刻蚀材料具有高刻蚀选择比。本发明专利技术通过测试实验找到了一种改进方案，通过在晶圆边缘上直接离子注入(包括C离子和/或B离子)，来改善在TMAH工艺中对晶圆边缘造成的腐蚀问题。并且，经过测试验证，等同TMAH工艺测试环境下，现有技术中会发生大于2000埃/min的刻蚀速率，在本发明专利技术改进方案中刻蚀速率会被降低到10埃/min以下。

【技术实现步骤摘要】
一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法。
技术介绍
现有技术中，在处理下沟道孔(LowChannelHole，简写为：LCH)中的多晶硅填塞(通常也被描述为牺牲层)，通常都是采用四甲基氢氧化铵(TetramethylammoniumHydroxide，简写为：TMAH)工艺进行。但是，TMAH工艺在去除多晶硅填塞过程中，还会对晶圆边缘上的Si造成损伤，如图1所示，图中左侧表面上的刻蚀凹槽便是在上述TMAH工艺过程中造成的。晶圆边缘上的凹槽缺陷，会更容易在后续沉积工艺和/或离子注入工艺过程中发生放电问题。如图2所示，该晶圆结构在图中左下角发生了较为严重的放电问题，这是因为圆边缘上的凹槽缺陷容易产生电荷在相邻凹槽构成的尖角聚集，从而更容易发生放电问题，对晶圆的成品率造成较大的影响。鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是如何改善在TMAH工艺发生的晶圆边缘被本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，在进行TMAH工艺之前，方法包括：/n对晶圆的边缘进行离子注入，向晶圆的边缘注入指定离子；其中，被注入指定离子的晶圆的边缘在TMAH工艺中，相比较被刻蚀材料具有高刻蚀选择比。/n

【技术特征摘要】
1.一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，在进行TMAH工艺之前，方法包括：
对晶圆的边缘进行离子注入，向晶圆的边缘注入指定离子；其中，被注入指定离子的晶圆的边缘在TMAH工艺中，相比较被刻蚀材料具有高刻蚀选择比。


2.根据权利要求1所述的在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，所述指定离子包括C离子和/或B离子，方法还包括：
控制C离子和/或B离子注入过程，使得注入深度小于等于3mm。


3.根据权利要求2所述的在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，方法还包括：
注入的C离子和/或B离子的计量在[6×1015,7×1015]ions/cm2，并进行指定温度下的退火，其中，所述指定温度归属于[850,950]℃。


4.根据权利要求1所述的在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，在所述离子注入前，还包括晶圆倒角加工环节；具体地，
在所述晶圆的晶向为<100>时，将晶圆的倒角打磨成5°-8°，形成待进行离子注入的晶圆边缘；或者，
在所述晶圆的晶向为<110>时，将晶圆的倒角打磨成15°-35°，形成待进行离子注入的晶圆边缘。


5.根据权利要求4所述的在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，在所述离子注入后，且在进行所述TMAH工艺之前，方法还包括：对所述晶圆进行抛光。


6.根据权利要求1-4任一所述的在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，所述晶圆上制作有用于形成三维存储器的堆叠结构，所述堆叠结构包括第一堆叠结构和位于第一堆叠结构之上的第二堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，白靖宇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42