沟槽阵列晶体管结构制造技术

本公开提出一种沟槽阵列晶体管结构，涉及集成电路制造技术领域。沟槽阵列晶体管结构包括衬底基板、沟槽及氧化层。衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极。沟槽位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部及侧壁。氧化层覆盖所述沟槽的所述底部及所述侧壁，所述氧化层的第一侧的上部靠近所述源极或所述漏极的方向具有第一氧化层延伸部。本公开提供的技术方案能够有效改善沟槽阵列晶体管容易产生漏电流问题。

Grooved array transistor structure

【技术实现步骤摘要】
沟槽阵列晶体管结构
本公开涉及集成电路制造
，尤其涉及一种沟槽阵列晶体管结构。
技术介绍
目前，晶体管被广泛应用于存储器、寄存器及集成电路中，随着各器件制造技术的发展，尺寸变得越来越小，引起晶体管短信道效应的发生。沟槽通道阵列晶体管(RCAT，recesschannelarraytransistor)具有较小的信道长度，可减少短信道效应，近年来其被广泛使用。但是，当沟槽通道阵列晶体管的尺寸被持续缩小时，容易发生栅漏交叠区的栅诱导漏极泄漏电流(GIDL，gate-induceddrainleakage)，在这些泄漏电流中，集成电路中器件处于关态或者处于等待状态时，GIDL电流在泄漏电流中占主导地位，对沟槽通道阵列晶体管的可靠性影响较大。而现有沟槽阵列晶体管结构的氧化层为厚度均匀的覆盖与沟槽内壁，对GIDL漏电流的控制不佳，容易产生漏电流。所以，沟槽通道阵列晶体管容易产生漏电流是集成电路制造
急需解决的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽阵列晶体管结构，其特征在于，包括：/n衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极；/n沟槽，位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部及侧壁；/n氧化层，覆盖所述沟槽的所述底部及所述侧壁，所述氧化层的第一侧的上部靠近所述源极或所述漏极的方向具有第一氧化层延伸部。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽阵列晶体管结构，其特征在于，包括：
衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极；
沟槽，位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部及侧壁；
氧化层，覆盖所述沟槽的所述底部及所述侧壁，所述氧化层的第一侧的上部靠近所述源极或所述漏极的方向具有第一氧化层延伸部。


2.根据权利要求1所述的沟槽阵列晶体管结构，其特征在于，所述氧化层还包括靠近所述漏极方向的所述第一氧化层延伸部及靠近所述源极方向的第二氧化层延伸部。


3.根据权利要求1或2所述的沟槽阵列晶体管结构，其特征在于，还包括：
导电层，位于所述沟槽内；
填充绝缘层，位于所述沟槽内的所述导电层的上方。


4.根据权利要求2所述的沟槽阵列晶体管结构，其特征在于，所述第一氧化层延伸部、所述第二氧化层延伸部的厚度为2纳米至10纳米。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34