研磨装置用承载头及用于其的隔膜制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及研磨装置用承载头及用于其的隔膜，具体提供一种研磨装置的承载头的隔膜，底板，其由挠性材质形成，用于对基板的板面加压；侧面，其由挠性材质形成，从所述底板的边缘延伸；第一固定瓣，其从所述侧面的上端部延伸，末端固定于所述承载头；第二固定瓣，其由挠性材质形成，从所述侧面与所述第一固定瓣中的任意一个延伸，并包括从所述底板越向上方越向半径内侧方向倾斜的第一倾斜部分和越向上方越向半径外侧方向倾斜的第二倾斜部分，从而使得在倾斜部分发生的补偿力进行作用。

Bearing head and diaphragm for grinding device

【技术实现步骤摘要】
研磨装置用承载头及用于其的隔膜
本技术涉及研磨装置用承载头及用于其的隔膜，详细而言，涉及一种即使卡环等的磨损状态变动，也向基板的边缘施加均匀的加压力而保持研磨品质的研磨装置用承载头及用于其的隔膜。
技术介绍
化学机械式研磨(CMP)装置用于在半导体元件制造过程中，去除因反复执行掩蔽、蚀刻及布线工序等而生成的晶片表面的凹凸所导致的电池区域与周边电路区域间发生高度差，实现全面平坦化，且为了提高随着电路形成用触点/布线膜分离及高集成元件化而要求的晶片表面粗糙度等，对晶片表面进行精密研磨加工。在这种CMP装置中，承载头在研磨工序前后，以晶片的研磨面与研磨垫相向的状态对所述晶片加压，使得进行研磨工序，同时，研磨工序结束后，以直接或间接真空吸附并把持晶片的状态，移送到下一工序。图1a及图1b是图示普通的研磨装置的构成的图。如图所示，研磨装置9包括：研磨盘10，其以研磨垫11套于上面的状态自转10r；承载头2，其以基板的研磨面接触研磨垫11的状态向下方加压Pc并自转2r；浆料供应部3，其为了基板W的化学式研磨而供应浆料；调节器4，其在基板的研本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，包括：/n底板，其由挠性材质形成，用于对基板的板面加压；/n侧面，其由挠性材质形成，从所述底板的边缘延伸；/n第一固定瓣，其从所述侧面的上端部延伸，末端固定于所述承载头；/n第二固定瓣，其由挠性材质形成，从所述侧面与所述第一固定瓣中的任意一个延伸，并包括从所述底板越向上方越向半径内侧方向倾斜的第一倾斜部分和越向上方越向半径外侧方向倾斜的第二倾斜部分。/n

【技术特征摘要】
20181109 KR 10-2018-01376851.一种研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，包括：
底板，其由挠性材质形成，用于对基板的板面加压；
侧面，其由挠性材质形成，从所述底板的边缘延伸；
第一固定瓣，其从所述侧面的上端部延伸，末端固定于所述承载头；
第二固定瓣，其由挠性材质形成，从所述侧面与所述第一固定瓣中的任意一个延伸，并包括从所述底板越向上方越向半径内侧方向倾斜的第一倾斜部分和越向上方越向半径外侧方向倾斜的第二倾斜部分。


2.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
被所述第一固定瓣和所述第二固定瓣环绕一部分的空间，在上述第一固定瓣的下侧形成的主压力腔室的上侧形成辅助压力腔室。


3.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述第二固定瓣包括与所述第二倾斜部分连接并向相对于所述底板远离的上方延长的第三延长部分。


4.根据权利要求3所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述第二固定瓣的固定末端形成在所述第三延长部分，且所述固定末端固定在所述承载头的底座的外侧面。


5.根据权利要求3所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述第二固定瓣的固定末端形成在所述第三延长部分，且所述第三延长部分以覆盖所述承载头的底座的外侧面的一部分的形态形成，所述固定末端固定在所述承载头的底座的上表面。


6.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述第二倾斜部分至少在部分区间倾斜形成。


7.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
固定所述第二固定瓣的固定末端形成在所述第二倾斜部分。


8.根据权利要求7所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述固定末端固定于所述承载头的卡环的内周面；
在所述第二倾斜部分的上侧，安装有连接卡环的内周面与底座的第三固定瓣。


9.根据权利要求7所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述固定末端固定于所述承载头的底座的外侧面与下表面的边界角部。


10.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，
所述第二固定瓣还包括连接所述第一倾斜部分和所述侧面的上端部的连接部分。


11.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：孙准晧，申盛皓，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR