【技术实现步骤摘要】
下面的实施例涉及一种对在cmp设备的载体隔膜及r环残留的研磨液及颗粒进行清洗的装置。
技术介绍
1、需要化学机械平坦化(cmp,chemica l mechan ica l pl anar izat ion)作业。cmp作业包括通过将要执行研磨的基板与研磨垫接触而使得基板物理磨损的研磨工艺,基板的表面状态通过研磨工艺达到目标轮廓。
2、在基板的研磨过程中,研磨液可供给到基板的表面。由于研磨液供给到基板及研磨垫之间,因此可在通过对基板面的机械摩擦而进行物理研磨的同时,通过构成研磨液的组合物的化学反应而对基板的表面进行化学研磨。
3、因为基板的研磨需要不同的多个工艺,所以为了基板的研磨,需要进行各个工艺的多个模块。基板按顺序通过多个模块,由于基板研磨工艺是针对多个基板进行的,因此为了提高制造基板的生产率,需要优化模块间基板的传送。
4、在对基板进行研磨的期间,在基板载体隔膜及r环残留对基板进行研磨所需的研磨液及因基板的研磨结果产生的颗粒。为了对残留于基板载体隔膜及r环的研磨液及颗粒进行清洗,歧管旋转,通过
...【技术保护点】
1.一种清洗装置,用于清洗基板载体,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,
4.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,喷嘴部包括:
5.根据权利要求4所述的清洗装置,其特征在于,
6.根据权利要求5所述的清洗装置,其特征在于,
7.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,
8.根据权利要求7所述的清洗装置,其特征在于,
9.一种清洗装置,用于清洗基板载体,其特征在于,包括:
【技术特征摘要】
1.一种清洗装置,用于清洗基板载体,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,
4.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,喷嘴部包括:
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴筋壕,
申请(专利权)人:凯斯科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。