一种半导体结构和制备半导体结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构和制备半导体结构的方法，解决了外延结构易龟裂、翘曲大以及位错密度大的问题。该半导体结构包括：衬底；以及设置在所述衬底上方的至少一个组成调制层；其中，每一个所述组成调制层的材料为半导体化合物，所述半导体化合物至少包括第一元素和第二元素，其中所述第一元素的原子序数小于所述第二元素的原子序数；其中，在每一个所述组成调制层中沿所述衬底的外延方向上，所述第一元素在化合物组成中的原子个数百分比先逐渐减少再逐渐增大，所述逐渐减少阶段的厚度大于逐渐增大阶段的厚度，逐渐增大后的原子个数百分比小于等于逐渐减少之前的原子个数百分比。

A semiconductor structure and the method of preparing semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：向鹏，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32