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本发明公开了一种半导体结构和制备半导体结构的方法，解决了外延结构易龟裂、翘曲大以及位错密度大的问题。该半导体结构包括：衬底；以及设置在所述衬底上方的至少一个组成调制层；其中，每一个所述组成调制层的材料为半导体化合物，所述半导体化合物至少包括...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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