【技术实现步骤摘要】
一种改变充电方式的高磁通隔磁片
本专利技术涉及磁芯领域，具体涉及一种改变充电方式的高磁通隔磁片。
技术介绍
隔磁片广泛应用于无线充电、近距离无线通讯(NFC)和射频识别(RFID)
，可制成无线充电器中的导磁片、NFC和RFID设备中的隔磁片。目前所使用的隔磁片都是经过高温烧结而成的磁性薄片，但是由于现有的无线通讯的技术愈发成熟，实现远距离的无线充电已经变成可能，但是现有的铁氧体隔磁片已经无法满足要求，即隔磁片无法实现高磁通量，给充电器交感磁场提供回路，造成效率低，另外隔磁片产生的热量无法影响线路主板，使充电器不能正常工作。
技术实现思路
本专利技术提供一种改变充电方式的高磁通隔磁片，结构合理简单，具有良好的高磁性能、良好的导热性能。为实现上述目的，本一种改变充电方式的高磁通隔磁片包括高分子基层、磁片层和隔磁层；高分子基层、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层和下磁层，所述上磁层下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层；所述隔磁层包括铜板层和石墨层，石墨层通过双面胶铺设在铜板层上端。进一步的，所述第一凹槽与第二凹槽均为半圆柱结构。进一步的，所述纳米层为四氧化三铁纳米磁粉。进一步的，所述上磁层厚度为20-200μm，所述下磁层厚度为20-200μm。进一步的，所述腔体直径为10-100μm。...
【技术保护点】
1.一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，包括高分子基层(1)、磁片层和隔磁层；/n高分子基层(1)、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层(22)和下磁层(21)，所述上磁层(22)下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层(21)上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层(23)；/n所述隔磁层包括铜板层(3)和石墨层(4)，石墨层(4)通过双面胶铺设在铜板层3上端。/n
【技术特征摘要】
1.一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，包括高分子基层(1)、磁片层和隔磁层；
高分子基层(1)、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层(22)和下磁层(21)，所述上磁层(22)下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层(21)上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层(23)；
所述隔磁层包括铜板层(3)和石墨层(4)，石墨层(4)通过双面胶铺设在铜板层3上端。
2.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述第一凹槽与第二凹槽均为半圆柱结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种改变充电方式的高磁通...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘孝军，朱仁胜，朱国栋，朱国辉，
申请(专利权)人：徐州远洋磁性材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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