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本发明公开了一种改变充电方式的高磁通隔磁片，包括高分子基层、磁片层和隔磁层；高分子基层、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层和下磁层，所述上磁层下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层上端设有多个下凹的第二凹槽，...
该专利属于徐州远洋磁性材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州远洋磁性材料有限公司授权不得商用。

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