磁盘装置和写入处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够提高写入处理的性能的磁盘装置和写入处理方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是表示能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。

Disk device and write processing method

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置和写入处理方法关联申请本申请享受以日本专利申请2018-111882号(申请日：2018年6月12日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁盘装置和写入处理方法。
技术介绍
近年来，开发了用于实现磁盘装置的高记录容量化的各种技术。作为这些技术中的一种，有称为瓦记录方式(ShingledwriteMagneticRecording(SMR)或ShingledWriteRecording(SWR))的记录技术。瓦记录方式的磁盘装置在向磁盘写入数据时，与相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的一部分重叠地对下一个记录磁道进行写入。在瓦记录方式的磁盘装置中，进行了重叠写入的磁道的宽度与没有进行重叠写入的磁道的宽度相比，可能会变窄。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够提高写入处理的性能的磁盘装置和写入处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是表示能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过了该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。附图说明图1是示出第一实施方式涉及的磁盘装置的结构的框图。图2是示出写入有数据的瓦记录区域的一例的示意图。图3是示出第一实施方式涉及的以磁道为单位的纠错方法的一例的示意图。>图4是示出DDOL的一例的示意图。图5是用于示出第一实施方式涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。图6是示出第一实施方式涉及的写入处理的控制系统的一例的框图。图7是示出第一实施方式涉及的写入处理方法的一例的流程图。图8是用于示出变形例1涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。图9是示出变形例1涉及的写入处理方法的一例的流程图。图10是示出变形例2涉及的写入处理方法的一例的流程图。图11是用于示出变形例3涉及的DOL的管理方法的一例的示意图。图12是示出变形例3涉及的写入处理方法的一例的流程图。具体实施方式以下，参照附图说明实施方式。此外，附图为一例，并不限定专利技术的范围。(第一实施方式)图1是示出第一实施方式涉及的磁盘装置1的结构的框图。磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，称为头放大器IC或前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90及作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下仅称为主机)100连接。HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载有头15的臂13及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，并通过SPM12的驱动而旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定位置。盘10和头15可以设置两个以上的数量。盘10中，对数据区域分配有瓦记录(ShingledMagneticRecording：SMR)区域10a和媒体高速缓存(mediacache)区域10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。此外，盘10中也可以分配有以并非瓦记录方式的通常记录方式写入的用户数据区域、写入系统管理所需的信息的系统区域等。瓦记录区域10a记录有从主机100请求写入的用户数据等。媒体高速缓存区域10b能够作为瓦记录区域10a的高速缓存而被利用。在瓦记录区域10a中，对接下来将写入的磁道进行与当前进行了写入的磁道的一部分重叠的重叠写入。因此，瓦记录区域10a的磁道密度(TrackPerInch：TPI)比以没有被重叠写入的通常记录方式写入了数据的区域的磁道密度高。在瓦记录区域10a中，分别包含进行了重叠写入的多个磁道的多个磁道组相互隔开间隔(间隙)地配置。以下，将包含进行了重叠写入的多个磁道的磁道组称为带区域。带区域包含进行了与在半径方向上相邻的磁道(以下称为相邻磁道)的一部分重叠的重叠写入的至少一个磁道、和最后进行了重叠写入的磁道(最终磁道)。由于最终磁道没有被重叠写入有其他磁道，所以磁道宽度比一部分被重叠写入有其他磁道的磁道宽。以下，将在盘10中进行了写入的磁道称为写入磁道。将除去了被重叠写入有相邻磁道的区域的、剩余的写入磁道的区域称为读取磁道。另外，有时将写入磁道仅称为磁道，有时将读取磁道仅称为磁道，有时将写入磁道和读取磁道仅称为磁道。磁道包含多个扇区。例如，多个扇区分别包含纠错码(ErrorCorrectionCode)。纠错码例如包含LDPC(LowDensityParityCheck：低密度校验码)码等。此外，“磁道”在沿盘10的圆周方向延长的数据、沿盘10的圆周方向延长的区域、头15的轨迹或路径(工作路径)或其他各种含义下使用。“扇区”在写入到磁道的预定区域例如扇区的数据、磁道的预定区域或其他各种含义下使用。另外，有时将写入磁道的半径方向上的宽度称为写入磁道宽度，将读取磁道的半径方向上的宽度称为读取磁道宽度。有时将写入磁道宽度仅称为磁道宽度，有时将读取磁道宽度仅称为磁道宽度，有时将写入磁道宽度和读取磁道宽度仅称为磁道宽度。图2是示出写入有数据的瓦记录区域10a的一例的示意图。在图2中，纵轴示出盘10的半径方向，横轴示出盘10的圆周方向。在半径方向上，将朝向盘10的中心的方向称为内方向(内侧)ID，将内方向的相反方向称为外方向(外侧)OD。另外，在半径方向上，将写入和读取数据的方向称为正向。在图2所示的例子中，正向(顺方向)是与内方向ID相同的方向。此外，正向也可以是与外方向OD相同的方向。在圆周方向上，将一个方向设为右方向，将右方向的相反方向设为左方向。另外，在圆周方向上，将写入和读取数据的方向称为行进方向。例如，行进方向是盘10的旋转方向的相反方向。在图2所示的例子中，行进方向是与右方向相同的方向。此外，行进方向也可以是与左方向相同的方向。在图2所示的例子中，瓦记录区域10a包含带区域TGn。在图2中，为了便于说明，带区域TGn中的各磁道呈直线状延长。实际上，带区域TGn中的各磁道是沿着盘10的形状弯曲的同心圆状。也就是说，实际上，带区域TGn中的各磁道的左方向的端部和右方向的端部一致。另外，带区域TGn中的各磁道实际上会产生由干扰、其他构造等的影响导致的偏移等。此外，瓦记录区域10a也可以包含两个以上的带区域。在图2所示的例子中，带区域TGn包含写入磁道WTn、WTn+1、WTn+2、WTn+3以及WTn+4。写入磁道WTn和WTn+1相互一部分重叠。写入磁道WTn+1和WTn+2相互一部分重叠。写入磁道WTn+2和WTn+3相互一部分重叠。写入磁道WTn+3和WTn+4相互一部分重叠。在带区域TGn中，写入磁道WTn至WTn+4在半径方向上按该顺序被重叠写入。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘装置，具备：/n盘；/n头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及/n控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是对应于能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过了该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。/n

【技术特征摘要】
20180612 JP 2018-1118821.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，根据评价值变更第一阈值，所述评价值是对应于能够纠正在所述盘的第一磁道中发生了读取错误的错误数据的可能性的值，所述第一阈值是在正对所述第一磁道进行写入的所述头的定位误差超过了该第一阈值的情况下中断写入处理的阈值。


2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器基于所述评价值，将所述第一阈值从第一值变更为比所述第一值小的第二值。


3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器将所述定位误差超过了所述第二值的超过值的总和以及所述定位误差超过了所述第二值的次数作为所述评价值进行管理。


4.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在所述总和超过了第二阈值的情况下，将所述第一阈值从所述第一值变更为所述第二值。


5.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在所述次数超过了第三阈值的情况下，将所述第一阈值从所述第一值变更为所述第二值。


6.根据权利要求3所述的磁盘装置，
在所述定位误差超过了所述第二值时在所述头发生了偏移的第一方向上相邻的第一区域为无法读取的不良区域的情况下，所述控制器维持所述总和以及所述次数。


7.根据权利要求3所述的磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：前东信宏，竹尾昭彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP