光电二极管、投射器模组及电子设备制造技术

本申请提供一种光电二极管、投射器模组及电子设备。光电二极管包括本体、隔离件。本体包括第一电极层、第一、第二、第三类型半导体层、第二电极层。第一电极、第一类型半导体层及第二类型半导体层依次层叠设置，第三类型半导体层嵌设在第二类型半导体层内背离第一类型半导体层的一侧或设置于第二类型半导体层背离第一类型半导体层的一侧，第二电极层设置于第三类型半导体层的表面并与第三类型半导体层电连接。本体具有底面及与底面相连的侧面，底面包括第一电极层背离第一类型半导体层的表面。隔离件对应于侧面设置，隔离件用于防止光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时，导电胶体粘覆于侧面。本申请的光电二极管具有较高的良率。

Photodiodes, projector modules and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
光电二极管、投射器模组及电子设备
本申请涉及电子
，尤其是涉及一种光电二极管、投射器模组及电子设备。
技术介绍
光电二极管是一种对光功率敏感的电子传感器，在对成像技术的光源监控中，光电二极管的应用是目前主流的技术手段。当光电二极管封装于电路中时，光电二极管的正极用导电金属线连入电路，负极板用导电胶体粘接并导通于基板电路中。光电二极管除负极板表面外，其余面均能够接收红外光，光电二极管将接收的红外光转换为电信号。但在实际使用光电二极管过程中，即使是同一批号的产品其检测效果也会出现明显的差异，专利技术人经过研究发现：该差异的出现是因为在光电二极管封装过程中，由于导电胶体具有流动性，容易发生光电二极管的侧壁形成导电胶体爬胶的现象，而由于每个产品使用的胶量是不同的，进而使得爬胶面积有所不同，最终使得不同产品中的光电二极管受光面积存在差异，导致入射至所述光电二极管的红外光的光功率值与光电二极管所接收到的红外光功率值存在差异，使产品良率降低。
技术实现思路
为了解决光电二极管封装于电路中，产生爬胶现象导致入射至所述光电二极管的红外光的光功率值与光电二极管所接收到的红外光功率值存在差异，使产品良率降低的问题，本申请提供了一种光电二极管。第一方面，本申请提供了一种光电二极管，所述光电二极管包括本体、及隔离件，所述本体包括：第一电极层；第一类型半导体层，设置于所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层电连接；第二类型半导体层，设置于所述第一类型半导体层背离所述第一电极层的一侧；第三类型半导体层，嵌设在所述第二类型半导体层内背离所述第一类型半导体层的一侧或设置于所述第二类型半导体层背离所述第一类型半导体层的一侧；及第二电极层，设置于所述第三类型半导体层的表面并与所述第三类型半导体层电连接；所述本体具有底面及与所述底面相连的侧面，所述底面包括所述第一电极层背离所述第一类型半导体层的表面；所述隔离件至少部分对应于所述侧面设置，所述隔离件用于防止所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时，所述导电胶体粘覆于所述侧面。由于本申请提供的所述光电二极管中的所述隔离件对应于所述本体的所述侧面设置，所述隔离件起到防止所述导电胶体对所述侧面产生的爬胶现象，使得入射至所述光电二极管的红外光的光功率值与光电二极管所接收到的红外光功率值一致，提升了所述光电二极管在生产制备上的良率。第二方面，本申请提供了一种投射器模组，所述投射器模组包括电路板、发射器、及第一方面所述的光电二极管，所述电路板与所述光电二极管通过所述导电胶体电连接。第三方面，本申请提供了一种电子设备，所述电子设备包括处理器、及第二方面所述的投射器模组，所述处理器用于接收所述投射器模组中的所述光电二极管发送的电信号，并根据所述电信号判断所述红外光功率是否处于安全范围内。附图说明为了更清楚的说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请第一实施方式提供的光电二极管俯视图。图2为一实施方式中图1沿I-I线的剖视图。图3为一实施方式提供的光电二极管封装示意图。图4为一实施方式中隔离件的剖面示意图。图5为本申请第二实施方式提供的光电二极管剖视图。图6为本申请一实施例提供的隔离件的局部放大图。图7为本申请第三实施方式提供的光电二极管的剖视图。图8为本申请第四实施方式提供的光电二极管的剖视图。图9为本申请一实施例提供的投射器模组示意图。图10为本申请一实施例提供的电子设备的框架示意图。图11为本申请一实施例提供的电子设备示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。请一并参阅图1及图2，图1为本申请第一实施方式提供的光电二极管俯视图；图2为一实施方式中图1沿I-I线的剖视图。所述光电二极管120包括本体12、及隔离件127。所述本体12包括第一电极层121、第一类型半导体层122、第二类型半导体层123、第三类型半导体层124、第二电极层125。所述第一类型半导体层122设置于所述第一电极层121的一侧，且与所述第一电极层121电连接。所述第二类型半导体层123设置于所述第一类型半导体层122背离所述第一电极层121的一侧。所述第三类型半导体层124嵌设在所述第二类型半导体层123内背离所述第一类型半导体层122的一侧，或者，所述第三类型半导体层124设置于所述第二类型半导体层123背离所述第一类型半导体层122的一侧。所述第二电极层125设置于所述第三类型半导体层124的表面并与所述第三类型半导体层124电连接。所述本体12具有底面12b及与所述底面12b相连的侧面12a，所述底面12b包括所述第一电极层121背离所述第一类型半导体层122的表面。所述隔离件127至少部分对应于所述侧面12a设置，所述隔离件127用于防止所述光电二极管120通过导电胶体电连接于电路板上时，所述导电胶体粘覆于所述侧面12a。在本实施方式的示意图中以所述第三类型半导体层124嵌设在所述第二类型半导体层123内，为例进行示意。具体的，所述第一电极层121与所述第二电极层125的材料可以为金属材料，也可以为非金属导电材料，例如石墨、硅等材料。在一种可能的实施方式中，所述第一电极层121为阴极，所述第二电极层125为阳极，相应的，所述第一类型半导体层122为掺杂有N型杂质的半导体结构，所述第二类型半导体层123为不掺杂的本征半导体I结构，所述第三类型半导体层124为掺杂有P型杂质的半导体结构。在另外一种可能的实施方式中，所述第一电极层121为阳极，所述第二电极层125为阴极，相应的，所述第一类型半导体层122为掺杂有P型杂质的半导体结构，所述第二类型半导体层123为不掺杂的本征半导体I结构，所述第三类型半导体层124为掺杂有N型杂质的半导体结构。在本实施方式中，以所述第一电极层121为阴极，所述第二电极层125为阳极为例进行示意。具体的，当所述光电二极管120通过导电胶体粘接并电连接于电路板中时，所述隔离件127用于隔离所述导电胶体，从而防止所述导电胶体对所述本体12的所述侧面12a产生的爬胶现象，使得入射至所述光电二极管120的红外光的光功率值与所述光电二极管120所接收到的红外光功率值一致，提升了所述光电二极管120的良率。下面以所述第一电极层121为阴极，所述第二电极层125为阳极，所述第一类型半导体层122为掺杂有N型杂质的半导体结构，所述第二类型半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括本体、及隔离件，所述本体包括：/n第一电极层；/n第一类型半导体层，设置于所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层电连接；/n第二类型半导体层，设置于所述第一类型半导体层背离所述第一电极层的一侧；/n第三类型半导体层，嵌设在所述第二类型半导体层内背离所述第一类型半导体层的一侧或设置于所述第二类型半导体层背离所述第一类型半导体层的一侧；及/n第二电极层，设置于所述第三类型半导体层的表面并与所述第三类型半导体层电连接；/n所述本体具有底面及与所述底面相连的侧面，所述底面包括所述第一电极层背离所述第一类型半导体层的表面；/n所述隔离件至少部分对应于所述侧面设置，所述隔离件用于防止所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时，所述导电胶体粘覆于所述侧面。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括本体、及隔离件，所述本体包括：
第一电极层；
第一类型半导体层，设置于所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层电连接；
第二类型半导体层，设置于所述第一类型半导体层背离所述第一电极层的一侧；
第三类型半导体层，嵌设在所述第二类型半导体层内背离所述第一类型半导体层的一侧或设置于所述第二类型半导体层背离所述第一类型半导体层的一侧；及
第二电极层，设置于所述第三类型半导体层的表面并与所述第三类型半导体层电连接；
所述本体具有底面及与所述底面相连的侧面，所述底面包括所述第一电极层背离所述第一类型半导体层的表面；
所述隔离件至少部分对应于所述侧面设置，所述隔离件用于防止所述光电二极管通过导电胶体电连接于电路板上时，所述导电胶体粘覆于所述侧面。


2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述隔离件包括第一隔离部、及与所述第一隔离部的周缘弯折相连的第二隔离部，所述第一隔离部及所述第二隔离部形成收容空间，所述收容空间用于收容所述本体，且所述第一隔离部对应所述底面设置，所述第二隔离部对应所述侧面设置。


3.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述第二隔离部与所述侧面之间具有间隙。


4.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述第一隔离部包括导电部，所述导电部与所述第一电极层电连接。


5.如权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志，毛信贤，
申请(专利权)人：南昌欧菲生物识别技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36