一种晶片沟槽腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种晶片沟槽腐蚀装置，包括，腐蚀槽，腐蚀槽内注入酸性洗液；翻转机构，翻转机构设置在腐蚀槽上部，翻转机构包括翻转辊和设置在翻转辊上的转动机构；转动机构，转动机构包括承载部和活动设置在承载部一侧顶端的盖体，承载部上设有若干开孔，盖体上也设有若干开孔，承载部内设有放置槽，转动机构还包括驱动部，驱动部设置在翻转辊上且与承载部连接。采用上述结构后，通过翻转辊将转动机构翻转至腐蚀槽内，然后利用转动机构自身的转动带动其内的晶片转动，实现晶片上的沟槽与酸性洗液充分接触，提高对晶片沟槽的腐蚀效果。

A etching device for wafer grooves

【技术实现步骤摘要】
一种晶片沟槽腐蚀装置
本技术涉及一种晶片生产设备，尤其是涉及一种晶片沟槽腐蚀装置。
技术介绍
沟槽结构在现今的半导体技术中得到较为广泛的应用。例如，沟槽可作为隔离结构以隔绝不同操作电压的电子器件。将其应用于硅锗双极互补金属氧化半导体工艺中可以减小基片NPN三极管的电容，提高器件的频率特性。又如，深沟槽可应用于超级结MOS晶体管，作为PN结通过耗尽态的电荷平衡达到高击穿电压性能。如果仅仅对晶片进行沟槽刻蚀，而未进行进一步腐蚀，晶片中的单片，即片与片沟槽什么一致性没这么好，各个单片的稳定性差。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术提供了一种晶片沟槽腐蚀装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶片沟槽腐蚀装置，包括，腐蚀槽，所述腐蚀槽内注入酸性洗液；翻转机构，所述翻转机构设置在腐蚀槽上部，所述翻转机构包括翻转辊和设置在翻转辊上的转动机构；转动机构，所述转动机构包括承载部和活动设置在承载部一侧顶端的盖体，所述承载部上设有若干开孔，所述盖体上也设有若干开孔，所述承载部内设有放置槽，所述转动机构还包括驱动部，所述驱动部设置在翻转辊上且与承载部连接。在本技术的一个较佳实施例中，承载部中部设有隔板，所述隔板将承载部分为若干腔室。在本技术的一个较佳实施例中，放置槽内设有晶片放置篮。在本技术的一个较佳实施例中，与盖体相对的承载部侧壁处还设有用于固定盖体的卡扣。在本技术的一个较佳实施例中，所述晶片放置篮内设有若干分隔槽。本技术的有益效果是：采用上述结构后，通过翻转辊将转动机构翻转至腐蚀槽内，然后利用转动机构自身的转动带动其内的晶片转动，实现晶片上的每个沟槽与酸液充分接触，提升了晶片上每个沟槽的腐蚀深度的一致性，晶片放置蓝在酸液的自转，使晶粒腐蚀后的酸液及时交换，保持了酸液温度的稳定性。附图说明图1是本技术结构示意图；图2是本技术晶片放置篮结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图1和图2所示一种晶片沟槽腐蚀装置，包括，腐蚀槽1，腐蚀槽1内注入酸性洗液；翻转机构2，翻转机构2设置在腐蚀槽1上部，翻转机构2包括翻转辊201和设置在翻转辊201上的转动机构，翻转辊201通过翻转驱动部驱动；转动机构，转动机构包括承载部301和活动设置在承载部301一侧顶端的盖体302，承载部301上设有若干开孔303，盖体302上也设有若干开孔303，承载部301内设有放置槽3011，放置槽3011内设有晶片放置篮4，转动机构还包括驱动部304，驱动部304设置在翻转辊201上且与承载部301连接。将待腐蚀沟槽的晶片防止在晶片放置篮4内，然后将晶片放置篮放入承载部301上的放置槽3011内，将盖体302盖合在放置槽3011顶端处，实现对晶片放置篮的固定，然后利用翻转机构驱动部驱动翻转机构2的转动，翻转机构2带动转动机构翻转至腐蚀槽1内，利用酸性洗液实现对晶片放置篮4内晶片沟槽的腐蚀；由于在盖体302和承载部301上均设有若干开孔303，使得承载部内的晶片可以充分与腐蚀槽内酸性洗液充分接触，实现晶片的有效腐蚀；通过驱动部304驱动承载部转动，带动其内的晶片放置篮即晶片的转动，实现晶片各个部分与酸性洗液的充分有效均匀接触，提高腐蚀效果。承载部301中部设有隔板3012，隔板3012将承载部上的放置槽3011分为若干腔室3013，各个腔室3013均可对应放置晶片放置篮，便于固定晶片放置篮。与盖体302相对的承载部301侧壁处还设有用于固定盖体的卡扣3014，卡扣3014用于实现对盖体302的固定，避免盖体302在承载部301翻转过程中与承载部301脱离，导致承载部内的晶片放置篮掉出。晶片放置篮4内设有若干分隔槽401，便于将各个晶片单独对应放置在各个分隔槽内，保证各个晶片上的沟槽与酸性洗液充分接触，提高腐蚀效果。需要强调的是：以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片沟槽腐蚀装置，其特征在于，包括，/n腐蚀槽，所述腐蚀槽内注入酸性洗液；/n翻转机构，所述翻转机构设置在腐蚀槽上部，所述翻转机构包括翻转辊和设置在翻转辊上的转动机构；/n转动机构，所述转动机构包括承载部和活动设置在承载部一侧顶端的盖体，所述承载部上设有若干开孔，所述盖体上也设有若干开孔，所述承载部内设有放置槽，所述转动机构还包括驱动部，所述驱动部设置在翻转辊上且与承载部连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片沟槽腐蚀装置，其特征在于，包括，
腐蚀槽，所述腐蚀槽内注入酸性洗液；
翻转机构，所述翻转机构设置在腐蚀槽上部，所述翻转机构包括翻转辊和设置在翻转辊上的转动机构；
转动机构，所述转动机构包括承载部和活动设置在承载部一侧顶端的盖体，所述承载部上设有若干开孔，所述盖体上也设有若干开孔，所述承载部内设有放置槽，所述转动机构还包括驱动部，所述驱动部设置在翻转辊上且与承载部连接。


2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王道强，张勇，
申请(专利权)人：扬州虹扬科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32