【技术实现步骤摘要】
一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路
本技术属于测量检测
，更具体地说，是涉及一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，即为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT的饱和电压降(VCEsat)是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，VCE会急剧上升，一般当VCE大于饱和压降10us左右，IGBT就会损坏；另外，IGBT的动态功耗，即工作过程中电流通过IGBT，IGBT等效导通电阻发热导致的能量损耗，同样是衡量IGBT性能的参数之一。而IGBT的导通电阻的大小可以由IGBT的饱...
【技术保护点】
1.一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路，其特征在于，包括待测IGBT，所述待测IGBT的栅极输入饱和电压，所述待测IGBT的漏极接地，还包括电流镜单元、充放电单元以及限流保护单元；/n所述电流镜单元具有电源端、控制端以及输出端，所述电流镜单元的电源端输入第一电流，所述电流镜单元的控制端输入执行信号；/n所述充放电单元具有充电端、放电端以及接地端，所述充放电单元的充电端输入充电电流；/n所述限流保护单元具有控制端、输入端以及输出端，所述限流保护单元的控制端耦接于所述电流镜单元的输出端，所述限流保护单元的输入端耦接于所述充放电单元的放电端，所述限流保护单元的输出端耦接于所...
【技术特征摘要】
1.一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路，其特征在于，包括待测IGBT，所述待测IGBT的栅极输入饱和电压，所述待测IGBT的漏极接地，还包括电流镜单元、充放电单元以及限流保护单元；
所述电流镜单元具有电源端、控制端以及输出端，所述电流镜单元的电源端输入第一电流，所述电流镜单元的控制端输入执行信号；
所述充放电单元具有充电端、放电端以及接地端，所述充放电单元的充电端输入充电电流；
所述限流保护单元具有控制端、输入端以及输出端，所述限流保护单元的控制端耦接于所述电流镜单元的输出端，所述限流保护单元的输入端耦接于所述充放电单元的放电端，所述限流保护单元的输出端耦接于所述待测IGBT的源极；所述电流镜单元用于：所述电流镜单元的控制端若输入执行信号，则输出第二电流到所述限流保护单元和输出控制信号到所述充放电单元的放电端；
所述充放电单元用于：所述充放电单元的放电端若接收所述控制信号，则输出放电电流到所述限流保护单元；
所述限流保护单元用于：所述限流保护单元同时接收所述放电电流和所述第二电流时，所述限流保护单元输出检测电流。
2.如权利要求1所述的一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一开关单元，所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端均输入所述第一电流，所述第一电阻的另外一端和所述第二电阻的另外一端分别耦接于所述第一PNP三极管的发射极和所述第二PNP三极管的发射极，所述第一PNP三极管的基极耦接于所述第二PNP三极管的基极，所述第一PNP三极管的集电极耦接于第三电阻的一端，所述第二PNP三极管的集电极耦接于所述限流保护单元的控制端，所述第一PNP三极管的基极和所述第二PNP三极管的基极之间设有第一节点，所述第一PNP三极管的发射极和所述第三电阻之间设有第二节点，所述第一节点和所述第二节点相连，所述第一开关单元的第一端耦接于所述第三电阻的另一端，所述第一开关单元的第二端接地，所述第一开关单元的第三端连接于所述执行信号。
3.如权利要求2所述的一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路，其特征在于，所述第一开关单元为第一NPN三极管，所述第一NPN三极管的基极连接于所述执行信号，所述第一NPN三极管的集电极耦接于所述第三电阻的另外一端，所述第一NPN三极管的发射极接地。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄俭，高存旗，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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