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本实用新型提供了一种高压IGBT器件的饱和电压降测量电路，包括待测IGBT，待测IGBT的栅极输入饱和电压，待测IGBT的漏极接地，还包括电流镜单元、充放电单元以及限流保护单元；电流镜单元具有电源端、控制端以及输出端，电流镜单元的电源端输入...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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