【技术实现步骤摘要】
一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置
本专利技术涉及真空磁控溅射镀膜
，具体涉及一种磁控溅射中助吸靶原子的装置。
技术介绍
磁控溅射是物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。目前的磁控溅射镀膜仪中，溅射出的靶原子只有小部分能够沉积到基片上，剩下的都被真空泵抽走，尤其对于相对质量比较小的靶原子来说，更容易被抽走，因此大大制约了镀膜的效率。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，以实现提高镀膜的效率。本专利技术技术方案如下:一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆型密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述升降台外表面设有基准刻度线...
【技术保护点】
1.一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室（3）、设置真空腔室（3）顶部的密封盖（4）、穿设在密封盖（4）上的升降台（5）及固定设置在升降台（5）上的助吸装置（2），所述助吸装置（2）包括吸环（11）、连管（10）及半圆形密封盘（9），所述吸环（11）上均匀分布吸气孔（16），所述连管（10）与吸环（11）相连通，所述半圆型密封盘（9）设置在连管（10）端部位置，所述吸环（11）表面相对位置处设有支撑块（14），所述支撑块（14）上设有紧固螺钉（15），并通过紧固螺钉（15）与升降台（5）相连。/n
【技术特征摘要】
1.一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室（3）、设置真空腔室（3）顶部的密封盖（4）、穿设在密封盖（4）上的升降台（5）及固定设置在升降台（5）上的助吸装置（2），所述助吸装置（2）包括吸环（11）、连管（10）及半圆形密封盘（9），所述吸环（11）上均匀分布吸气孔（16），所述连管（10）与吸环（11）相连通，所述半圆型密封盘（9）设置在连管（10）端部位置，所述吸环（11）表面相对位置处设有支撑块（14），所述支撑块（14）上设有紧固螺钉（15），并通过紧固螺钉（15）与升降台（5）相连。
2.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：马毅，谢续友，黄先伟，俞越翎，张泰华，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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