一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，包括内圈盖板和承载座；所述内圈盖板顶部设有提拉把手，内圈盖板的外边缘为倾斜边，在倾斜边上均匀分布有三个凹弧面，内圈盖板底部设有内定位台和一圈外定位台，所述外定位台与内定位台之间为凹槽结构，在凹槽结构两侧设有插台，在内定位台中部设有一定位槽；所述承载座包括座体，在座体内设有一圈承载内台，在承载内台上设有与三个凹弧面相对应的凹弧槽体，所述承载内台与座体的侧壁形成一承载槽，在承载内台内部凹设有圆形限位凹槽，所述圆形限位凹槽的两侧设有插槽；所述内圈盖板盖在承载内台上。本申请治具具有使用方便、精度高、可重复使用、节省人力及物料成本等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具
本技术涉及一种洗净熔射遮蔽治具，具体说是一种半导体设备氮化钨物理气相沉淀装置沉积环部件洗净熔射保护治具。
技术介绍
目前在对半导体沉积环进行洗净再生工艺中，需要进行部件表面的熔射处理。在此工序中需要采用耐高温胶带对部件非熔射的表面进行保护。用胶带保护时，每次都要将胶带根据部件所需要遮蔽的范围进行剪切，操作占用时间较多，采用人工胶带遮蔽方式无法保证熔射区域的精度，胶带无法重复利用，增加生产成本；而且用胶带保护内部会有不同程度残胶留在表面，造成产品的不良。
技术实现思路
为解决现有技术存在上述问题，本申请提供一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，用于代替耐高温胶带对部件的非熔射部分进行遮蔽保护，其使用方便、精度高、可重复使用、节省人力及物料成本。为实现上述目的，本申请的技术方案为：一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，包括内圈盖板和承载座；所述内圈盖板顶部设有提拉把手，内圈盖板的外边缘为倾斜边，在倾斜边上均匀分布有三个凹弧面，内圈盖板底部设有内定位台和一圈外定位台，所述外定位台与内定位台之间为凹槽结构，在凹槽结构两侧设有插台，在内定位台中部设有一定位槽；承载座包括座体，在座体内设有一圈承载内台，在承载内台上设有与三个凹弧面相对应的凹弧槽体，所述承载内台与座体的侧壁形成一承载槽，在承载内台内部凹设有圆形限位凹槽，所述圆形限位凹槽的两侧设有插槽；所述内圈盖板盖在承载内台上。进一步的，所述外定位台位于内圈盖板底部外周，内定位台位于内圈盖板底部中心区域。进一步的，所述内圈盖板和承载座采用不锈钢材质。进一步的，所述插台穿过待洗净熔射部品的通孔与插槽相连。进一步的，待洗净熔射部品中间凸起部位位于内圈盖板定位槽中。本技术由于采用以上技术方案，能够取得如下的技术效果：与现有技术相比，由于是治具保护，每次保护精度都相同，产品不良率大大降低，且对于被保护的部件表面不会留下残胶，污垢等副产物。可代替人工用耐热胶带遮蔽部件的非熔射区域，其使用方便，精度高，节省人力及物料成本。采用不锈钢材质，尺寸稳定，耐高温不变形，可以多次重复使用。附图说明图1为内圈盖板俯视图；图2为内圈盖板剖视图；图3为承载座结构示意图；图4为承载座剖视图；图5为本申请治具俯视图；图6为本申请治具剖视图；图中序号说明：1、提拉把手，2、倾斜边，3、凹弧面，4、外定位台，5、插台，6、内定位台，7、定位槽，8、凹槽结构，9、承载内台，10、凹弧槽体，11、圆形限位凹槽，12、插槽，13、承载槽，14、内圈盖板，15、承载座。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细的描述：以此为例对本申请做进一步的描述说明。如图1-6所示，本实施例提供一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，包括内圈盖板和承载座；所述内圈盖板顶部设有提拉把手，内圈盖板的外边缘为倾斜边，在倾斜边上均匀分布有三个凹弧面，内圈盖板底部设有内定位台和一圈外定位台，所述外定位台与内定位台之间为凹槽结构，在凹槽结构两侧设有插台，在内定位台中部设有一定位槽；承载座包括座体，在座体内设有一圈承载内台，在承载内台上设有与三个凹弧面相对应的凹弧槽体，所述承载内台与座体的侧壁形成一承载槽，在承载内台内部凹设有圆形限位凹槽，所述圆形限位凹槽的两侧设有插槽；所述内圈盖板盖在承载内台上。将待洗净熔射部品放置在承载座上，承载座位于工作台中，将其部品的三个凸出位置用胶带保护，把内圈盖板放置在部品上，此时外定位台与部品的内圈贴合，部品的凸起部位置于定位槽中，插台穿过待洗净熔射部品的通孔与插槽相连，确保治具已经定位，利用内圈盖板的倾斜边用刀片将多余的胶带去除，待胶带去除后，将内圈盖板的三个凹弧面、承载座的三个凹弧槽体与部品的三个凸出位置重合，露出需要洗净熔射的区域。熔射后将内圈盖板取下，将治具清洗后可重复实用。以上所述，仅为本技术创造较佳的具体实施方式，但本技术创造的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术创造披露的技术范围内，根据本技术创造的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术创造的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，其特征在于，包括内圈盖板和承载座；所述内圈盖板顶部设有提拉把手，内圈盖板的外边缘为倾斜边，在倾斜边上均匀分布有三个凹弧面，内圈盖板底部设有内定位台和一圈外定位台，所述外定位台与内定位台之间为凹槽结构，在凹槽结构两侧设有插台，在内定位台中部设有一定位槽；所述承载座包括座体，在座体内设有一圈承载内台，在承载内台上设有与三个凹弧面相对应的凹弧槽体，所述承载内台与座体的侧壁形成一承载槽，在承载内台内部凹设有圆形限位凹槽，所述圆形限位凹槽的两侧设有插槽；所述内圈盖板盖在承载内台上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，其特征在于，包括内圈盖板和承载座；所述内圈盖板顶部设有提拉把手，内圈盖板的外边缘为倾斜边，在倾斜边上均匀分布有三个凹弧面，内圈盖板底部设有内定位台和一圈外定位台，所述外定位台与内定位台之间为凹槽结构，在凹槽结构两侧设有插台，在内定位台中部设有一定位槽；所述承载座包括座体，在座体内设有一圈承载内台，在承载内台上设有与三个凹弧面相对应的凹弧槽体，所述承载内台与座体的侧壁形成一承载槽，在承载内台内部凹设有圆形限位凹槽，所述圆形限位凹槽的两侧设有插槽；所述内圈盖板盖在承载内台上。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱光宇，陈智慧，张正伟，李泓波，贺贤汉，
申请(专利权)人：富乐德科技发展大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21