改善刻蚀腔体缺陷的方法技术

本申请公开了一种改善刻蚀腔体缺陷的方法，该方法包括：步骤1，通过ESC对第一预定数量的目标片体分别执行夹持和释放动作，实现ESC的老化处理；步骤2，在ESC依次夹持第二预定数量的目标片体的过程中，对ESC的边缘进行清洁；步骤3，循环执行步骤1和步骤2预定次数。本申请通过对ESC的老化处理和边缘清洁，改善了ESC的粗糙度，有利于去除表面的颗粒，提高了更换新ESC的PM成功率，降低了晶圆蚀刻的缺陷率。

Methods to improve the defect of etched cavity

【技术实现步骤摘要】
改善刻蚀腔体缺陷的方法
本申请涉及微电子
，具体涉及一种改善刻蚀腔体缺陷的方法。
技术介绍
干法刻蚀是使者物理方法有选择地从半导体衬底表面去除不需要材料的过程，是完成光刻工艺后复制掩膜图案的关键步骤。一体化(all-in-one，AIO)刻蚀工艺是指将通孔刻蚀、去光阻以及沟槽刻蚀三个步骤在同一个工艺步骤中完成。通常，进行AIO刻蚀工艺的刻蚀腔体包括静电卡盘(ElectrostaticChuck，ESC)用于夹持和释放晶圆。以东电电子公司(TOKYOELECTRONLTD.，TEL)推出的AIO刻蚀腔体Vigus型号的刻蚀腔体为例，新安装(以下简称“新装”)ESC后，Vigus刻蚀腔体在前两个预防性维护(PreventiveMaintenance，PM)周期的产线生产(inline)和设备维护(offline)中的颗粒(Particle，PA)检测结果较差。参考图1，新装ESC的Vigus刻蚀腔体在前两个PM周期的inline和offline中的PA检测结果较差的原因在于：新装的ESC表面状态较粗糙，颗粒(例如聚合物)不易完本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善刻蚀腔体缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：/n步骤1，通过ESC对第一预定数量的目标片体分别执行夹持和释放动作，实现所述ESC的老化处理；/n步骤2，在所述ESC依次夹持第二预定数量的目标片体的过程中，对所述ESC的边缘进行清洁；/n步骤3，循环执行所述步骤1和所述步骤2预定次数。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善刻蚀腔体缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤1，通过ESC对第一预定数量的目标片体分别执行夹持和释放动作，实现所述ESC的老化处理；
步骤2，在所述ESC依次夹持第二预定数量的目标片体的过程中，对所述ESC的边缘进行清洁；
步骤3，循环执行所述步骤1和所述步骤2预定次数。


2.根据权利要求1所述的改善新装ESC缺陷的方法，其特征在于，所述步骤1中的第一预定数量为20～70片。


3.根据权利要求1所述的改善新装ESC缺陷的方法，其特征在于，所述步骤2中的第二预定数量为5～20片。


4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭享，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31