The utility model discloses a frequency tunable high sensitivity carbon nanotube quantum dot THz detector, which comprises a source, a drain, a channel, an n-type doping region, a gate oxide layer, a substrate and a gate, and the substrate adopts a GaInNAs heterojunction substrate; the gate oxide layer is located above the substrate, and the channel is located above the gate oxide layer, and the channel is made of carbon nanotube quantum dots, and the channel The gate is located between the source and the drain, and there is an n-type doping area between the channel and the source, and there is also an n-type doping area between the channel and the drain; the gate is a side gate, and the gate is located on the side of the channel; the source and the drain adopt Al film. The utility model has higher sensitivity, stronger frequency selectivity and higher working temperature, which indicates that the structure has better terahertz photon detection ability.
【技术实现步骤摘要】
一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器
本专利技术属于纳米碳管量子点器件领域，涉及单壁纳米碳管量子点(CNT-QD)。
技术介绍
太赫兹(Terahertz,THz)通常是指频率在0.1～10THz的电磁波。其发展主要依靠电子学科学技术；而它的短波段与红外线相重合，其发展主要依靠光子学科学技术，可见太赫兹波是宏观电子学向微观光子学过渡的频段，在电磁波频谱中占有很特殊的位置。太赫兹(THz)范围内的高灵敏度和频率可调谐探测器在各种研究领域中都有很强的需求，如射电天文学、生物化学光谱学、医学和固体物理学。然而THz波的光子能量(通常为10meV)比可见光的光子能量低两到三个数量级，因此使得高性能THz探测器的开发成为一项艰巨的任务。然而，纳米级器件制造的最新进展开辟了显著增强探测器性能的可能性。量子点(QuantumDot)是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。这种约束可以归结于静电势(由外部的电极，掺杂，应变，杂质产生)，两种不同半导体材料的界面(例如：在自组量子点中)，半导体的表面(例...
【技术保护点】
1.一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，其特征在于，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，其特征在于，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。
2.根据权利要求1所述的频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宸观，渠开放，王伟，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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