The invention provides a heater unit with a thin diameter sheath heater whose reliability is improved. The heater unit includes: a first substrate and a second substrate which are mutually bonded; a groove arranged on at least one side of the joint surface of the first substrate and the second substrate; and a sheath heater arranged on the inner side of the groove, wherein the sheath heater includes: a metal sheath; a heating wire arranged in the metal sheath in a way with a gap, in a strip shape, and With respect to the axial rotation configuration of the metal sheath, the insulating material is arranged in the gap, and the connecting terminal is arranged at one end of the metal sheath, respectively electrically connected with the two ends of the heating wire.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热器单元
本专利技术涉及加热器单元。尤其涉及装载有在半导体装置的制造工艺中使用的护套加热器(sheathheater)的加热器单元。
技术介绍
半导体装置装载在几乎所有电子设备上,并且对电子设备功能起到重要的作用。在半导体装置的制造工艺中,通过在半导体基板上成膜和加工薄膜来形成晶体管元件、配线、电阻元件、电容元件等的功能元件。作为半导体基板上形成薄膜的方法,使用有化学气相沉积(CVD:ChemicalVaporDeposition)法、物理气相沉积(PVD:PhysicalVaporDeposition)法、原子层沉积法(ALD:AtomicLayerDeposition)等。此外,作为加工薄膜的方法,使用有反应性离子蚀刻(RIE:ReactiveIonEtching)法、机械抛光(MP:MechanicalPolishing)、化学机械抛光(CMP:ChemicalMechanicalPolishing)等。此外,在半导体装置的制造工艺中,除了薄膜的成膜和加工之外,还进行等离子体处理等的表面处理工艺。在上述成膜、加工和表面处理工艺中,许多反应条件决定了薄膜的特性,其中之一是半导体基板的温度。在大多数的情况下,通过调节其上设置半导体基板的载置台(以下,称为“工作台(stage)”)的温度来控制半导体基板的温度。为了调节工作台的温度,作为加热机构的护套加热器以曲折或螺旋形状埋设工作台中。例如,专利文献1公开了在单个金属管状的护套内具备有多个发热线的护套加热器。通常,其目的在于,使用多个发热线中的一根来 ...
【技术保护点】
1.一种加热器单元,包括:/n相互接合的第一基材和第二基材;/n槽,设置于上述第一基材与上述第二基材的接合面的至少一方;以及/n护套加热器,配置于上述槽的内侧,其特征在于,/n上述护套加热器包括:/n金属护套;/n发热线,以具有间隙的方式配置于上述金属护套内,呈带状,并且相对于上述金属护套的轴方向旋转而配置;/n绝缘材料,配置于上述间隙;以及/n连接端子,配置于上述金属护套的一端,分别与上述发热线的两端电连接。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170412 JP 2017-0789501.一种加热器单元,包括:
相互接合的第一基材和第二基材;
槽,设置于上述第一基材与上述第二基材的接合面的至少一方;以及
护套加热器,配置于上述槽的内侧,其特征在于,
上述护套加热器包括:
金属护套;
发热线,以具有间隙的方式配置于上述金属护套内,呈带状,并且相对于上述金属护套的轴方向旋转而配置;
绝缘材料,配置于上述间隙;以及
连接端子,配置于上述金属护套的一端,分别与上述发热线的两端电连接。
2.根据权利要求1所述的加热器单元,其特征在于,
上述发热线在上述金属护套内成为双轴的区域中配置成双螺旋结构。
3.根据权利要求1所述的加热器单元,其特征在于,
上述护套加热器配置有多个,且分别被独立控制。
4.根据权利要求1所述的加热...
【专利技术属性】
技术研发人员:花待年彦,关谷健二,高原刚,相川尚哉,木皿祐太,巽新,
申请(专利权)人:日本发条株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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