5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，包括如下步骤，在双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；S3，对微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；S4，在双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；S5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体；S6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于微通孔区域的铜质；S7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔；S8，对单面覆铜改性PI基材上的盲孔进行镀铜填孔处理。本发明专利技术提供的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，极大的降低盲孔的加工和盲孔孔化难度，保证了大批量制作可行性。

Fabrication technology of 5g high frequency and high speed four layer flexible circuit board

The invention discloses a manufacturing process of 5g high-frequency high-speed four layer flexible circuit board, which comprises the following steps: drilling micro through holes on the preset positions of the double-sided copper-clad modified PI base material; S3, processing the micro through holes successively with black holes and copper plating filling holes; S4, manufacturing the inner layer circuit on the copper surface of the double-sided copper-clad modified PI base material; S5, processing the double-sided copper-clad modified PI base material and two single-sided copper-clad modified PI base materials The lamination is obtained by bonding and pressing; S6, selective etching is carried out on the single-sided copper-clad modified PI base material to remove the copper in the micro through hole area corresponding to the single-sided copper-clad modified PI base material; S7, blind holes are drilled in the exposed base material area of the single-sided copper-clad modified PI base material; S8, the blind holes on the single-sided copper-clad modified PI base material are filled with copper. The manufacturing process of 5g high frequency high speed four layer flexible circuit board provided by the invention greatly reduces the difficulty of blind hole processing and blind hole drilling, and ensures the feasibility of mass production.

【技术实现步骤摘要】
5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺
本专利技术涉及电路板
，尤其涉及5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺。
技术介绍
5G的商用对高频高速电路板的需求剧增，在5G高频高速四层挠性电路板产品上第二层与第四层间需要导通，5G高频高速四层挠性电路板的基材需采用改性PI(聚酰亚胺膜)材料，第二层和第四层间介质层总厚度为181微米(外层PI厚50微米、粘接胶厚50微米、内层基材PI厚75微米，内层导通铜厚6微米)。目前业界激光钻盲孔的钻孔深度很难达到181微米，以致带有此类盲孔的5G高频高速四层挠性电路板产品无量产的可行性，解决此类产品的盲孔加工和孔化制作技术瓶颈已是迫在眉睫！
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种能够实现大批量生产的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，包括如下步骤，S1，准备一块厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材以及两块厚度为50微米的单面覆铜改性PI基材；S2，在所述双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；S3，对所述微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；S4，在所述双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；S5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体，其中，所述双面覆铜改性PI基材位于两块单面覆铜改性PI基材之间；S6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔区域的铜质，以使单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔的基材区域外露；S7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔，所述盲孔连接所述双面覆铜改性PI基材的铜面；S8，对单面覆铜改性PI基材上的所述盲孔进行镀铜填孔处理。本专利技术的有益效果在于：先在厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材上钻微通孔，然后应用填孔电镀药水对微通孔进行填平，再在微通孔上完成一次积层盲孔，单面覆铜改性PI基材加纯胶总厚度为100微米(单面覆铜改性PI基材厚度为50微米、用于连接单面覆铜改性PI基材与双面覆铜改性PI基材的纯胶的厚度亦为50微米)，此深度(即100微米)在正常的盲孔加工和盲孔孔化工艺能力以内，实现了5G高频高速四层挠性电路板第二层和第四层层间互联导通，换言之，本专利技术通过先制作微通孔分解掉双面覆铜改性PI基材75微米介质层深度和6微米的内层线路铜层厚度，使深度超出工艺能力的盲孔降低到常规盲孔深度能力以内，极大的降低盲孔的加工和盲孔孔化难度，保证了大批量制作可行性，解决了5G产品导通孔高纵横比的技术瓶颈。附图说明图1为本专利技术实施例一中的双面覆铜改性PI基材的结构示意图；图2为本专利技术实施例一中的双面覆铜改性PI基材钻微通孔后的结构示意图；图3为本专利技术实施例一中的双面覆铜改性PI基材镀铜填孔后的结构示意图；图4为本专利技术实施例一中的双面覆铜改性PI基材制作内层线路后的结构示意图；图5为本专利技术实施例一中的叠构体的结构示意图；图6为本专利技术实施例一中的叠构体钻盲孔后的结构示意图；图7为本专利技术实施例一中的叠构体镀铜填孔后的结构示意图；图8为本专利技术实施例一中的叠构体制作外层线路后的结构示意图。标号说明：1、双面覆铜改性PI基材；2、微通孔；3、单面覆铜改性PI基材；4、叠构体；5、盲孔；6、长通孔。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。请参照图1至图8，5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，包括如下步骤，S1，准备一块厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材1以及两块厚度为50微米的单面覆铜改性PI基材3；S2，在所述双面覆铜改性PI基材1的预设位置上钻微通孔2；S3，对所述微通孔2依次进行黑孔、镀铜填孔处理；S4，在所述双面覆铜改性PI基材1的铜面上制作内层线路；S5，将双面覆铜改性PI基材1与两块单面覆铜改性PI基材3胶粘压合，得到叠构体4，其中，所述双面覆铜改性PI基材1位于两块单面覆铜改性PI基材3之间；S6，对单面覆铜改性PI基材3进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材3对应于所述微通孔2区域的铜质，以使单面覆铜改性PI基材3对应于所述微通孔2的基材区域外露；S7，在单面覆铜改性PI基材3的外露基材区域钻盲孔5，所述盲孔5连接所述双面覆铜改性PI基材1的铜面；S8，对单面覆铜改性PI基材3上的所述盲孔5进行镀铜填孔处理。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术通过先制作微通孔分解掉双面覆铜改性PI基材75微米介质层深度和6微米的内层线路铜层厚度，使深度超出工艺能力的盲孔降低到常规盲孔深度能力以内，极大的降低盲孔的加工和盲孔孔化难度，保证了大批量制作可行性，解决了5G产品导通孔高纵横比的技术瓶颈。另外，申请人实验发现如果在双面覆铜改性PI基材上设置盲孔而非微通孔，5G高频高速四层挠性电路板产品存在电性能不稳定的问题，原因在于在钻该盲孔时，盲孔底部的铜面会受到损伤或盲孔底部的铜面上有介质层残留，形成坏点，进而降低5G高频高速四层挠性电路板产品的电性能，因此，上述技术方案还具有保证5G高频高速四层挠性电路板电学性能的优点。进一步的，步骤S1之后还包括步骤S11，对所述双面覆铜改性PI基材1的铜面进行减铜处理，减铜后的铜面的厚度为6±1微米。进一步的，步骤S2中，采用激光灼烧的方式在双面覆铜改性PI基材1上钻微通孔2。由上述描述可知，激光灼烧钻孔具有加工精度高、加工速度快的优势。进一步的，步骤S2中，所述微通孔2的孔径为40±10微米。进一步的，步骤S3中，镀铜填孔处理后，所述双面覆铜改性PI基材1的铜面的厚度小于或等于20微米。进一步的，步骤S5之前还包括步骤S51，对所述双面覆铜改性PI基材1的板面和/或单面覆铜改性PI基材3的板面进行微蚀量小于或等于1微米的棕化处理。由上述描述可知，棕化处理能够使板面粗化，从而提高单面覆铜改性PI基材与双面覆铜改性PI基材之间的粘接力，进而提高5G高频高速四层挠性电路板的结构稳定性。进一步的，步骤S6中，所述选择性蚀刻的具体处理过程依次包括化学清洗、贴干膜、曝光、显影、蚀刻及退膜。进一步的，步骤S7之后还包括步骤S71，对叠构体4的外露孔位进行清洗以去除孔位内的胶渣。进一步的，步骤S71之前还包括步骤S70，在所述叠构体4上钻长通孔6。由上述描述可知，厂商可以根据实际需要选择是否进行步骤S70，当存在步骤S70时，步骤S71中的“孔位”指代的是所述长通孔与步骤S7中的所述盲孔；当不存在步骤S70时，步骤S71中的“孔位”指代的是步骤S7中的所述盲孔。进一步的，步骤S7中，所述盲孔5呈锥形，所述盲孔5的大径为120微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤，/nS1，准备一块厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材以及两块厚度为50微米的单面覆铜改性PI基材；/nS2，在所述双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；/nS3，对所述微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；/nS4，在所述双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；/nS5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体，其中，所述双面覆铜改性PI基材位于两块单面覆铜改性PI基材之间；/nS6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔区域的铜质，以使单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔的基材区域外露；/nS7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔，所述盲孔连接所述双面覆铜改性PI基材的铜面；/nS8，对单面覆铜改性PI基材上的所述盲孔进行镀铜填孔处理。/n

【技术特征摘要】
1.5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤，
S1，准备一块厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材以及两块厚度为50微米的单面覆铜改性PI基材；
S2，在所述双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；
S3，对所述微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；
S4，在所述双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；
S5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体，其中，所述双面覆铜改性PI基材位于两块单面覆铜改性PI基材之间；
S6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔区域的铜质，以使单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔的基材区域外露；
S7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔，所述盲孔连接所述双面覆铜改性PI基材的铜面；
S8，对单面覆铜改性PI基材上的所述盲孔进行镀铜填孔处理。


2.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S1之后还包括步骤S11，对所述双面覆铜改性PI基材的铜面进行减铜处理，减铜后的铜面的厚度为6±1微米。


3.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S2中，采用激光灼烧的方式在双面覆铜改性PI基材上钻微通孔。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振华，苏章泗，韩秀川，
申请(专利权)人：台山市精诚达电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44