The invention relates to the technical field of semiconductor devices, in particular to a superlattice quantum dot structure and a manufacturing method thereof, which aims to solve the problem that the substrate and compound semiconductor materials in the prior art have different lattice constants and thermal expansion coefficients, if the compound semiconductor materials are directly grown on the substrate, defects will be formed and further affect the growth quality and device performance, and the technical requirements thereof The dot comprises a substrate on which an active layer is epitaxially grown, and the active layer is provided with one or more layers of hetero quantum dot structures relative to one side of the substrate; the hetero quantum dot structure includes an induction layer and an interlayer arranged at intervals, and the interlayer is located near the substrate side compared with the induction layer of the same layer. The invention can effectively increase the size of the quantum dot, also can inhibit the formation of the coalescence, can effectively be used as an optical device or an electronic device to realize the passivation layer for blocking defects, and the production process cost is low, and can be completed without adding any new process equipment.
【技术实现步骤摘要】
一种超晶格量子点结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
,具体涉及一种超晶格量子点结构及其制作方法。
技术介绍
异质量子点结构涉及以下内容:按材料分包括以锗、硅等单质半导体材料,也包括III族氮化物,磷化物,砷化物及II-VI族等化合物半导体;按体系尺寸划分,为纳米尺度,属于介观体系、量子体系研究领域。按生长方法分包括以金属有机物化学气相沉积,分子束外延,热壁外延等为代表的超晶格外延生长技术,即可以生长原子量级的超薄薄漠和突变界面的外延生长技术;按外延材料种类分包括以化学组份不同,禁带宽度不同材料为代表的异质外延。量子点是尺寸在纳米量子的微小晶体结构,其典型特征是电子波函数的完全局域化和能谱的量子化。量子点结构具有一些十分显著的量子化效应,它直接影响量子点的各种物理性质,如电子结构,输运性质以及光学性质等。因此具有极为广阔的器件应用前景。另外,半导体有源光器件、高速电子器件一般必须生长在化合物半导体材料衬底上,但是近年来如何集成光和电子器件,使未来的芯片能更加微缩和提高效能,成为一个重要的课题,矽衬底和化合物半导体材料,有着不同晶格常数和热膨胀系数,因此若直接生长化合物半导体材料在矽衬底上,会形成缺陷并进一步影响生长的质量和器件的特性和性能。
技术实现思路
因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中衬底和化合物半导体材料,有着不同晶格常数和热膨胀系数,若直接生长化合物半导体材料在衬底上,会形成缺陷并进一步影响生长质量和器件性能的缺陷,从而提供一种超晶格量子点结构及 ...
【技术保护点】
1.一种超晶格量子点结构,其特征在于,包括衬底(1),所述衬底(1)上外延生长有活性层(2),所述活性层(2)相对所述衬底(1)一侧生长有一层或多层异质量子点结构(3);/n所述异质量子点结构(3)包括间隔设置的诱导层(31)和间隔层(32),位于同层的所述诱导层(31)相比所述间隔层(32)靠近所述衬底(1)一侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种超晶格量子点结构,其特征在于,包括衬底(1),所述衬底(1)上外延生长有活性层(2),所述活性层(2)相对所述衬底(1)一侧生长有一层或多层异质量子点结构(3);
所述异质量子点结构(3)包括间隔设置的诱导层(31)和间隔层(32),位于同层的所述诱导层(31)相比所述间隔层(32)靠近所述衬底(1)一侧。
2.根据权利要求1所述的一种超晶格量子点结构,其特征在于,所述间隔层(32)为GaAs层,所述诱导层(31)为InAs层。
3.根据权利要求2所述的一种超晶格量子点结构,其特征在于,所述间隔层(32)的厚度小于20nm,所述诱导层(31)的厚度小于2.5ML。
4.一种超晶格量子点结构的制作方法,其特征在于,基于如权利要求1-3中任一项所述的超晶格量子点结构,其方法包括:
S1、选择衬底(1),并在该衬底(1)上外延生长所需要的另一材料作为下一步应用的活性层(2);
S2、对外延生长的活性层(2)进行钝化,以便于量子点的形成;
S3、在活性层(2)上再生长一层或多层异质量子点结构(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:苏州辰睿光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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