一种倒装式LED芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板和金属焊盘，所述金属焊盘相对于LED芯片的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘高于电路基板。本实用新型专利技术显著提高了LED芯片封装成品率和可靠性。

A flip chip LED packaging structure

The utility model relates to an inverted LED chip package structure, the LED chip size is less than 20MIL, its power is 5-200mw, it includes a circuit base plate and a metal pad, the metal pad has an overflow groove for containing excess solder paste relative to the outer side of the LED chip, and the metal pad is higher than the circuit base plate. The utility model significantly improves the product rate and reliability of LED chip packaging.

【技术实现步骤摘要】
一种倒装式LED芯片封装结构
本技术涉及LED芯片封装技术，特别涉及一种倒装式LED芯片封装结构。
技术介绍
目前，随着现代电子元器件大步向微型化、集成化和高可靠性方向发展，特别是面对日益激烈的市场竞争，电子产品的生产与制造设备正朝着高速、高精度、智能化、多功能等全自化方向发展。电子信息产品尤其是关键部件印刷板的组装需要经过贴装工艺生产。近几年，随着LED产业的发展，给LED贴片机的整体性能带来了新挑战。目前使用LED倒装工艺的主要有：大功率照明、COB封装、LED光源模块等。所以总体来说，LED倒装工艺大部分应用的都是集成封装与照明类产品。而在数码、车载等领域的应用几乎是空白的。从工艺上来说，要实现倒装芯片，LED芯片需要焊接到基板表面。而实现倒装LED芯片与基板间的焊接过程中，焊锡极易进入LED芯片的两极之间造成短路。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中存在的不足而提供一种倒装式LED芯片的封装结构，具有较高安全性和使用寿命。为解决前述技术问题，本技术采用了以下技术方案：一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板和金属焊盘，所述金属焊盘相对于LED芯片的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘高于电路基板。本技术还可以通过以下技术措施进一步优化：所述金属焊盘为V形，所述溢流槽位于V形转角处。所述LED芯片的PN极之间具有预设的隔离PN极的绝缘层。所述LED芯片的外围包裹有环氧树脂密封层。由于采用了以上技术方案，本技术具有的有益技术效果如下：由于设置了焊接LED芯片的金属焊盘，且金属焊盘的高度高于基板，金属焊盘的折角处形成凹槽，当锡膏被加热熔化后，多余的锡膏被引流至溢流槽内，避免了锡膏进入到LED芯片的两个电极之间产生短路问题，降低了次品率，也提高了产品的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术的单粒封装LED芯片结构示意图。图2是本技术的半成品1示意图。图3是本技术的半成品2示意图。图4是本技术的半成品1示意图。附图标记：1.LED芯片；2.电路基板；3.金属焊盘；4.锡膏；5.密封层；6.绝缘层。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术做进一步的详细说明。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互组合。实施例一：如图1至图4所示的一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片1尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板2和金属焊盘3，所述金属焊盘3相对于LED芯片1的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘3高于电路基板2。所述金属焊盘3为V形，所述溢流槽位于V形转角处。所述LED芯片1的PN极之间具有预设的隔离PN极的绝缘层6。所述LED芯片的外围包裹有环氧树脂密封层5。需要说明的是，所谓多余的锡膏是是由于将LED芯片1贴在焊盘上后并向下压而必然产生的，如果锡膏量太少则会导致焊接不牢固，较多的锡膏虽然可以提高焊接的牢固度，但如果多余的焊锡进入到PN极之间将导致短路，因此在金属焊盘3相对于LED芯片1的外侧设置了容纳多余锡膏的溢流槽，从而避免锡膏进入PN极之间造成短路，金属焊盘的形状除了V形也可以是其它形状，例如圆弧形，均可以实现本技术的技术目的。本技术所采用的一种倒装式LED芯片1的封装方法，将LED芯片1倒装式封装在电路基板2上，该LED芯片1尺寸20mil，其功率100mW，该电路基板2上具有至少一对用于焊接LED芯片1电极的金属焊盘3，该金属焊盘3为V形，所述金属焊盘3高于电路基板2，且该一对焊盘背向设置，该封装方法包括以下步骤：S0.扩晶：将位于扩晶膜上的LED芯片1间的间距扩大至0.6mm以上。S1.点胶：用高精度固晶机在金属焊盘3的折角处靠近其开口侧点上锡膏4，该锡膏4的粒径为20μm以下。S2.固晶：用高精度固晶机将LED芯片1倒装式贴到锡膏4上，并通过金属焊盘3将多余锡膏4引入其开口处形成的凹槽内。S3.回流焊：将固晶完毕的电路基板2放入回流炉加热，使锡膏4固化。S4.预封胶：用高精度固晶机在焊接后的LED芯片1的至少一侧点上液态绝缘胶，静置使液态绝缘胶进入LED芯片1下方以填充两电极之间的空隙形成绝缘层6。S5.热压封胶：将环氧树脂热压到基板上并覆盖LED芯片1形成密封层5，固化后完成LED芯片的封装。S6.切割：将封装后的电路基板2放入划片机中将其分割为单粒封装LED芯片。S7.筛选：将单粒封装LED片按亮度和颜色进行分光分色。S8.包装：卷带包装后外部再用真空防静电袋封装。以上所有工艺步骤全部采用静电消除或静电抑制手段。所述电路基板2上具有阵列布置的多对金属焊盘3，且每对金属焊盘3上焊接有一LED芯片1。在本实施例中，在步骤S3中，回流炉加热的温度为280℃，也可以是250℃，260℃，但最好不要超过300℃。在本实施例中，在步骤S4中，所述液态绝缘胶高疏水性环氧树脂，也可以是导热硅脂。...

【技术保护点】
1.一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板和金属焊盘，其特征在于，所述金属焊盘相对于LED芯片的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘高于电路基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板和金属焊盘，其特征在于，所述金属焊盘相对于LED芯片的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘高于电路基板。


2.根据权利要求1所述的一种倒装式LED芯片封装结构，其特征在于，所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁申冬，许振军，王利君，董春来，张伟刚，
申请(专利权)人：浙江古越龙山电子科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33