一种耐高温且快速散热结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种耐高温且快速散热结构，主要用于8W‑15W芯片的散热，包括热源、散热装置以及排热装置，所述散热装置设置于热源与排热装置之间；所述散热装置包括第一铜层、第二铜层以及第一密封固定层，所述排热装置、第二铜层、第一铜层以及热源依次设置，所述第一铜层位于第二铜层一侧设置凹槽，所述第一铜层与第二铜层之间设置第一密封固定层，且通过第一密封固定层密封形成一密闭空间，所述密闭空间内填充散热液，所述散热液并非百分百填充密闭空间；所述凹槽内壁与第一铜层外侧壁之间设置用于抽真空且加散热液的连通槽。本实用新型专利技术可实现快速散热，符合生产发展的需求与趋势，提高相关产品的市场竞争力。

A high temperature resistant and fast heat dissipation structure

The utility model provides a high temperature resistant and fast heat dissipation structure, which is mainly used for heat dissipation of 8W \u2011 15W chip, including a heat source, a heat dissipation device and a heat exhausting device, the heat dissipation device is arranged between the heat source and the heat exhausting device; the heat dissipation device includes a first copper layer, a second copper layer and a first sealing fixed layer, the heat exhausting device, a second copper layer, a first copper layer and a heat source according to The first copper layer is located on one side of the second copper layer and provided with a groove. The first sealing fixing layer is arranged between the first copper layer and the second copper layer, and a closed space is formed by sealing the first sealing fixing layer. The closed space is filled with heat dissipation liquid, which is not 100% filled in the closed space. The inner wall of the groove and the outer wall of the first copper layer are provided for A connecting groove for vacuuming and adding cooling liquid. The utility model can realize fast heat dissipation, meet the demand and trend of production development, and improve the market competitiveness of related products.

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温且快速散热结构
本技术涉及散热结构的
，特别是一种耐高温且快速散热结构。
技术介绍
现有的手机大多为4G手机，且其功率为3.5W以下，而随着科技的不断进步、手机的普及，人们对手机的要求越来越高，因此5G的技术实现也在逐步提高，功能也在逐步升级，越来越多的手机厂商投入到5G(全称第五代移动电话行动通信标准，也称第五代移动通信技术)的研发，而且手机的CPU元件功率也提高到8-15W，但也因此导致了芯片的产热成倍增加，从而要求散热装置的散热效果需要成倍的提高，并且要求散热片尺寸要超薄(<0.3mm以下)，然而现有的散热装置已经无法满足5G芯片所产生的热量。所以，提升超薄型散热片以满足5G芯片的散热效果，是符合生产发展的需求与趋势，并可提高相关产品的市场竞争力。有鉴于此，本专利技术人专门设计了一种耐高温且快速散热结构，本案由此产生。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的技术方案如下：一种耐高温且快速散热结构，主要用于8W-15W芯片的散热，包括热源、散热装置以及排热装置，所述散热装置设置于热源与排热装置之间；所述散热装置总厚度小于0.3mm，其包括第一铜层、第二铜层以及第一密封固定层，所述排热装置、第二铜层、第一铜层以及热源依次设置，所述第一铜层位于第二铜层一侧设置凹槽，所述第一铜层与第二铜层之间设置第一密封固定层，且通过第一密封固定层密封形成一密闭空间，所述密闭空间内填充散热液，所述散热液并非百分百填充密闭空间；所述凹槽内壁与第一铜层外侧壁之间设置用于抽真空且加散热液的连通槽。进一步的，所述散热液采用纯水。进一步的，所述散热液的含量占密闭空间的60％-80％。进一步的，所述连通槽外接一铜管，当抽真空后加入散热液再将铜管密封。进一步的，所述凹槽内设置台阶组或者圆台组。进一步的，所述台阶组包括若干平行设置的第一长条台阶。进一步的，所述台阶组包括若干第二长条台阶与第三长条台阶，其中所述第二长条台阶与第三长条台阶外形一致，且第三长条台阶宽度大于第二长条台阶，所述第三长条台阶上设置第二密封固定层，所述第三长条台阶根据第一铜层的面积穿插设置于第二长条台阶之间。进一步的，所述圆台组包括若干呈阵列布置的第一台阶。进一步的，所述圆台组包括若干呈阵列布置的第二圆形台阶以及第三圆形台阶，其中所述第二圆形台阶与第三圆形台阶外形一致，且第三圆形台阶直径大于第二圆形台阶，所述第三圆形台阶上设置第三密封固定层，所述第三圆形台阶根据第二铜层的面积穿插设置于第二圆形台阶之间。进一步的，所述第一密封固定层采用密封胶，且其厚度小于0.1mm。本技术的快速散热结构通过第一铜层与第二铜层的两者之间设置密闭空间，同时在密闭空间内设置散热液，当热源的热量产生后，传递至第一铜层，通过加热散热液，并使其蒸发，将热量快速传递至第二铜层上，第二铜层上的排热装置将热量快速散发，实现快速散热，使其解决现有高瓦数(8-15W)的CPU元件的散热问题，符合生产发展的需求与趋势，提高相关产品的市场竞争力。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。其中：图1是本技术实施例1的示意图；图2是本技术实施例2的示意图；图3是本技术实施例3的示意图；图4是本技术实施例4的示意图；图5是本技术散热结构的散热原理示意图。标号说明：01-热源，02-排热装置，03-纯水，03’-水珠，A-纯水蒸发成蒸汽散热方向，B-蒸汽凝结水珠下落方向，10-第一铜层，11-凹槽，111-第一长条台阶，112-第二长条台阶，113-第三长条台阶，114-第一圆形台阶，115-第二圆形台阶，116-第三圆形台阶，20-第二铜层，30-第一密封固定层，40-铜管，50-第二密封固定层；60-第三密封固定层。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1请参阅图1，是作为本技术实施例1的一种耐高温且快速散热结构，主要用于8W-15W芯片的散热，包括热源01、散热装置以及排热装置02，散热装置设置于热源01与排热装置02之间，其中热源01为CPU芯片元件产生的热量，排热装置02采用现有装置，在此不做赘述，直接将排热装置02设置于散热装置上即可。散热装置总厚度小于0.3mm，其包括第一铜层10、第二铜层20以及第一密封固定层30，排热装置02、第二铜层20、第一铜层10以及热源01依次设置，第一铜层10位于第二铜层20一侧设置凹槽11，第一铜层10与第二铜层20之间设置第一密封固定层30，且通过第一密封固定层30密封形成一密闭空间，密闭空间内填充散热液，散热液并非百分百填充密闭空间。第一密封固定层30采用密封胶，且其厚度小于0.1mm，使用时，先对第一铜层10与第二铜层20表面进行清理，将密封胶涂抹于第一铜层10的四周，将第二铜层20与第一铜层10进行对齐贴合，使得形成第一密封固定层30。所述第一铜层10的厚度大于第二铜层20的厚度。凹槽11内壁与第一铜层10外侧壁之间设置用于抽真空且加散热液的连通槽。散热液采用纯水03，散热液的含量占密闭空间的60％-80％。连通槽外接一铜管40，当抽真空后加入散热液再将铜管40密封，具体的，先利用通孔铜管40进行抽真空，然后加入散热液或者导热液，最后将铜管40密封。凹槽11内设置台阶组；台阶组包括若干平行设置的第一长条台阶111；使得凹槽11内形成横向或者纵向水槽，便于散热液有规律的流动，具体的可采用蚀刻(光照显影技术)进行加工水槽，即利用FPC软板加工工艺，借用其精密的光罩(masking)微结构蚀刻第一铜层上的水槽，利用各种形状的水槽通道可实现通道的循环，增加其散热效果。本技术的第一密封固定层30、第二密封固定层50(实施例2)、第三密封固定层60(实施例4)均采用密封胶密封并且实现第一铜层10与第二铜层20两者之间的粘合，该密封胶具有密封、耐高温且可绕的效果，并且能在高温高压高湿的情况下具有良好的密封效果。请参阅图5，本技术的散热结构具体原理如下：第一铜层10内设置了纯水03，当CPU芯片(热源01)工作时，可快速产生大量的热，其温度可达到100摄氏度以上，因此在选择散热液时，可选择沸点在100摄氏度即可，例如纯水03，当温度为100摄氏度以上，纯水03可快速被加热，并向上(即A的方向)蒸发，达到第二铜层30后，第二铜层30的温度亦快速上升，但由于在第二铜层30的上方设置了排热装置02，可对第二铜层30起到冷却作用，使其迅速降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐高温且快速散热结构，主要用于8W-15W芯片的散热，其特征在于，包括热源、散热装置以及排热装置，所述散热装置设置于热源与排热装置之间；/n所述散热装置包括第一铜层、第二铜层以及第一密封固定层，所述排热装置、第二铜层、第一铜层以及热源依次设置，所述第一铜层位于第二铜层一侧设置凹槽，所述第一铜层与第二铜层之间设置第一密封固定层，且通过第一密封固定层密封形成一密闭空间，所述密闭空间内填充散热液，所述散热液并非百分百填充密闭空间；/n所述凹槽内壁与第一铜层外侧壁之间设置用于抽真空且加散热液的连通槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种耐高温且快速散热结构，主要用于8W-15W芯片的散热，其特征在于，包括热源、散热装置以及排热装置，所述散热装置设置于热源与排热装置之间；
所述散热装置包括第一铜层、第二铜层以及第一密封固定层，所述排热装置、第二铜层、第一铜层以及热源依次设置，所述第一铜层位于第二铜层一侧设置凹槽，所述第一铜层与第二铜层之间设置第一密封固定层，且通过第一密封固定层密封形成一密闭空间，所述密闭空间内填充散热液，所述散热液并非百分百填充密闭空间；
所述凹槽内壁与第一铜层外侧壁之间设置用于抽真空且加散热液的连通槽。


2.根据权利要求1所述的一种耐高温且快速散热结构，其特征在于，所述散热液采用纯水。


3.根据权利要求1所述的一种耐高温且快速散热结构，其特征在于，所述散热液的含量占密闭空间的60％-80％。


4.根据权利要求1所述的一种耐高温且快速散热结构，其特征在于，所述连通槽外接一铜管，当抽真空后加入散热液再将铜管密封。


5.根据权利要求1所述的一种耐高温且快速散热结构，其特征在于，所述凹槽内设置台阶组或者圆台组。


6....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锦裕，古栋根，
申请(专利权)人：厦门奈福电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35