一种双工器制造技术

本发明专利技术提供一种双工器，包括基底、保护帽、发射滤波器芯片和接收滤波器芯片，其中，基底的底部具有接地金属图形；发射滤波器芯片的底表面具有第一金属密封顶圈；接收滤波器芯片的底表面具有第二金属密封顶圈；保护帽的顶表面具有金属密封底圈，金属密封底圈包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域与第一金属密封顶圈对应，第二区域与第二金属密封顶圈对应，第三区域连接第一区域和第二区域；双工器具有多个附加接地屏蔽结构，每个附加接地屏蔽结构由上至下依次包括：贯穿保护帽的附加金属化通孔、中部电连接结构和贯穿基底的埋底电连接结构，附加金属化通孔的顶部与金属密封底圈第三区域相接触，埋底电连接结构的底部与接地金属图形相接触。

A duplexer

The invention provides a duplexer, which comprises a base, a protective cap, a transmitting filter chip and a receiving filter chip, wherein the bottom of the base is provided with a grounded metal figure; the bottom surface of the transmitting filter chip is provided with a first metal sealing top ring; the bottom surface of the receiving filter chip is provided with a second metal sealing top ring; the top surface of the protective cap is provided with a metal sealing bottom ring, which is metal tight The sealing bottom ring includes the first area, the second area and the third area. The first area corresponds to the first metal sealing top ring, the second area corresponds to the second metal sealing top ring, and the third area connects the first area and the second area. The duplexer has a plurality of additional grounding shielding structures, and each additional grounding shielding structure from the top to the bottom successively includes: the additional metallized through hole through the protective cap The top of the additional metallized through hole contacts with the third area of the metal seal bottom ring, and the bottom of the buried bottom electric connection structure contacts with the grounding metal figure.

【技术实现步骤摘要】
一种双工器
本专利技术涉及通信用滤波类器件领域，特别涉及一种利用密封环中增加附加金属化通孔结构接地改善隔离度的双工器。
技术介绍
随着当今无线通讯技术的飞速发展，小型化便携式终端设备的应用也日益广泛，因而对于高性能、小尺寸的射频前端模块和器件的需求也日益迫切。近年来，以FBAR为基础的滤波器、双工器等滤波器件越来越为市场所青睐。一方面是因为其插入损耗低、过渡特性陡峭、选择性高、功率容量高、抗静电放电(ESD)能力强等优异的电学性能，另一方面也是因为其体积小、易于集成的特点所致。当前，面对越来越严苛的频率资源，要求射频前端的滤波器、双工器等频率选择性器件对于相邻频带的抑制水平也越来越高，FBAR器件也需要在这方面进行改进和提高，既要提高临带抑制和隔离度水平，又不能对插损有较大影响，同时还要尽可能不增加芯片或器件的整体尺寸。常见的方法是在并联支路上增加大感值的电感改变谐振器谐振频率来增加临带抑制，或是在某个或某几个谐振器上增加额外的电容或电感来增加notch点从而改善临带抑制。但这些方法都需要增加额外的电抗性元件，而且这些元件的取值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双工器，包括基底、位于所述基底之上的保护帽、位于所述保护帽之上的发射滤波器芯片和接收滤波器芯片，其特征在于：/n所述基底的底部具有接地金属图形；/n所述发射滤波器芯片的底表面具有第一金属密封顶圈；/n所述接收滤波器芯片的底表面具有第二金属密封顶圈；/n所述保护帽的顶表面具有金属密封底圈，所述金属密封底圈包括金属密封底圈第一区域、金属密封底圈第二区域和金属密封底圈第三区域，所述金属密封底圈第一区域与所述第一金属密封顶圈对应，所述金属密封底圈第二区域与所述第二金属密封顶圈对应，所述金属密封底圈第三区域连接所述金属密封底圈第一区域和所述金属密封底圈第二区域；/n所述双工器具有多个附加接地屏蔽...

【技术特征摘要】
1.一种双工器，包括基底、位于所述基底之上的保护帽、位于所述保护帽之上的发射滤波器芯片和接收滤波器芯片，其特征在于：
所述基底的底部具有接地金属图形；
所述发射滤波器芯片的底表面具有第一金属密封顶圈；
所述接收滤波器芯片的底表面具有第二金属密封顶圈；
所述保护帽的顶表面具有金属密封底圈，所述金属密封底圈包括金属密封底圈第一区域、金属密封底圈第二区域和金属密封底圈第三区域，所述金属密封底圈第一区域与所述第一金属密封顶圈对应，所述金属密封底圈第二区域与所述第二金属密封顶圈对应，所述金属密封底圈第三区域连接所述金属密封底圈第一区域和所述金属密封底圈第二区域；
所述双工器具有多个附加接地屏蔽结构，每个所述附加接地屏蔽结构由上至下依次包括：贯穿所述保护帽的附加金属化通孔、中部电连接结构和贯穿所述基底的埋底电连接结构，所述附加金属化通孔的顶部与所述金属密封底圈第三区域相接触，所述埋底电连接结构的底部与所述接地金属图形相接触。


2.根据权利要求1所述的双工器，其特征在于，所述多个附加金属化通孔的位置满足如下条件：所述多个附加金属化通孔的垂直投影位于所述发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，王蕾，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12