一种介质波导滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种介质波导滤波器，包括固态介电材料制成的本体、设置于所述本体的两个介质谐振器，所述两个介质谐振器分别具有谐振孔，所述本体的外表面为导电屏蔽层，本体的外表面包括第一表面，两个介质谐振器的谐振孔的开口端均位于所述本体的第一表面；所述介质波导滤波器还包括设置于所述第一表面的第一负耦合带线，所述第一负耦合带线位于所述两个介质谐振器的谐振孔之间，所述第一负耦合带线形成非导电屏蔽区域。本发明专利技术可实现介质波导滤波器的容性交叉耦合，有效地改善了低端抑制，成本低，体积小。

A dielectric waveguide filter

The invention relates to a dielectric waveguide filter, which comprises a body made of solid dielectric material and two dielectric resonators arranged on the body. The two dielectric resonators are respectively provided with a resonance hole, the outer surface of the body is a conductive shielding layer, the outer surface of the body includes a first surface, and the open ends of the resonance holes of the two dielectric resonators are both located in the first table of the body The dielectric waveguide filter also includes a first negative coupling band line arranged on the first surface, the first negative coupling band line is located between the resonance holes of the two dielectric resonators, and the first negative coupling band line forms a non-conductive shielding area. The invention can realize capacitive cross coupling of dielectric waveguide filter, effectively improves low-end suppression, has low cost and small volume.

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器
本专利技术涉及一种通信设备器件，尤其是涉及一种介质波导滤波器。
技术介绍
滤波器是通信系统里的关键部件。随着通信系统的发展，要求滤波器小型化、轻量化。相较于传统的金属波导滤波器，基于高介电常数陶瓷材料的介质波导滤波器具有紧凑体积以及较高Q值的优点，是一种很好的小型化解决方案。为了实现高抑制，滤波器需要加交叉耦合，实现传输零点，来提高带外抑制，容性交叉耦合实现低端零点，改善低端抑制，感性交叉耦合实现高端零点，改善高端抑制。介质波导滤波器，在实现负耦合零点时，相较于金属波导滤波器更加困难。目前业内要实现容性交叉耦合一般通过在介质外级联跨接金属探针或在端口腔增加零腔结构来实现，这些方式使得滤波器的整体结构更加复杂或者增加了滤波器的体积。
技术实现思路
本专利技术的目的是，使用另一种技术方案实现介质波导滤波器的容性交叉耦合。为此，本专利技术提供一种介质波导滤波器，包括固态介电材料制成的本体、设置于所述本体的两个介质谐振器，所述两个介质谐振器分别具有谐振孔，所述本体的外表面为导电屏蔽层，本体的外表面包括第一表面，两个介质谐振器的谐振孔的开口端均位于所述本体的第一表面；所述介质波导滤波器还包括设置于所述第一表面的第一负耦合带线，所述第一负耦合带线位于所述两个介质谐振器的谐振孔之间，所述第一负耦合带线形成非导电屏蔽区域。进一步地，所述第一负耦合带线的形状为Z形、S形、L形或5形。进一步地，所述第一负耦合带线的长度方向与所述两个介质谐振器的谐振孔之间的连线方向相交或平行。进一步地，所述第一负耦合带线包括主带线以及从所述主带线端部延伸的副带线，所述主带线与所述两个介质谐振器的谐振孔之间的连线方向相交或平行。进一步地，所述副带线包括第一副带线和第二副带线，所述第一副带线和第二副带线分别从所述主带线的两个端部伸出。进一步地，所述介质波导滤波器还包括贯穿所述本体的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔分别位于所述第一负耦合带线的两侧，且所述第一通孔和第二通孔均位于所述两个介质谐振器的谐振孔之间。进一步地，所述本体的外表面包括与所述第一表面相对的第二表面；所述介质波导滤波器还包括设置于所述本体第二表面的第二负耦合带线，所述第二负耦合带线形成非导电屏蔽区域。进一步地，所述介质波导滤波器还包括沿所述第一表面、第二表面的连线方向贯穿所述本体的第一通孔和第二通孔，所述第一负耦合带线和第二负耦合带线均位于所述第一通孔和第二通孔之间。进一步地，所述两个介质谐振器分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述第一介质谐振器和第二介质谐振器的谐振孔分别为第一谐振孔、第二谐振孔。进一步地，所述两个介质谐振器分别为第一介质谐振器和第三介质谐振器，所述第一介质谐振器和第三介质谐振器的谐振孔分别为第一谐振孔、第三谐振孔；所述介质波导滤波器还包括设置于所述本体的第二介质谐振器及窗口耦合结构，所述第二介质谐振器位于所述第一介质谐振器与第三介质谐振器的连线之外，所述窗口耦合结构位于所述第一介质谐振器、第二介质谐振器和第三介质谐振器围成的区域之内以使所述第一介质谐振器、第二介质谐振器和第三介质谐振器形成主耦合。本专利技术通过设置的第一负耦合带线，从而可在第一介质谐振器和第二介质谐振器之间产生负的耦合，实现了容性交叉耦合，从而使得介质波导滤波器在通带低端可形成传输零点，有效地改善了低端抑制，并且简化了制造工艺，降低了成本，不会增大介质波导滤波器的体积，保证了介质波导滤波器的小型化及有效地减少了对Q值的牺牲。【附图说明】图1为本专利技术第一实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图2是图1所示介质波导滤波器的第一负耦合带线的一种替换方案的结构示意图；图3为本专利技术第二实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图4是图3所示介质波导滤波器的第一负耦合带线的一种替换方案的结构示意图；图5为本专利技术第三实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图6是图5所示介质波导滤波器的第一负耦合带线的一种替换方案的结构示意图；图7为本专利技术第四实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图8是图7所示介质波导滤波器的第一负耦合带线的一种替换方案的结构示意图；图9为本专利技术第五实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图10为本专利技术第六实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图11为本专利技术第七实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图12为本专利技术第八实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图；图13为本专利技术第九实施例提供的一种介质波导滤波器的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。第一实施例参考图1，本专利技术提供的一种介质波导滤波器，包括固态介电材料例如陶瓷等制成的本体10、设置于本体10的两个介质谐振器。两个介质谐振器分别具有谐振孔。两个介质谐振器分别为第一介质谐振器11和第二介质谐振器12。第一介质谐振器11和第二介质谐振器12之间相互连接。第一介质谐振器11的谐振孔为第一谐振孔111，第二介质谐振器12的谐振孔为第二谐振孔121。第一谐振孔111和第二谐振孔121均为盲孔，第一谐振孔111用于第一介质谐振器11的谐振频率的调节，第二谐振孔121用于第二介质谐振器12的谐振频率的调节，通过调整第一谐振孔111、第二谐振孔121的深度可以实现第一介质谐振器11、第二介质谐振器12的谐振频率。本体10的外表面为导电屏蔽层。本体10的外表面包括第一表面101以及与第一表面101相对的第二表面。本实施例中，第一表面101即本体10的顶面，第二表面即本体10的底面。第一谐振孔111和第二谐振孔121的开口端位于本体10的第一表面101。第一谐振孔111、第二谐振孔121的内表面均为导电屏蔽层。导电屏蔽层例如为银层、铜层等等金属化层。介质波导滤波器还包括设置于第一表面101的第一负耦合带线20，第一负耦合带线20位于第一谐振孔111和第二谐振孔121之间，更为具体的，第一负耦合带线20位于第一介质谐振器11和第二介质谐振器12之间的连接处。第一负耦合带线20形成非导电屏蔽区域，用于实现第一介质谐振器11和第二介质谐振器12之间的电容耦合，使两个介质谐振器之间产生负的耦合，以实现容性交叉耦合，从而该介质波导滤波器可以在通带低端形成一个传输零点，从而有效地改善了低端抑制，同时第一负耦合带线20的设置不会增大介质波导滤波器的体积，可保证介质波导滤波器的小型化及有效地减少了对Q值的牺牲。第一负耦合带线20形成非导电屏蔽区域。第一负耦合带线20形成非导电屏蔽区域的方式是通过在本体10的第一表面101采用激光、打磨、蚀刻等方式按照第一负耦合带线20的形状去除一部分导电屏蔽层所形成的，简化了第一负耦合带线20的制造工艺，提高了成品率，降低了产品成本。本实施例的第一负耦合带线20的形状为近似Z形。第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质波导滤波器，包括固态介电材料制成的本体、设置于所述本体的两个介质谐振器，其特征在于：所述两个介质谐振器分别具有谐振孔，所述本体的外表面为导电屏蔽层，本体的外表面包括第一表面，两个介质谐振器的谐振孔的开口端均位于所述本体的第一表面；所述介质波导滤波器还包括设置于所述第一表面的第一负耦合带线，所述第一负耦合带线位于所述两个介质谐振器的谐振孔之间，所述第一负耦合带线形成非导电屏蔽区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器，包括固态介电材料制成的本体、设置于所述本体的两个介质谐振器，其特征在于：所述两个介质谐振器分别具有谐振孔，所述本体的外表面为导电屏蔽层，本体的外表面包括第一表面，两个介质谐振器的谐振孔的开口端均位于所述本体的第一表面；所述介质波导滤波器还包括设置于所述第一表面的第一负耦合带线，所述第一负耦合带线位于所述两个介质谐振器的谐振孔之间，所述第一负耦合带线形成非导电屏蔽区域。


2.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第一负耦合带线的形状为Z形、S形、L形或5形。


3.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第一负耦合带线的长度方向与所述两个介质谐振器的谐振孔之间的连线方向相交或平行。


4.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第一负耦合带线包括主带线以及从所述主带线端部延伸的副带线，所述主带线与所述两个介质谐振器的谐振孔之间的连线方向相交或平行。


5.根据权利要求4所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述副带线包括第一副带线和第二副带线，所述第一副带线和第二副带线分别从所述主带线的两个端部伸出。


6.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述介质波导滤波器还包括贯穿所述本体的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔分别位于所述第一负耦合带...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建汪，章博，段宗金，
申请(专利权)人：深圳市国人射频通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44