A method for measuring the gas inlet holes on the electrodes of the plasma etching device with high precision and an electrode with high precision gas inlet holes are provided. The method for measuring the gas inlet hole arranged on the electrode of the plasma etching device is used for measuring the gas inlet hole arranged through the substrate in the electrode of the plasma etching device along the thickness direction, including: irradiating the light from one side of the substrate towards the gas inlet hole; obtaining the two-dimensional image of the light passing through the other side of the substrate through the gas inlet hole Based on the two-dimensional image, at least one of the diameter, roughness and perpendicularity of the gas inlet hole is measured.
【技术实现步骤摘要】
测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法
本专利技术涉及等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法、电极、电极的再生方法、再生电极、等离子体蚀刻装置、气体导入孔的状态分布图及其显示方法。
技术介绍
等离子体蚀刻装置在真空腔室内产生等离子体并且对半导体晶片等的对象物进行蚀刻。真空腔室内设置承载对象物的承载台和与该承载台对向配置的上部电极。承载台上设有下部电极。而且，上部电极上设有将气体导入真空腔室内的孔(气体导入孔)。处理对象物时，从该孔向真空腔室内导入气体，在下部电极和上部电极之间施加高频电压，产生等离子体，来进行对象物的蚀刻。使用该装置的低温等离子体的半导体元件的蚀刻微细加工也被称为干蚀刻。干蚀刻是半导体元件的处理。干蚀刻将光刻后硬化的被蚀刻膜上的光刻胶作为掩膜，通过反应气体的等离子体在硅/绝缘物膜(例如，SiO2、PSG、BPSG)/金属膜(例如，AL、W、Cu)等上形成沟或孔的图案。据此，按照光刻装置形成的图案，进行正确的微细化加工。在进行干蚀刻时，根据真空腔室内的被蚀刻的膜来导入蚀...
【技术保护点】
1.一种等离子体蚀刻装置用的再生电极，设有贯穿基材的厚度方向的气体导入孔，其特征在于，/n测量再生前的电极的所述气体导入孔的状态，基于所述气体导入孔的测量结果来进行所述基材的表面研磨和所述气体导入孔的内壁面加工的至少一种，测量加工后的所述气体导入孔的状态。/n
【技术特征摘要】
20141226 JP 2014-266572;20141226 JP 2014-266574;201.一种等离子体蚀刻装置用的再生电极，设有贯穿基材的厚度方向的气体导入孔，其特征在于，
测量再生前的电极的所述气体导入孔的状态，基于所述气体导入孔的测量结果来进行所述基材的表面研磨和所述气体导入孔的内壁面加工的至少一种，测量加工后的所述气体导入孔的状态。
2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置用的再生电极，其特征在于，所述气体导入孔的状态的测量包括：
使光从所述基材的一面侧朝向所述气体导入孔进行照射；
获得通过所述气体导入孔而透过所述基材的另一面侧的所述光的二维图像；以及
基于所述二维图像，测量所述气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。
3.如权利要求2所述的等离子体蚀刻装置用的再生电极，其特征在于，所述光是相干光。
4.如权利要求2所述的等离子体蚀刻装置用的再生电极，其特征在于，基于沿所述二维图像的扫描线的信号的斜率，来测量所述气体导入孔的内壁面的粗糙度。
5.如权利要求2所述的等离子体蚀...
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