一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法技术

本发明专利技术公开了一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法。按下述步骤进行：a）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；b）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉清洗并放入鼓风干燥箱干燥；c）硅粉的腐蚀：将预处理的硅粉用腐蚀液进行水热腐蚀、保温，之后倒进放有中速滤纸的漏斗中，用去离子水进行清洗、过滤后放入鼓风干燥箱中干燥，即得去除杂质P的硅；所述的腐蚀液为氧化剂、辅助剂、氢氟酸、纯水组成的混合溶液。本发明专利技术制备工艺简单，易操作，成本较低，能够有效的降低冶金级硅中的P浓度，并能在工艺上使P的浓度很容易的控制。为冶金级硅中杂质P的去除提供了一种新的方法。

A method of removing impurity P from metallurgical grade silicon by hydrothermal corrosion

The invention discloses a method for removing impurity P in metallurgical grade silicon by hydrothermal corrosion. The following steps shall be followed: a) crushing of silicon block: making silicon block into 100-500 mesh silicon powder; b) pre-treatment of silicon powder: cleaning silicon powder with hydrochloric acid, hydrogen peroxide, hydrofluoric acid, methanol and pure water in turn and putting it into blast drying oven for drying; c) corrosion of silicon powder: hydrothermal corrosion and heat preservation of the pre-treatment silicon powder with corrosion solution, then pouring it into the funnel with medium speed filter paper, and using it to remove After cleaning and filtering, the ionic water is put into a blast drying oven for drying, and then the silicon of impurity P is removed; the corrosive solution is a mixed solution composed of oxidant, auxiliary agent, hydrofluoric acid and pure water. The invention has the advantages of simple preparation process, easy operation and low cost, can effectively reduce the P concentration in metallurgical grade silicon, and can easily control the P concentration in the process. It provides a new method for the removal of impurity P in metallurgical grade silicon.

【技术实现步骤摘要】
一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法
本专利技术涉及硅材料除杂
，特别是一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法。
技术介绍
为了解决能源危机，光伏技术近年来得到了蓬勃发展，晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的大部分份额，所以硅材料的性能对于光伏产业显得尤为重要，其中硅材料的提纯技术也是人们关注的焦点。目前通过造渣精炼、真空精炼、定向凝固等方法对晶体硅中大部分杂质都有很好的去除效果。但由于P杂质在晶体硅中的分凝系数较大，属于难去除性杂质，这些方法对于P杂质的去除不是很理想。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法。本专利技术制备工艺简单，易操作，成本较低，能够有效的降低冶金级硅中的P浓度，并能在工艺上使P的浓度很容易的控制。为冶金级硅中杂质P的去除提供了一种新的方法。本专利技术的技术方案：一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法,按下述步骤进行：a）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；b）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法，其特征在于，按下述步骤进行：/na）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；/nb）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉清洗并放入鼓风干燥箱干燥；/nc）硅粉的腐蚀：将预处理的硅粉用腐蚀液进行水热腐蚀、保温，之后用去离子水进行清洗、过滤后放入鼓风干燥箱中干燥，即得去除杂质P的硅；所述的腐蚀液为氧化剂、辅助剂、氢氟酸、纯水组成的混合溶液。/n

【技术特征摘要】
1.一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法，其特征在于，按下述步骤进行：
a）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；
b）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉清洗并放入鼓风干燥箱干燥；
c）硅粉的腐蚀：将预处理的硅粉用腐蚀液进行水热腐蚀、保温，之后用去离子水进行清洗、过滤后放入鼓风干燥箱中干燥，即得去除杂质P的硅；所述的腐蚀液为氧化剂、辅助剂、氢氟酸、纯水组成的混合溶液。


2.根据权利要求1所述的水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法，其特征在于，步骤b）中，盐酸浓度为：1～12mol/L，双氧水质量分数为：30％～90％，氢氟酸浓度为：0.2～15mol/L，甲醇的质量分数为：75％～100％。


3.根据权利要求2所述的水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法，其特征在于，步骤b）中，盐酸浓度为：1.5～4.5mol/L，氢氟酸浓度为：1～6mol/L。


4.根据权利要求1所述的水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法，其特征在于，步骤b）中，清洗的过程采用磁力搅拌器清洗0.25～2h。


5.根据权利要求1所述的水热腐蚀去除冶金级硅中杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦毅，侯高蕾，吴复忠，李水娥，戴新义，谷肄静，陈敬波，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：发明
国别省市：贵州;52