磁性随机存储器制造技术

一种磁性随机存储器，所述磁性随机存储器包括：基底，所述基底表面形成有导电接触垫；位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结；所述基底内形成有多个存取晶体管，与所述磁性存储单元一一对应，所述存取晶体管的栅极位于所述基底内，所述存取晶体管的源极和漏极分别位于所述栅极两侧且底部高于所述栅极顶部，所述存取晶体管的漏极连接至所述导电接触垫。上述磁性随机存储器具有较高的性能。

Magnetic random access memory

A magnetic random memory, the magnetic random memory includes: a substrate, the substrate surface is formed with a conductive contact pad; a magnetic storage layer located on the substrate surface, the magnetic storage layer includes at least two layers of sub storage layers stacked on the substrate surface, and the magnetic storage layer includes a plurality of magnetic contact pads connected with the conductive contact pads which are vertically penetrated through the sub storage layers The magnetic storage unit includes a magnetic tunnel junction, and at least one magnetic tunnel junction is included in each sub storage layer. A plurality of access transistors are formed in the substrate, which correspond to the magnetic storage unit one by one. The gate of the access transistor is located in the substrate, and the source and drain of the access transistor are located on both sides of the gate and the bottom is high At the top of the gate, the drain of the access transistor is connected to the conductive contact pad. The magnetic random access memory has high performance.

【技术实现步骤摘要】
磁性随机存储器
本技术涉及存储器
，尤其涉及一种磁性随机存储器。
技术介绍
磁性随机存储器(MARM)是基于硅基互补氧化物半导体(CMOS)与磁性隧道结(MTJ)技术的集成，是一种非易失性的存储器，它拥有静态随机存储器的高速读写能力，以及动态随机存储器的高集成度。请参考图1，为现有磁性随机存储器的结构示意图。所述磁性随机存储器包括一存取晶体管110和磁性隧道结120，所述磁性隧道结120包括固定层121、隧穿层122以及自由层123。所述存取晶体管110的漏极111连接至所述磁性隧道结120的固定层121，所述磁性隧道结120的自由层123连接至位线130；所述存取晶体管110的源极112连接至源线140。在磁性随机存储器正常工作时，自由层123的磁化方向可以改变，而固定层121的磁化方向保持不变。磁性随机存储器的电阻与自由层123和固定层121的相对磁化方向有关。当自由层123的磁化方向相对于固定层121的磁化方向发生改变时，磁性随机存储器的电阻值相应改变，对应于不同的存储信息。现有的工艺技术节点中，磁性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括：/n基底，所述基底表面形成有导电接触垫；/n位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的与所述导电接触垫连接的多个磁性存储单元，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结；/n所述基底内形成有多个存取晶体管，与所述磁性存储单元一一对应连接，所述存取晶体管的栅极位于所述基底内，所述存取晶体管的源极和漏极分别位于所述栅极两侧且底部高于所述栅极顶部，所述存取晶体管的漏极连接至所述导电接触垫。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括：
基底，所述基底表面形成有导电接触垫；
位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的与所述导电接触垫连接的多个磁性存储单元，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结；
所述基底内形成有多个存取晶体管，与所述磁性存储单元一一对应连接，所述存取晶体管的栅极位于所述基底内，所述存取晶体管的源极和漏极分别位于所述栅极两侧且底部高于所述栅极顶部，所述存取晶体管的漏极连接至所述导电接触垫。


2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述多个磁性存储单元的磁性隧道结随机排布于各子存储层内。


3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，相邻磁性存储单元的磁性隧道结分别位于不同的子存储层内。


4.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，各子存储层内的磁性隧道结以随机形式或阵列形式排布。


5.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，同一磁性存储层内各...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尔萱，朱一明，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34