一种掩膜版精密再生工艺及其系统技术方案

本发明专利技术公开了一种掩膜版精密再生工艺及其系统，解决了现有的掩膜版的一般清洗方法效率低下，对OLED掩膜版的精密再生效果不好，且无相应的成套系统来完成OLED掩膜版的高效精密再生的问题。本发明专利技术包括以下步骤：采用药液对掩膜版进行加热浸泡清洗，所述药液为有机酸或有机碱；采用纯水和压缩空气对步骤1处理后的掩膜版进行吹淋；采用纯水对步骤2处理后的掩膜版进行漂洗；采用易溶于水且易挥发醇对步骤3漂洗后的掩膜版进行漂洗；对步骤4处理后的掩膜版进行干燥。本发明专利技术具有对掩膜版的再生效果好，自动化程度高，效率高等优点。

A precise regeneration process and system of mask plate

The invention discloses a mask precision regeneration process and system, which solves the problems of low efficiency of the general cleaning method of the existing mask, poor precision regeneration effect of the OLED mask, and no corresponding complete set of system to complete the high efficiency and precision regeneration of the OLED mask. The invention comprises the following steps: heating, soaking and cleaning the mask plate with liquid medicine, which is organic acid or organic alkali; blowing and drenching the mask plate after treatment in step 1 with pure water and compressed air; rinsing the mask plate after treatment in step 2 with pure water; rinsing the mask plate after rinsing in step 3 with water-soluble and volatile alcohol; rinsing the mask plate after treatment in step 4 The mask plate is dried. The invention has the advantages of good regeneration effect, high automation degree and high efficiency for the mask plate.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版精密再生工艺及其系统
本专利技术涉及掩膜版清洗
，具体涉及一种掩膜版精密再生工艺及其系统。
技术介绍
有机电致发光显示器件(OLED)作为显示器的一大分支，因OLED属于自发光，不像LCD需要借助背光，故厚度薄、可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上响应速度快、重量轻等特性，被视为21世纪最具有前途的产品之一。OLED制程中，在掩膜版(或挡板)与其基板对位的过程中，如果挡板或掩膜版开孔处存在杂质或异物，制作出的OLED会出现像素不良、破坏OLED基板等而导致不良。目前，小世代线使用的挡板或掩膜版(如G4.5及以下)的清洁方式主要是人工手动清洁、半自动清洁等模式。伴随着高世代线的发展，高世代的挡板或掩膜版清洁，国内暂无该线体。如果靠人工清洁，存在随意性和不确定性，损坏风险较大。目前，在OLED用的挡板或掩膜版清洗时，常用的方法是先用氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵、NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液浸泡，然后在自动光学检测设备(AOI)中检查，检查结果不合格时，再次投入氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵溶液、NMP(N-甲基吡咯烷酮)反复清洗，直至检查结果合格，但是上述清洗方法所用物质存在以下问题：1、氢氧化钾(KOH)溶液对一般的无机物清洗效果好，但因强碱对不锈钢腐蚀性较大；同时，对有机物去除能力一般，故在实际使用过程，常出现不锈钢OLED挡板或掩膜版腐蚀且有异物残留，影响客户端产品质量；2、四甲基氢氧化铵溶液对有机物的溶解能力非常好，但极易吸潮，在空气中迅速吸收二氧化碳(CO2)而完全分解气化，成本较高；同时，属于强腐蚀物品，对不锈钢腐蚀性较大。综上，四甲基氢氧化铵不适用于大批量使用；3、NMP(N-甲基吡咯烷酮)对有机物溶解能力非常好，但无法去除挡板或掩膜版表面的金属沉积膜或无机金属盐沉积膜。由此可见，以上清洗方法存在效率低下，清洗效果不好，清洗质量不可控的问题。OLED制程中使用的挡板或掩膜版上的杂质或异物可以通过精密再生去除，且在去除过程中需确保开孔部位不得有杂质或异物产生；与OLED基板对接的部位，不得有杂质或异物产生。而现在的OLED掩膜版均是借鉴一般掩膜版的清洗方式，没有很好的精密再生方法来去除杂质或异物，也没有成套系统来实现OLED掩膜版的精密再生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：现有的掩膜版的一般清洗方法效率低下，对OLED掩膜版的精密再生效果不好，且无相应的成套系统来完成OLED掩膜版的高效精密再生。本专利技术提供了解决上述问题的一种掩膜版精密再生工艺及其系统。本专利技术通过下述技术方案实现：一种掩膜版精密再生工艺，包括以下步骤：步骤1：采用药液对掩膜版进行加热浸泡清洗，所述药液为有机酸或有机碱；步骤2：采用纯水和压缩空气对步骤1处理后的掩膜版进行吹淋；步骤3：采用纯水对步骤2处理后的掩膜版进行漂洗；步骤4：采用易溶于水且易挥发醇对步骤3漂洗后的掩膜版进行漂洗；步骤5：对步骤4处理后的掩膜版进行干燥。本专利技术根据掩膜版的具体应用场景进行药液的选择，当沉积膜为金属时，将掩膜版采用有机酸进行加热浸泡清洗，沉积膜为无机金属盐时采用有机碱对掩膜版进行浸泡清洗，有机酸可溶解沉积膜中金属部分；有机碱性清洗剂可使无机金属盐类沉积膜膨胀、松软，进而清除，在浸泡过程中进行加热，根据热胀冷缩原理，掩膜版与金属沉积部分或者溶解后的物质，掩膜版与无机金属盐及沉积物的热膨胀系数不同，会使得这类沉积污渍更易脱落。其次，有机酸/碱性清洗剂能够与水混溶，便于后工序使用纯水清洗时将掩膜版上残留的有机酸/碱性清洗剂洗掉；最后，有机酸/碱性清洗剂对挡板或掩膜版的腐蚀速率小，清洗后不会在挡板或掩膜版表面留下异物或脏污。进一步地，所述有机酸性药液为中等酸性的有机酸。进一步地，所述有机酸为乙酰丙酮、羧酸中的一种或者几种的混合酸。进步一地，所述有机碱性药液为中等碱性的有机碱。进一步地，所述有机碱为氢氧化钾、焦磷酸钠、乙二胺四乙酸中的一种或几种的混合碱。本专利技术优选一种掩膜版精密再生工艺，所述步骤1的浸泡清洗为超声加热溢流清洗，当有机酸对掩膜版表面金属沉积物溶解或者无机金属盐沉积物在有机碱的作用下膨胀、松软后或因为热胀冷缩而附着力减弱后，超声振荡利于表层附着物脱落，而溢流清洗利于将脱落的附着物溢流出，防止过多的附着物再次残留在掩膜版的表面。当药液浸泡清洗后进行第一次吹淋，将经过有机酸或碱清洗后的挡板或掩膜版进行纯水和CDA进行吹淋，一方面，可去除挡板或掩膜版表面较多的药液，延长纯水的使用次数，降低成本；同时，通过一定压力的纯水、CDA对挡板或掩膜版进行处理，降低产品表面及其缝隙部位的异常发生。采用易溶于水且易挥发醇对掩膜版进行漂洗可以去除掩膜版表面残留的水。本专利技术优选一种掩膜版精密再生工艺，所述步骤2和步骤3之间还包括步骤21，所述步骤21为：采用有机碱对步骤2处理后的掩膜版进行浸泡，所述步骤21之后还包括步骤22，所述步骤22为：采用纯水和压缩空气对步骤21处理后的掩膜版进行吹淋。采用有机碱对掩膜版进行二次处理可以去除掩膜版表面的小颗粒。本专利技术优选一种掩膜版精密再生工艺，所述步骤21的浸泡过程包括超声加热溢流清洗。本专利技术优选一种掩膜版精密再生工艺，所述步骤3和步骤4之间还包括步骤31，所述步骤31为：采用压缩空气对步骤3处理后的掩膜版进行吹淋。在进入醇中进行漂洗之前先采用CDA进行吹淋，可以减少掩膜版表面残留的水分，尤其是掩膜版夹缝中的水分，当缝隙太小，醇类进入相对困难的地方，通过CDA吹淋可以更好地去除。进一步地，所述步骤3的纯水漂洗次数为3次，挡板或掩膜版经过第一次纯水漂洗后，已基本去除表面的药液及颗粒，再进行两次漂洗，可以保证掩膜版表面的清洁度。本专利技术优选一种掩膜版精密再生工艺，所述步骤4的醇为异丙醇，异丙醇可与水混同，且挥发性好，便于掩膜版最终的干燥。本专利技术优选一种掩膜版精密再生工艺，所述步骤1之前还包括：对掩膜版进行异常部位外观检查，所述步骤5之后还包括：对掩膜版进行外观检查和光学检测。掩膜版精密再生系统，用于实施掩膜版精密再生工艺，所述系统包括检测组件、药液浸泡装置、吹淋装置、纯水漂洗装置、醇漂洗装置和烘干装置。进一步地，所述系统包括依次设置的第一检测组件、药液浸泡装置、第一吹淋装置、第二药液浸泡槽、第二吹淋装置、纯水漂洗装置、第三吹淋装置、醇漂洗装置、第四吹淋装置、烘干装置以及第二检测组件，所述吹淋装置包括空槽和吹淋组件。本专利技术优选掩膜版精密再生系统，所述吹淋装置包括多个喷嘴，所述喷嘴在所述空槽内沿平行于产品方向布置。进一步地，所述第一检测组件包括表观检测设备，所述第二检测组件包括表观检测设备和自动光学检测设备。本专利技术具有如下的有益效果：1、本专利技术通过有机酸或有机碱对掩膜版进行加热浸泡清洗，并配合超声器，利用热胀冷缩原理和超声振荡原理，清洗掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版精密再生工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：采用有机酸或有机碱对掩膜版进行加热浸泡清洗；/n步骤2：采用纯水和压缩空气对步骤1处理后的掩膜版进行吹淋；/n步骤3：采用纯水对步骤2处理后的掩膜版进行漂洗；/n步骤4：采用易溶于水且易挥发醇对步骤3漂洗后的掩膜版进行漂洗；/n步骤5：对步骤4处理后的掩膜版进行干燥。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版精密再生工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：采用有机酸或有机碱对掩膜版进行加热浸泡清洗；
步骤2：采用纯水和压缩空气对步骤1处理后的掩膜版进行吹淋；
步骤3：采用纯水对步骤2处理后的掩膜版进行漂洗；
步骤4：采用易溶于水且易挥发醇对步骤3漂洗后的掩膜版进行漂洗；
步骤5：对步骤4处理后的掩膜版进行干燥。


2.根据权利要求1所述的一种掩膜版精密再生工艺，其特征在于，所述步骤1的浸泡清洗为超声加热溢流清洗。


3.根据权利要求1或2所述的一种掩膜版精密再生工艺，其特征在于，所述步骤2和步骤3之间还包括步骤21，所述步骤21为：采用有机碱对步骤2处理后的掩膜版进行浸泡，所述步骤21之后还包括步骤22，所述步骤22为：采用纯水和压缩空气对步骤21处理后的掩膜版进行吹淋。


4.根据权利要求3所述的一种掩膜版精密再生工艺，其特征在于，所述步骤21的浸泡过程包括超声加热溢流清洗。


5.根据权利要求1、2或4任一项所述的一种掩膜版精密再生工艺，其特征在于，所述步骤3和步骤4之间还包括步骤3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王照忠，王宏宇，罗雪春，胡家铭，万长明，
申请(专利权)人：成都拓维高科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51