一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器及其电路系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器及其电路系统，该滤波器包括中间介质层以及分别固定在中间介质层相对两侧的两个金属谐振层。每个金属谐振层包括呈阵列排布的多个谐振结构，每个谐振结构包括相对设置的两个“[”形谐振环；两个谐振环围成一个呈正方形区域，且端部相靠近。其中一个金属谐振层的所有谐振结构分别与另一个金属谐振层的所有谐振结构相对应，且相对应的两个谐振结构位于中间介质层同一厚度方向上。谐振环为由铜制成的谐振环，中间介质层为由柔性聚二甲基硅氧烷材料制成的介质层。本实用新型专利技术具有较宽的阻带和良好频率选择特性，克服了现有滤波器的操作频段窄而限制其实际应用的障碍，实现宽阻带的滤波器结构。

A super material wide stopband filter based on MDM structure and its circuit system

The utility model discloses a super material wide stopband filter based on MDM structure and its circuit system. The filter includes an intermediate medium layer and two metal resonance layers fixed on opposite sides of the intermediate medium layer. Each metal resonance layer includes a plurality of resonance structures arranged in an array, and each resonance structure includes two \[\ shaped resonance rings relatively arranged; two resonance rings are surrounded by a square area, and the ends are close to each other. All the resonance structures of one metal resonance layer correspond to all the resonance structures of the other metal resonance layer, and the corresponding two resonance structures are located in the same thickness direction of the middle dielectric layer. The resonance ring is made of copper, and the intermediate layer is made of flexible polydimethylsiloxane. The utility model has wide stopband and good frequency selection characteristics, overcomes the obstacle of the narrow operation frequency band of the existing filter which limits its practical application, and realizes the filter structure of wide stopband.

【技术实现步骤摘要】
一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器及其电路系统
本技术涉及滤波器
的一种宽阻带滤波器，尤其涉及一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，还涉及该滤波器的射频微波电路系统。
技术介绍
电磁超材料可对太赫兹波产生强烈的电磁响应，从而实现对太赫兹波的有效调控，因此被广泛应用于太赫兹科学与
，可实现各种新型的太赫兹功能器件。太赫兹滤波器是太赫兹通信和成像系统的重要功能部件之一，近年来，基于电磁超材料的太赫兹滤波器进展迅速，很多具体的实现结构和方法被陆续提出，极大地促进了太赫兹滤波器的发展。太赫兹宽阻带超材料滤波器主要用于太赫兹频段，实现高精度、宽频带的频率操作。为了实现太赫兹超材料的双频、多频甚至宽频谐振响应特性，从而构造出具有双频带、多频带或宽频带特性的超材料滤波器，现有技术通过将相同谐振结构或不同谐振结构在同一平面内进行排列组合或者进行多层堆叠的方式，实现对太赫兹波的定制化调控，从而获得具有不同滤波特性的太赫兹超材料滤波器。但是，通过这种方式进行排列和堆叠，滤波器的整个设计和仿真过程复杂，制作难度大，并且阻带宽和频率特性一般。
技术实现思路
针对现有的技术问题，本技术提供一种基于M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其包括：中间介质层(2)；以及分别固定在中间介质层(2)相对两侧的两个金属谐振层(1)；其特征在于，每个金属谐振层(1)包括呈阵列排布的多个谐振结构(3)；每个谐振结构(3)包括相对设置的两个“[”形谐振环(4)；两个谐振环(4)围成一个呈正方形区域，且端部相靠近；其中一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)分别与另一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)相对应，且相对应的两个谐振结构(3)位于中间介质层(2)同一厚度方向上；谐振环(4)为由铜制成的谐振环，中间介质层(2)为由柔性聚二甲基硅氧烷材料制成的介质层。

【技术特征摘要】
1.一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其包括：中间介质层(2)；以及分别固定在中间介质层(2)相对两侧的两个金属谐振层(1)；其特征在于，每个金属谐振层(1)包括呈阵列排布的多个谐振结构(3)；每个谐振结构(3)包括相对设置的两个“[”形谐振环(4)；两个谐振环(4)围成一个呈正方形区域，且端部相靠近；其中一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)分别与另一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)相对应，且相对应的两个谐振结构(3)位于中间介质层(2)同一厚度方向上；谐振环(4)为由铜制成的谐振环，中间介质层(2)为由柔性聚二甲基硅氧烷材料制成的介质层。2.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，所述柔性聚二甲基硅氧烷材料的相对介电常数为2.68。3.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，在每个金属谐振层(1)中，所有谐振结构(3)等间距设置。4.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，两个金属谐振层(1)的厚度相同，中间介质层(2)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，王俊林，
申请(专利权)人：内蒙古大学，
类型：新型
国别省市：内蒙古,15