【技术实现步骤摘要】
一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器
本专利技术属于集成电路制造与封装
，具体涉及一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器。
技术介绍
近年来，由于商业应用的驱动，毫米波无线通信得以迅猛的发展，绝大部分毫米波互连与无源器件都是波导形式，其损耗较低。然而，波导结构的体积通常较大，生产成本较高，且与单片微波集成电路(MMICs)难于集成在一个系统上。随后出现的低温共烧陶瓷(LTCC)虽然在微波与毫米波频段内具有稳定的介电常数与较低的损耗，但其较厚的衬底与较大的体积也极大的限制了它的广泛应用。三维集成技术是将传统的二维集成电路垂直堆叠起来，硅通孔作为三维集成电路中关键结构，用于实现三维集成电路上下层芯片间的信号传输，通过硅通孔实现层间垂直互连与封装，从而显著提高了集成度，同时减小了功耗，提高了系统性能。利用硅通孔三维集成技术，将基片集成波导(SIW)结构集成在三维系统中的芯片之上，使其能够与其他异构芯片实现三维集成，从而显著减小整个微波电路系统的体积。然而，由于半导体硅衬底在高频条件下具有较大的损耗，阻碍了基片集成波导结构在三维集成中的广泛应用。
技术实现思路
为了解...
【技术保护点】
1.一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，包括自上而下依次设置的上金属层(1)、上石英基板(2)、中间金属层(3)、下石英基板(4)和下金属层(5)，其中，所述上金属层(1)上设置有用作差分输入端口的第一金属片(6)和第二金属片(7)，以及用作差分输出端口的第三金属片(8)和第四金属片(9)；所述上石英基板(2)上设置有多个第一金属导体柱(21)，所述第一金属导体柱(21)的两端分别与所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)接触；所述下石英基板(4)上设置有多个第二金属导体柱(41)，所述第二金属导体柱(41)的两端分别与所述中间金属层(3)和所述下金属层(5...
【技术特征摘要】
1.一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，包括自上而下依次设置的上金属层(1)、上石英基板(2)、中间金属层(3)、下石英基板(4)和下金属层(5)，其中，所述上金属层(1)上设置有用作差分输入端口的第一金属片(6)和第二金属片(7)，以及用作差分输出端口的第三金属片(8)和第四金属片(9)；所述上石英基板(2)上设置有多个第一金属导体柱(21)，所述第一金属导体柱(21)的两端分别与所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)接触；所述下石英基板(4)上设置有多个第二金属导体柱(41)，所述第二金属导体柱(41)的两端分别与所述中间金属层(3)和所述下金属层(5)接触；所述中间金属层(3)上开设有多个辐射窗口以及绕所述辐射窗口分布的多个耦合窗口，所述多个辐射窗口和所述多个耦合窗口均联通所述上石英基板(3)与所述下石英基板(5)。2.根据权利要求1所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，所述上石英基板(2)上开设有多个上石英基板通孔(22)，每个所述上石英基板通孔(22)中均填充有一个所述第一金属导体柱(21)；所述下石英基板(4)下开设有多个下石英基板通孔(42)，每个所述下石英基板通孔(42)中均填充有一个所述第二金属导体柱(41)。3.根据权利要求1所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，多个所述第一金属导体柱(21)在所述上石英基板(2)上形成对称的两个上长方形结构，并且多个所述第一金属导体柱(21)、所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)在所述两个上长方形结构处分别形成第一阶谐振腔(R1)和第四阶谐振腔(R4)。4.根据权利要求1所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，所述第一金属片(6)和所述第二金属片(7)的至少一部分延伸到第一阶谐振腔(R1)的上方，所述第三金属片(8)和所述第四金属片(9)的至少一部分延伸到第四阶谐振腔(R4)的上方。5.根据权利要求4所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)的第一侧壁上开设有第一凹槽(11)和第二凹槽(12)，所述第一金属片(6)形成于第一凹槽(11)中，第二金属片(7)形成于第二凹槽(12)中；所述上金属层(1)的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上开设有第三凹槽(13)和第四凹槽(14)，第三金属片(8)形成于第三凹槽(13)中，第四金属片(9)形成于第四凹槽(14)中。6.根据权利要求3所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器，其特征在于，所述中...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓贤，朱樟明，杨银堂，刘阳，卢启军，尹湘坤，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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