具有耦合相邻谐振器的桥的射频谐振器制造技术

技术编号:22311723 阅读:85 留言:0更新日期:2019-10-16 11:39
提供了一种用于耦合两个射频谐振器的虹桥(100)。该桥包括介电材料的主体、孔(202,302,402,502,602)、和导电涂层。介电材料的主体具有外露的第一表面区域和预定长度、宽度、以及厚度,并且具有沿主体的长度的伸长形状。孔(202,302,402,502,602)沿主体的宽度穿过该主体设置,孔(202,302,402,502,602)具有形成主体的第二表面区域的壁(222)。导电涂层覆盖主体的外露的第一表面区域和主体的第二表面区域的第一部分。第二表面区域的第二部分(112,312,512)没有导电涂层,形成孔(202,302,402,502,602)的壁(222)的非导电部分。还描述了一种调谐这种用于耦合射频谐振器的桥的方法。

RF resonator with bridge coupling adjacent resonators

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有耦合相邻谐振器的桥的射频谐振器
本专利技术涉及射频谐振器领域和调谐射频谐振器的方法。
技术介绍
随着无线电设备变得更加紧凑和集成,有对生产具有小体积或小形状尺寸的低损耗、大功率的滤波器的新需求。这主要是为了使得部件能够被紧凑地包装并与用于多输入多输出(multipleinputmultipleoutput,MIMO)系统的大型天线阵列结合使用。在这种无线电系统的最终组装之前,滤波器部件需要以频率和带宽校准的形式进行配置,以使其符合所需的规范。金属螺钉或介电螺钉已被用于扰动电磁场,以用于各种滤波器类型中的频率或带宽调整。例如,机械或分立的螺母和螺钉部件可以与空腔滤波器和固体介电谐振器一起使用。与等效空腔滤波器相比,所使用的高介电材料的性质得到小的滤波器,因此调谐机构需要甚至更小的部件。除此之外,分立的调谐元件和滤波器本身的接地之间必须保持有效的接触,分立的调谐元件和滤波器本身的接地可以完全被导电涂层覆盖。这产生了机械复杂性的问题,并且需要供工具(例如,螺母)进入的更大区域还引入了在对准期间损坏部件的可能性。以上使得固体介电多模滤波器的精确配置和集成成为问题,并且可能妨碍它们在商业无线电系统中的应用。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种用于耦合两个射频谐振器的桥,其至少部分地解决了现有技术的一个或多个问题。本专利技术实施例的另一目的是提供一种至少两个射频谐振器的系统,在该系统中可以对相邻谐振器的谐振模式之间的耦合进行调谐。本专利技术实施例的另一目的是提供一种调谐用于耦合两个射频谐振器的桥的方法。根据第一方面,提供了一种用于耦合两个射频谐振器的桥。该桥可以是虹桥(irisbridge)或允许两个相邻谐振器的耦合的任意其他类型的桥。该桥包括介电材料的主体,该介电材料的主体具有外露的第一表面区域、预定长度、宽度、以及厚度,并且具有沿该主体的长度的伸长形状。当桥用于耦合两个射频谐振器并相应地放置在这两个射频谐振器之间时,谐振器的相邻表面可以沿宽度从桥的相对侧附接到桥。桥可以具有平行六面体形状并且包括多个表面区域,在这种情况下,两个谐振器可以沿桥的主体的宽度附接到相对的表面区域。外露的第一表面区域涉及不与两个谐振器中的任一个接触的主体的表面的部分。桥还包括沿主体的宽度穿过主体设置的孔,该孔具有形成主体的第二表面区域的壁。该壁是孔的内壁,因此第二表面区域可以称为孔的内表面。桥还包括导电涂层,该导电涂层覆盖主体的外露的第一表面区域和主体的第二表面区域的第一部分;其中,第二表面区域的第二部分没有导电涂层,其形成孔的壁的非导电部分。导电涂层由高导电材料形成。该导电材料可以是金属。被导电层覆盖的表面区域提供桥外部的附加电接地平面。如下进一步详细描述的,孔的壁的非导电部分与孔内部的第二表面区域中被导电涂覆的第一部分组合形成谐振结构。根据第一方面的桥使得在分开但相邻的谐振器中的至少两个模式的耦合能够被精确地控制。本专利技术实施例提供的控制允许用单件介电材料(例如陶瓷)制造完整的射频滤波器。滤波器的谐振器之间的耦合可以通过本文所描述的整体式桥来提供。桥可以是用于耦合两个单模、双模、或多模射频谐振器的桥。桥可具有伸长平行六面体形状或适合于系统设计的任何其他伸长形状。伸长形状是指长度大于宽度和厚度的形状。在根据第一方面的桥的第一种可能的实现形式中,孔的非导电部分从孔的边缘延伸到孔内。因此,孔的非导电部分“开始”于孔的边缘处。这形成了一个柱,其中,其现有的边界条件可以随着柱变成开路短截线而改变,其频率谐振不同于待耦合的模式的任一频率。然后可以基于第二表面区域的第一部分和第二部分(导电区域和非导电区域)的比例来调节耦合。在根据第一方面或其任一实现形式的桥的第二种可能的实现形式中,孔穿过主体的中心区域设置。当桥被置于两个谐振器的相邻表面之间的中心区域时,桥的中心部分的耦合最强,因此穿过中心区域设置的孔对耦合可以具有更大的影响。在根据第一方面或其任一实现形式的桥的第三种可能的实现形式中,孔穿过偏离主体的中心的区域设置。如果需要较低的耦合调节灵敏度,则可能需要这种设置。该实现形式也可适用于其中桥体的长度较长的某些设计考虑。在根据第一方面或其任一实现形式的桥的第四种可能的实现形式中,孔具有圆柱形状,并且该圆柱的直径小于主体的厚度。在根据第一方面的第一种实现形式的桥的第五种可能的实现形式中,孔为具有带锥形顶部的圆柱形状,该锥形顶部靠近孔的边缘,孔的壁的非导电部分从孔的边缘延伸到孔内。圆柱形状的孔可以更易于制造。具有圆锥台形状的孔更便于从其表面区域部分地去除导电涂层。在根据第一方面或其任一实现形式的桥的第四种可能的实现形式中,第二表面区域的第二部分覆盖孔的壁的至少25%。去除导电涂层使得谐振器的两种模式之间的耦合量减少。在将25%的导电涂层从表面区域去除之后,柱高度和耦合量之间的关系变得基本线性,这提供了最佳控制。在根据第一方面或其任一实现形式的桥的第七种可能的实现形式中,主体包括与沿主体的长度的伸长形状正交的附加伸长部分。附加伸长部分包括穿过附加伸长部分设置的附加孔,并且附加孔与沿主体的宽度穿过主体设置的原有的孔正交并对称。在本实现方式中,根据第三种实现方式,原有的孔穿过偏离主体的中心的区域设置。这为主体的附加伸长部分提供了空间,其可以与主体的主要部分的长度正交。在相邻谐振器是双模或多模射频谐振器的情况下,桥中正交的孔使其能够将相邻谐振器的两个正交模式耦合。在根据第一方面或其任一实现形式的桥的第八种可能的实现形式中,桥包括沿主体的宽度穿过主体设置的两个或更多个孔。这种配置对于更精细的耦合调整或由于谐振器的设计考虑,可能是优选的。类似于原有的孔,每个孔具有形成主体的附加表面区域的壁,并且这些表面区域中的每个的一部分可以没有导电涂层,形成孔的壁的非导电部分。在这些孔中形成的柱可以具有不同或相似的高度。根据第二方面,提供了一种系统。该系统可以是滤波器或滤波器的一部分。该系统包括至少两个射频谐振器,每个射频谐振器包括具有预定形状且包括表面区域的介电材料的单块。上述至少两个射频谐振器包括相邻的射频谐振器。射频谐振器可以是单模、双模、或多模射频谐振器。该系统还包括用于耦合相邻射频谐振器的至少一个桥,该桥被置于相邻射频谐振器之间且物理连接到相邻射频谐振器的相对表面区域。该桥是根据第一方面的第一种至第八种实现形式的任一实现形式的或第一方面的桥。在根据第二方面的系统的第一种可能的实现形式中,介电材料的主体的长度小于或等于射频谐振器的相邻表面层的宽度,并且该桥用于耦合相邻射频谐振器之间的谐振频率。桥的介电材料的主体的最大长度受到相邻表面层的宽度的限制,该最大长度提供通过桥的最大耦合。在根据第二方面的系统的第二种可能的实现形式中,桥的主体包括与沿主体的长度的伸长形状正交的附加伸长部分,该附加伸长部分具有穿过附加伸长部分设置的附加孔。该实现形式中的射频谐振器是多模射频谐振器;并且桥用于耦合相邻多模射频谐振器的两个正交谐振模式。该系统的该实现形式可以参考第一方面的桥的第三种实现形式。在根据第二方面或根据第二方面的任一前述实现形式的系统的第三种可能的实现形式中,射频谐振器的单块包括与桥的主体相同的介电材料。在根据第三种实现形式的系统的第四种可能的实现形式中,该介电材料是陶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于耦合两个射频谐振器的桥(100),所述桥包括:介电材料的主体,具有外露的第一表面区域、预定长度、宽度、以及厚度,并且具有沿所述主体的所述长度的伸长形状;孔(202,302,402,502,602),沿所述主体的所述宽度穿过所述主体设置,所述孔(202,302,402,502,602)具有形成所述主体的第二表面区域的壁(222);以及导电涂层,覆盖所述主体的所述外露的第一表面区域和所述主体的所述第二表面区域的第一部分;其中,所述第二表面区域的第二部分(112,312,512)没有导电涂层,形成所述孔(202,302,402,502,602)的所述壁(222)的非导电部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于耦合两个射频谐振器的桥(100),所述桥包括:介电材料的主体,具有外露的第一表面区域、预定长度、宽度、以及厚度,并且具有沿所述主体的所述长度的伸长形状;孔(202,302,402,502,602),沿所述主体的所述宽度穿过所述主体设置,所述孔(202,302,402,502,602)具有形成所述主体的第二表面区域的壁(222);以及导电涂层,覆盖所述主体的所述外露的第一表面区域和所述主体的所述第二表面区域的第一部分;其中,所述第二表面区域的第二部分(112,312,512)没有导电涂层,形成所述孔(202,302,402,502,602)的所述壁(222)的非导电部分。2.根据权利要求1所述的桥,其中,所述孔(202,302,402,502,602)的所述壁的所述非导电部分从所述孔(202,302,402,502,602)的边缘延伸到所述孔(202,302,402,502,602)内。3.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述孔(202,302,402,502,602)穿过所述主体的中心区域设置。4.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述孔(202,302,402,502,602)穿过偏离所述主体的中心的区域设置。5.根据权利要求1至4中任一项所述的桥,其中,所述孔(202)具有圆柱形状,并且所述圆柱的直径小于所述主体的所述厚度。6.根据权利要求2或3所述的桥,其中,所述孔(302,402,502,602)具有带锥形顶部的圆柱形状,所述锥形顶部靠近所述孔的所述边缘,所述孔的所述壁的所述非导电部分从所述孔的所述边缘延伸到所述孔内。7.根据权利要求1至6中任一项所述的桥,其中,所述第二表面区域的所述第二部分(112,312,512)覆盖所述孔的所述壁的至少25%。8.根据权利要求1至7中任一项所述的桥(500),其中:所述主体包括与沿所述主体的所述长度的所述伸长形状正交的附加伸长部分,所述附加伸长部分包括穿过所...

【专利技术属性】
技术研发人员:迈克尔·盖斯
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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