下电复位电路及电源装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种下电复位电路及电源装置，在线性稳压器的输入电压小于预设电压阈值时，输出复位信号，并通过锁存模块锁存复位信号，在输入电压下电时保持复位信号有效。最后，通过在半导体开关管的受控端接收到复位信号时，导通半导体开关管的第一开关端和第二开关端。通过半导体开关管泄放线性稳压器的输出端电荷，加速放电。基于此，在降低复位电路的体积的同时，提高放电的速度和可靠性。

Power down reset circuit and power supply device

The invention relates to a power down reset circuit and a power supply device. When the input voltage of the linear voltage regulator is less than the preset voltage threshold, the reset signal is output, and the reset signal is locked by the latch module, so as to keep the reset signal effective when the input voltage is powered down. Finally, when the controlled end of the semiconductor switch receives the reset signal, the first switch end and the second switch end of the semiconductor switch are turned on. The output charge of the linear regulator is discharged through the semiconductor switch to accelerate the discharge. Based on this, while reducing the volume of reset circuit, improving the speed and reliability of discharge.

【技术实现步骤摘要】
下电复位电路及电源装置
本专利技术涉及电子电路
，特别是涉及一种下电复位电路及电源装置。
技术介绍
线性稳压器作为新一代的集成电路稳压器，可提供稳定的电源电压，被广泛应用在MCU系统中。传统的线性稳压器一般具有使能功能，当系统上电时，在使能信号的作用下，线性稳压器工作在有效状态。当系统掉电时或线性稳压器工作在睡眠状态时，线性稳压器的功率管被关断，输出负载电容通过负载电阻以及反馈电阻放电。当负载电容较大，负载电阻和反馈电阻都比较大时，放电时间会比较长。通常地，放电时间一般是秒的量级。此时，如果使能信号出现高频率切换或抖动时，线性稳压器的功率管会快速的导通并对输出负载电容不断充电，由于放电时间比较长，就会造成输出电压不断增加。当电荷累积到一定程度就会造成与输出电压相关的器件损坏，包括线性稳压器本身的器件和系统中线性稳压器的负载器件。在传统的线性稳压器中，一般是通过RC复位电路来满足线性稳压器的下电复位。然而，由于RC复位电路的体积较大，容易占用过多的电路版图，难以适应日益发展的现代工艺要求。
技术实现思路
基于此，有必要针对RC复位电路的体积较大，容易占用过多的电路版图，难以适应日益发展的现代工艺要求，提供一种下电复位电路及电源装置。一种下电复位电路，包括：电压检测模块；电压检测模块用于检测线性稳压器的输入电压，在输入电压小于预设电压阈值时，输出复位信号；锁存模块；锁存模块用于锁存复位信号；半导体开关管；半导体开关管的受控端用于接入经锁存后的复位信号，半导体开关管的第一开关端用于接入线性稳压器的输出电压，半导体开关管的第二开关端用于连接公共端；半导体开关管用于在半导体开关管的受控端接入复位信号时，导通半导体开关管的第一开关端和第二开关端。上述下电复位电路，在线性稳压器的输入电压小于预设电压阈值时，输出复位信号，并通过锁存模块锁存复位信号，在输入电压下电时保持复位信号有效。最后，通过在半导体开关管的受控端接收到复位信号时，导通半导体开关管的第一开关端和第二开关端。通过半导体开关管泄放线性稳压器的输出端电荷，加速放电。基于此，在降低复位电路的体积的同时，提高放电的速度和可靠性。在其中一个实施例中，还包括：电压域转换模块；电压域转换模块用于将复位信号转换为输出电压。在其中一个实施例中，电压检测模块包括：电平判断单元；电平判断单元用于检测输入电压，在输入电压小于预设电压阈值时输出第一开关信号，在输入电压大于预设电压阈值时输出第二开关信号；分压单元；分压单元一端用于接入输入电压；受控开关；受控开关的第一开关端连接分压单元的另一端，受控开关的第二开关端用于连接公共端；受控开关用于在接收到第一开关信号时导通受控开关的第一开关端和第二开关端，否则断开受控开关的第一开关端和第二开关端；非门单元；非门单元的输入端连接受控开关的第一开关端，非门单元的输出端用于输出复位信号。在其中一个实施例中，电平判断单元包括：第一PMOS管；第一PMOS管的源极用于接入输入电压，第一PMOS管的栅极连接第一PMOS管的漏极；第二PMOS管；第二PMOS管的源极连接第一PMOS管的漏极，第二PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极用于输出第一开关信号或第二开关信号；第三PMOS管；第三PMOS管的源极连接第二PMOS管的漏极，第三PMOS管的栅极连接第三PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极用于连接公共端。在其中一个实施例中，受控开关包括：第一NMOS管；第一NMOS管的漏极连接分压单元的另一端，第一NMOS管的源极用于连接公共端；第一NMOS管的栅极用于接收第一开关信号或第二开关信号。在其中一个实施例中，非门单元包括斯密特触发器。在其中一个实施例中，电压域转换模块包括：第四PMOS管；第四PMOS管的源极用于接入输入电压，第四PMOS管的栅极用于接入复位信号。第五PMOS管；第五PMOS管的源极用于接入输出电压，第五PMOS管的栅极连接第四PMOS管的漏极；第六PMOS管；第六PMOS管的源极用于接入输出电压，第六PMOS管的栅极连接第五PMOS管的漏极，第六PMOS管的漏极连接半导体开关管的受控端；第二NMOS管；第二NMOS管的栅极连接第四PMOS管的栅极，第二NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极，第二NMOS管的源极用于连接公共端；第三NMOS管；第三NMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极，第三NMOS管的漏极连接第五PMOS管的漏极，第三NMOS管的源极用于连接公共端；第四NMOS管；第四NMOS管的栅极连接第六PMOS管的栅极，第四NMOS管的漏极连接第六PMOS管的漏极，第四NMOS管的源极用于连接公共端。在其中一个实施例中，锁存模块包括：第七PMOS管；第七PMOS管的源极用于接入输入电压；第八PMOS管；第八PMOS管的源极用于接入输入电压；第九PMOS管；第九PMOS管的漏极连接第八PMOS管的漏极，第九PMOS管的源极连接第七PMOS管的栅极；第十PMOS管；第十PMOS管的栅极用于接入复位信号，第十PMOS管的源极用于接入输入电压，第十PMOS管的漏极连接第九PMOS管的漏极；第十一PMOS管；第十一PMOS管的源极用于接入输入电压，第十一PMOS管的栅极连接第七PMOS管的漏极；第十二PMOS管；第十二PMOS管的漏极连接第十一PMOS管的漏极，第十二PMOS管的源极连接第九PMOS管的源极；第十三PMOS管；第十三PMOS管的源极用于接入输入电压，第十三PMOS管的栅极连接第十二PMOS管的源极，第十三PMOS管的漏极连接第八PMOS管的栅极，第十三PMOS管的漏极还用于输出锁存后的复位信号；第十四PMOS管；第十四PMOS管的源极用于接入输入电压，第十四PMOS管的漏极连接第十二PMOS管的栅极，第十四PMOS管的栅极连接第九PMOS管的栅极；第五NMOS管；第五NMOS管的漏极连接第七PMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极连接第七PMOS管的栅极，第五NMOS管的源极用于连接公共端；第六NMOS管；第六NMOS管的源极连接第九PMOS管的源极，第六NMOS管的栅极连接第十四PMOS管的漏极；第七NMOS管；第七NMOS管的漏极连接第六NMOS管的漏极，第七NMOS管的栅极连接第十三PMOS管的漏极，第七NMOS管的源极用于连接公共端；第八NMOS管；第八NMOS管的源极连接第十二PMOS管的源极，第八NMOS管的栅极连接第十四PMOS管的栅极；第九NMOS管；第九NMOS管的漏极连接第八NMOS管的漏极，第九NMOS管的栅极连接第七PMOS关的漏极，第九NMOS管的源极用于连接公共端；第十NMOS管；第十NMOS管的漏极连接第十三PMOS管的漏极，第十NMOS管的栅极连接第十三PMOS管的栅极，第十NMOS管的源极用于连接公共端；第十一NMOS管；第十一NMOS管的漏极连接第十四PMOS管的漏极，第十一NMOS管的栅极连接第十四PMOS管的栅极，第十一NMOS管的源极用于连接公共端。在其中一个实施例中，半导体开关管包括第十二NMOS管；第十二NMOS管的栅极用于接入复位信号，第十二NMOS管的漏极用于接入输出电压，第十二NMOS管的源极用于连接公共端。一种电源装置，包括线性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种下电复位电路，其特征在于，包括：电压检测模块；所述电压检测模块用于检测线性稳压器的输入电压，在所述输入电压小于预设电压阈值时，输出复位信号；锁存模块；所述锁存模块用于锁存所述复位信号；半导体开关管；所述半导体开关管的受控端用于接入经锁存后的所述复位信号，所述半导体开关管的第一开关端用于接入所述线性稳压器的输出电压，所述半导体开关管的第二开关端用于连接公共端；所述半导体开关管用于在所述半导体开关管的受控端接入复位信号时，导通所述半导体开关管的第一开关端和第二开关端。

【技术特征摘要】
1.一种下电复位电路，其特征在于，包括：电压检测模块；所述电压检测模块用于检测线性稳压器的输入电压，在所述输入电压小于预设电压阈值时，输出复位信号；锁存模块；所述锁存模块用于锁存所述复位信号；半导体开关管；所述半导体开关管的受控端用于接入经锁存后的所述复位信号，所述半导体开关管的第一开关端用于接入所述线性稳压器的输出电压，所述半导体开关管的第二开关端用于连接公共端；所述半导体开关管用于在所述半导体开关管的受控端接入复位信号时，导通所述半导体开关管的第一开关端和第二开关端。2.根据权利要求1所述的下电复位电路，其特征在于，还包括：电压域转换模块；所述电压域转换模块用于将所述复位信号转换为所述输出电压。3.根据权利要求1所述的下电复位电路，其特征在于，所述电压检测模块包括：电平判断单元；所述电平判断单元用于检测所述输入电压，在所述输入电压小于预设电压阈值时输出第一开关信号，在所述输入电压大于预设电压阈值时输出第二开关信号；分压单元；所述分压单元一端用于接入所述输入电压；受控开关；所述受控开关的第一开关端连接所述分压单元的另一端，所述受控开关的第二开关端用于连接公共端；所述受控开关用于在接收到所述第一开关信号时导通所述受控开关的第一开关端和第二开关端，否则断开所述受控开关的第一开关端和第二开关端；非门单元；所述非门单元的输入端连接所述受控开关的第一开关端，所述非门单元的输出端用于输出所述复位信号。4.根据权利要求3所述的下电复位电路，其特征在于，所述电平判断单元包括：第一PMOS管；所述第一PMOS管的源极用于接入所述输入电压，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极；第二PMOS管；所述第二PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极用于输出第一开关信号或第二开关信号；第三PMOS管；所述第三PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极用于连接公共端。5.根据权利要求3所述的下电复位电路，其特征在于，所述受控开关包括：第一NMOS管；所述第一NMOS管的漏极连接所述分压单元的另一端，所述第一NMOS管的源极用于连接公共端；所述第一NMOS管的栅极用于接收所述第一开关信号或第二开关信号。6.根据权利要求3所述的下电复位电路，其特征在于，所述非门单元包括斯密特触发器。7.根据权利要求2所述的下电复位电路，其特征在于，所述电压域转换模块包括：第四PMOS管；所述第四PMOS管的源极用于接入所述输入电压，所述第四PMOS管的栅极用于接入所述复位信号；第五PMOS管；所述第五PMOS管的源极用于接入所述输出电压，所述第五PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的漏极；第六PMOS管；所述第六PMOS管的源极用于接入所述输出电压，所述第六PMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的漏极连接所述半导体开关管的受控端；第二NMOS管；所述第二NMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，所述第二NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极用于连接公共端；第三NMOS管；所述第三NMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的栅极，所述第三NMOS管的漏极连接所述第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭振宇，韩智毅，
申请(专利权)人：广东华芯微特集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44