半导体装置及模块制造方法及图纸

[问题]提供一种半导体装置，利用该半导体装置可以在使芯片面积最小化的同时改善耐压。[解决方案]提供了一种半导体装置，配备有：第一端子，被供给高频信号；第二端子，输出高频信号；第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件，串联电连接在第一端子与第二端子之间；第一电容器，设置在第一开关元件与第二开关元件之间的第一节点与第一端子之间；以及第二电容器，设置在第二开关元件与第三开关元件之间的第二节点与第一端子之间。第一电容器的电容大于第二电容器的电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及模块
本公开涉及一种半导体装置及模块。
技术介绍
用于切换高频信号的高频开关设置在移动通信系统中使用的便携式终端(诸如携带式电话)的前端。作为这种高频开关的开关元件，已使用基于化合物(诸如GaAs)的场效应晶体管(FET)。此外，近来，使用可以利用包括硅基器件的外围电路(例如，频率转换电路等)巩固的绝缘体上硅(SOI)基板的硅基FET也开始用作上述开关元件。在高频开关中，多个上述基于化合物的FET或者硅基FET用作开关元件，并且采用多个FET串联地电连接的多级配置来确保期望耐压。采用这种多级配置的高频开关的一个实施例是以下专利文献1中公开的半导体装置。引用列表专利文献专利文件1：日本专利申请公开第H11-136111号
技术实现思路
本专利技术待解决的问题然而，在采用多个FET串联连接的多级配置的情况下，耐压增强，但是高频开关的芯片面积扩大，难以抑制制造成本的增加。此外，即使在采用上述多级配置的情况下，高压局部施加于特定的FET，并且被施加高压的FET可能发生故障。因此，通过多级配置增强耐压已受限制。因此，本公开提出一种能够在抑制芯片面积扩大的同时增强耐压的新颖的且改进的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：第一端子，被供给高频信号；第二端子，输出所述高频信号；第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件，所述第一开关元件、所述第二开关元件及所述第三开关元件串联电连接在所述第一端子与所述第二端子之间；第一电容器，设置在所述第一端子与第一节点之间，其中，所述第一节点在所述第一开关元件与所述第二开关元件之间；以及第二电容器，设置在所述第一端子与第二节点之间，其中，所述第二节点在所述第二开关元件与所述第三开关元件之间，其中，所述第一电容器的电容大于所述第二电容器的电容。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.22 JP 2017-0557871.一种半导体装置，包括：第一端子，被供给高频信号；第二端子，输出所述高频信号；第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件，所述第一开关元件、所述第二开关元件及所述第三开关元件串联电连接在所述第一端子与所述第二端子之间；第一电容器，设置在所述第一端子与第一节点之间，其中，所述第一节点在所述第一开关元件与所述第二开关元件之间；以及第二电容器，设置在所述第一端子与第二节点之间，其中，所述第二节点在所述第二开关元件与所述第三开关元件之间，其中，所述第一电容器的电容大于所述第二电容器的电容。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电容器由设置在半导体基板上的所述第一开关元件的一个电极和通过绝缘膜设置在所述第一开关元件的所述一个电极上方的第一金属膜形成，并且所述第二电容器由设置在所述半导体基板上的所述第二开关元件的一个电极和通过所述绝缘膜设置在所述第二开关元件的所述一个电极上方的第二金属膜形成。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在从所述半导体基板的上方观察的情况下，所述第一金属膜的面积大于所述第二金属膜的面积。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一金属膜和所述第二金属膜在层压在所述半导体基板上的层压结构中位于同一层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一金属膜和所述第二金属膜彼此耦接以形成一个金属膜。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一金属膜和第二金属膜在层压在所述半导体基板上的层压结构中位于不同层。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件是场效应晶体管。8.一种半导体装置，包括：第一端子，被供给高频信号；第二端子，输出所述高频信号；多个开关元件，串联电连接在所述第一端子与所述第二端子之间；以及多个电容器，各个所述电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口贤治，鲤森俊行，永野弘明，上村正哉，中山恵，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP