用于电子雷管的抗高低温的通讯电路及电子雷管制造技术

本发明专利技术涉及电路的技术领域，公开了用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，包括保险丝F1、电阻R1、高速开关二极管D1、电阻R2、电阻R3、单片机MCU、电阻R4、三极管Q1、电阻R5、二极管D2、二极管D3以及电阻R6；本发明专利技术提供的用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，使得电子雷管在高温或者低温环境下都能正常通讯，结构简单，易于实现。

High and low temperature resistant communication circuit and electronic detonator for electronic detonator

The invention relates to the technical field of circuit, and discloses the high and low temperature resistant communication circuit for electronic detonator, including fuse F1, resistance R1, high-speed switch diode D1, resistance R2, resistance R3, MCU, resistance R4, triode Q1, resistance R5, diode D2, diode D3 and resistance R6; the high and low temperature resistant communication circuit for electronic detonator provided by the invention makes electricity The sub detonator can communicate normally in high or low temperature environment, with simple structure and easy implementation.

【技术实现步骤摘要】
用于电子雷管的抗高低温的通讯电路及电子雷管
本专利技术涉及电路的
，尤其是用于电子雷管的抗高低温的通讯电路及电子雷管。
技术介绍
电子雷管，又称数码电子雷管、数码雷管或工业数码电子雷管，即采用电子控制模块对起爆过程进行控制的电雷管。电子雷管的工作环境比较恶劣，根据《WJ9085-2015工业数码电子雷管》的耐温度冲击性能要求：电子雷管经-40℃保持3h，80℃保持3h,温度转换时间20s～30s,循环3次，取出后常温保持1h,电子雷管应能正常起爆。而现有的多数电子雷管处在高温或者低温的环境中，电子雷管会因为电子元器件的性能变化不能正常通讯，无法满足用户的使用需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供用于电子雷管的抗高低温的通讯电路以及电子雷管，旨在解决现有技术中电子雷管无法在高低温环境下正常通讯的问题。本专利技术是这样实现的，第一方面，本专利技术提供了用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，包括保险丝F1、电阻R1、高速开关二极管D1、电阻R2、电阻R3、单片机MCU、电阻R4、三极管Q1、电阻R5、二极管D2、二极管D3以及电阻R6；所述保险丝F1的第一端耦接于所述电阻R1的第一端，所述保险丝F1的第二端耦接于直流线路V+，所述高速开关二极管D1具有6个脚(1脚、2脚、3脚、4脚、5脚、6脚)，所述电阻R1的第二端耦接于所述高速开关二极管的4脚，所述高速开关二极管的1脚和6脚分别接地，所述高速开关二极管的3脚耦接于直流线路V-，所述高速开关二极管的2脚和5脚分别耦接于所述电阻R2的第一端，所述R3的第一端耦接于所述R2的第二端，所述R3的第二端接地，所述单片机MCU的输入端耦接于所述电阻R2和电阻R3的连接点，所述R4的第一端耦接于所述单片机MCU的输出端，所述三极管Q1的基极耦接于所述R4的第二端，所述三极管Q1的发射极接地，所述电阻R5的第一端耦接于所述三极管Q1的集电极，所述R5的第二端耦接于所述R2的第一端，所述二极管D2的正极耦接于所述电阻R5的第二端，所述二极管D3的正极耦接于所述二极管D2的负极，所述二极管D3的负极耦接于VDD电压，所述电阻R6的第一弹耦接于所诉二极管D2和二极管D3的连接点，所述电阻R6的第二端接地。第二方面，本专利技术提供了电子雷管，包含如上所述的用于电子雷管的抗高低温的通讯电路。与现有技术相比，本专利技术提供的用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，使得电子雷管在高温或者低温环境下都能正常通讯，结构简单，易于实现。附图说明图1是本专利技术实施例提供的用于电子雷管的抗高低温的通讯电路的电路结构图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本专利技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。以下结合具体实施例对本专利技术的实现进行详细的描述。参照图1所示，为本专利技术提供较佳实施例。第一方面，本专利技术提供了用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，包括保险丝F1、电阻R1、高速开关二极管D1、电阻R2、电阻R3、单片机MCU、电阻R4、三极管Q1、电阻R5、二极管D2、二极管D3以及电阻R6；所述保险丝F1的第一端耦接于所述电阻R1的第一端，所述保险丝F1的第二端耦接于直流线路V+，所述高速开关二极管D1具有6个脚(1脚、2脚、3脚、4脚、5脚、6脚)，所述电阻R1的第二端耦接于所述高速开关二极管的4脚，所述高速开关二极管的1脚和6脚分别接地，所述高速开关二极管的3脚耦接于直流线路V-，所述高速开关二极管的2脚和5脚分别耦接于所述电阻R2的第一端，所述R3的第一端耦接于所述R2的第二端，所述R3的第二端接地，所述单片机MCU的输入端耦接于所述电阻R2和电阻R3的连接点，所述R4的第一端耦接于所述单片机MCU的输出端，所述三极管Q1的基极耦接于所述R4的第二端，所述三极管Q1的发射极接地，所述电阻R5的第一端耦接于所述三极管Q1的集电极，所述R5的第二端耦接于所述R2的第一端，所述二极管D2的正极耦接于所述电阻R5的第二端，所述二极管D3的正极耦接于所述二极管D2的负极，所述二极管D3的负极耦接于VDD电压，所述电阻R6的第一弹耦接于所诉二极管D2和二极管D3的连接点，所述电阻R6的第二端接地。这样，通过V+，V-的连接既要实现整个通讯电路的供电，同时还要保证整个通讯电路的正常通讯；保险丝F1是用来保护后面电路不受大电流的影响而损坏，保险丝F1与电阻R1连接是匹配电阻消除部分信号杂波的干扰；高速开关二极管D1使得V+、V-可以无极性地耦接；电阻R2和电阻R3为了保证无论在高压还是在低压的情况下单片机MCU都能接收到通讯信号，电阻R2和电阻R3是起到调整信号波形的作用，电阻R2和电阻R3选用耐高低温的电阻，使信号波形不会因为电阻所处温度环境不同而变形。单片机MCU的输出端向电阻R4输出信号，电阻R4限流隔离三极管Q1和单片机MCU；三极管Q1和电阻R5构成了通讯发射电路；二极管D2、二极管D3以及电阻R6是为了防止在高温或低温的环境下二极管的方向漏电电流变大而影响通讯；为了彻底解决在高温或低温的环境下能正常通讯，通过二极管D3的单通性能使得很少电流反向漏过，选取合适的电阻R6，做二极管D3的负载电阻消耗部分漏电流，再通过二极管D2隔离剩余的漏电流，从而保证整个电路通讯在高温或者低温的情况下不受外界电流的干扰。上述提供的用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，使得电子雷管在高温或者低温环境下都能正常通讯，结构简单，易于实现。第二方面，本专利技术提供了电子雷管，包含如上所述的用于电子雷管的抗高低温的通讯电路；该电子雷管在高温或者低温环境下都能够正常通讯，能够满足实际的使用需求。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，其特征在于，包括保险丝F1、电阻R1、高速开关二极管D1、电阻R2、电阻R3、单片机MCU、电阻R4、三极管Q1、电阻R5、二极管D2、二极管D3以及电阻R6；所述保险丝F1的第一端耦接于所述电阻R1的第一端，所述保险丝F1的第二端耦接于直流线路V+，所述高速开关二极管D1具有6个脚(1脚、2脚、3脚、4脚、5脚、6脚)，所述电阻R1的第二端耦接于所述高速开关二极管的4脚，所述高速开关二极管的1脚和6脚分别接地，所述高速开关二极管的3脚耦接于直流线路V‑，所述高速开关二极管的2脚和5脚分别耦接于所述电阻R2的第一端，所述R3的第一端耦接于所述R2的第二端，所述R3的第二端接地，所述单片机MCU的输入端耦接于所述电阻R2和电阻R3的连接点，所述R4的第一端耦接于所述单片机MCU的输出端，所述三极管Q1的基极耦接于所述R4的第二端，所述三极管Q1的发射极接地，所述电阻R5的第一端耦接于所述三极管Q1的集电极，所述R5的第二端耦接于所述R2的第一端，所述二极管D2的正极耦接于所述电阻R5的第二端，所述二极管D3的正极耦接于所述二极管D2的负极，所述二极管D3的负极耦接于VDD电压，所述电阻R6的第一弹耦接于所诉二极管D2和二极管D3的连接点，所述电阻R6的第二端接地。...

【技术特征摘要】
1.用于电子雷管的抗高低温的通讯电路，其特征在于，包括保险丝F1、电阻R1、高速开关二极管D1、电阻R2、电阻R3、单片机MCU、电阻R4、三极管Q1、电阻R5、二极管D2、二极管D3以及电阻R6；所述保险丝F1的第一端耦接于所述电阻R1的第一端，所述保险丝F1的第二端耦接于直流线路V+，所述高速开关二极管D1具有6个脚(1脚、2脚、3脚、4脚、5脚、6脚)，所述电阻R1的第二端耦接于所述高速开关二极管的4脚，所述高速开关二极管的1脚和6脚分别接地，所述高速开关二极管的3脚耦接于直流线路V-，所述高速开关二极管的2脚和5脚分别耦接于所述电阻R2的第一端，所述R3的第一端耦接于所述R2的第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：马中平，梁玉彬，吁强骏，
申请(专利权)人：广西中爆电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45