一种光电转换效率高的新型黑硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及光电设备技术领域，且公开了一种光电转换效率高的新型黑硅片，包括固定框，所述固定框的底部固定连接有数量为两个的连接块，左侧所述连接块的背面活动连接有第一连接杆。该光电转换效率高的新型黑硅片，通过半球形黑硅片与黑硅片本体的配合使用，半球形黑硅片和其内部的真空槽将强了黑硅片本体表面的钝化处理，减少了反射，增强了黑硅片本体光的吸收率，通过粘接膜和隔热膜的配合使用将，隔热膜的位置进行固定，防止其移动，隔热膜将黑硅片本体进行光伏效应时产生的热量与固定框隔绝，防止热量溢散，实现了光电转换率高的目的，进而减小了黑硅片的衰减速度的问题，提高了工作效率，方便使用。

A new type of black silicon with high photoelectric conversion efficiency

【技术实现步骤摘要】
一种光电转换效率高的新型黑硅片
本技术涉及光电设备
，具体为一种光电转换效率高的新型黑硅片。
技术介绍
黑硅是最新研究发现的一种能大幅提高光电转换效率的新型电子材料，黑硅材料能够捕捉几乎全部日光，它就像一块吸收光的海绵，可见光和红外线都能吸收，这种材料能够提高光的使用效率，产生的电流是传统硅材料的几百倍，此外，黑硅还可以减少光传感器的硅使用量，使产品更加便宜、小巧和轻便。现有的黑硅片虽然进行了钝化，能够进行光伏效应，但是在使用的过程中存在光伏效应产生的热量会溢出流失，降低了光电转换率，增大了黑硅片的衰减速度，故而提出一种光电转换效率高的新型黑硅片来解决上述所提出的问题。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种光电转换效率高的新型黑硅片，具备光电转换率高等优点，解决了现有的黑硅片虽然进行了钝化，能够进行光伏效应，但是在使用的过程中存在光伏效应产生的热量会溢出流失，降低了光电转换率，增大了黑硅片的衰减速度的问题。(二)技术方案为实现上述光电转换率高的目的，本技术提供如下技术方案：一种光电转换效率高的新型黑硅片，包括固定框，所述固定框的底部固定连接有数量为两个的连接块，左侧所述连接块的背面活动连接有第一连接杆，所述第一连接杆远离连接块的一端固定连接有调节块，所述调节块的正面活动连接有定位钉，所述调节块的正面通过定位钉活动连接有第二连接杆，所述固定框的内部开设有安装槽，所述固定框的内部通过安装槽固定连接有粘接膜，所述粘接膜的顶部固定连接有隔热膜，所述隔热膜的顶部固定连接有反射膜，所述反射膜的顶部固定连接有黑硅片本体，所述黑硅片本体的顶部固定连接有半球形黑硅片，所述半球形黑硅片的内部开设有真空槽，所述黑硅片本体的顶部且位于半球形黑硅片的外侧分别开设有十字纵横交错的主格栅槽和副格栅槽。优选的，所述连接块的正面活动连接有活动杆，所述第二连接杆远离调节块的一端和位于右侧的连接块活动连接。优选的，左右两侧所述连接块的正面均通过活动杆分别与第一连接杆和第二连接杆活动连接。优选的，所述调节块的正面开设有定位槽，所述定位钉的大小与调节块正面开设的定位槽的大小相适配。优选的，所述安装槽的大小与粘接膜的大小相适配，所述隔热膜的左右两侧均与粘接膜固定连接。优选的，所述反射膜的左右两均与粘接膜固定连接，所述黑硅片本体的左右两侧通过粘接膜与固定框顶部的左右两侧固定连接。(三)有益效果与现有技术相比，本技术提供了一种光电转换效率高的新型黑硅片，具备以下有益效果：1、该光电转换效率高的新型黑硅片，通过半球形黑硅片与黑硅片本体的配合使用，半球形黑硅片和其内部的真空槽将强了黑硅片本体表面的钝化处理，减少了反射，增强了黑硅片本体光的吸收率，通过粘接膜和隔热膜的配合使用将，隔热膜的位置进行固定，防止其移动，隔热膜将黑硅片本体进行光伏效应时产生的热量与固定框隔绝，防止热量溢散，实现了光电转换率高的目的，进而减小了黑硅片的衰减速度的问题，提高了工作效率，方便使用。2、该光电转换效率高的新型黑硅片，通过固定框的使用，将黑硅片本体保护在其内部，防止黑硅片本体受到磕碰而破裂，通过第一连接杆和第二连接杆的配合使用，调节定位钉在调节块上的位置，可以使黑硅片本体进行角度的调节适应不同时间段的阳光，实现了稳定方便的目的。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术俯视图；图3为本技术图1中A处放大图。图中：1固定框、2连接块、3第一连接杆、4调节块、5定位钉、6第二连接杆、7安装槽、8粘接膜、9隔热膜、10反射膜、11黑硅片本体、12真空槽、13半球形黑硅片、14主格栅槽、15副格栅槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，一种光电转换效率高的新型黑硅片，包括固定框1，固定框1的底部固定连接有数量为两个的连接块2，连接块2的正面活动连接有活动杆，左侧连接块2的背面活动连接有第一连接杆3，第一连接杆3远离连接块2的一端固定连接有调节块4，调节块4的正面活动连接有定位钉5，调节块4的正面开设有定位槽，定位钉5的大小与调节块4正面开设的定位槽的大小相适配，调节块4的正面通过定位钉5活动连接有第二连接杆6，第二连接杆6远离调节块4的一端和位于右侧的连接块2活动连接，左右两侧连接块2的正面均通过活动杆分别与第一连接杆3和第二连接杆6活动连接，通过第一连接杆3和第二连接杆6的配合使用，调节定位钉5在调节块4上的位置，可以使黑硅片本体11进行角度的调节适应不同时间段的阳光，实现了稳定方便的目的，固定框1的内部开设有安装槽7，安装槽7的大小与粘接膜8的大小相适配，固定框1的内部通过安装槽7固定连接有粘接膜8，粘接膜8的顶部固定连接有隔热膜9，隔热膜9的左右两侧均与粘接膜8固定连接，隔热膜9的顶部固定连接有反射膜10，反射膜10的左右两均与粘接膜8固定连接，反射膜10的顶部固定连接有黑硅片本体11，黑硅片本体11的左右两侧通过粘接膜8与固定框1顶部的左右两侧固定连接，通过固定框1的使用，将黑硅片本体11保护在其内部，防止黑硅片本体11受到磕碰而破裂，黑硅片本体11的顶部固定连接有半球形黑硅片13，半球形黑硅片13的内部开设有真空槽12，通过半球形黑硅片13与黑硅片本体11的配合使用，半球形黑硅片13和其内部的真空槽12将强了黑硅片本体11表面的钝化处理，减少了反射，增强了黑硅片本体11光的吸收率，黑硅片本体11的顶部且位于半球形黑硅片13的外侧分别开设有十字纵横交错的主格栅槽14和副格栅槽15，通过粘接膜8和隔热膜9的配合使用将，隔热膜9的位置进行固定，防止其移动，隔热膜9将黑硅片本体11进行光伏效应时产生的热量与固定框1隔绝，防止热量溢散，实现了光电转换率高的目的，进而减小了黑硅片的衰减速度的问题，提高了工作效率，方便使用。在使用时，首先调节定位钉5在调节块4上的位置，使黑硅片本体11与阳光垂直，阳光被半球形黑硅13和黑硅片本体11吸收进行光伏效应，光伏效应产生的热量被隔热膜9保护，防止溢散，从而提高光电转换效率。综上所述，该光电转换效率高的新型黑硅片，通过半球形黑硅片13与黑硅片本体11的配合使用，半球形黑硅片13和其内部的真空槽12将强了黑硅片本体11表面的钝化处理，减少了反射，增强了黑硅片本体11光的吸收率，通过粘接膜8和隔热膜9的配合使用将，隔热膜9的位置进行固定，防止其移动，隔热膜9将黑硅片本体11进行光伏效应时产生的热量与固定框1隔绝，防止热量溢散，实现了光电转换率高的目的，进而减小了黑硅片的衰减速度的问题，提高了工作效率，方便使用。并且，通过固定框1的使用，将黑硅片本体11保护在其内部，防止黑硅片本体11受到磕碰而破裂，通过第一连接杆3和第二连接杆6的配合使用，调节定位钉5在调节块4上的位置，可以使黑硅片本体11进行角度的调节适应不同时间段的阳光，实现了稳定方便的目的，解决了现有的黑硅片虽然进行了钝化，能够进行光伏效应，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换效率高的新型黑硅片，包括固定框(1)，其特征在于：所述固定框(1)的底部固定连接有数量为两个的连接块(2)，左侧所述连接块(2)的背面活动连接有第一连接杆(3)，所述第一连接杆(3)远离连接块(2)的一端固定连接有调节块(4)，所述调节块(4)的正面活动连接有定位钉(5)，所述调节块(4)的正面通过定位钉(5)活动连接有第二连接杆(6)，所述固定框(1)的内部开设有安装槽(7)，所述固定框(1)的内部通过安装槽(7)固定连接有粘接膜(8)，所述粘接膜(8)的顶部固定连接有隔热膜(9)，所述隔热膜(9)的顶部固定连接有反射膜(10)，所述反射膜(10)的顶部固定连接有黑硅片本体(11)，所述黑硅片本体(11)的顶部固定连接有半球形黑硅片(13)，所述半球形黑硅片(13)的内部开设有真空槽(12)，所述黑硅片本体(11)的顶部且位于半球形黑硅片(13)的外侧分别开设有十字纵横交错的主格栅槽(14)和副格栅槽(15)。

【技术特征摘要】
1.一种光电转换效率高的新型黑硅片，包括固定框(1)，其特征在于：所述固定框(1)的底部固定连接有数量为两个的连接块(2)，左侧所述连接块(2)的背面活动连接有第一连接杆(3)，所述第一连接杆(3)远离连接块(2)的一端固定连接有调节块(4)，所述调节块(4)的正面活动连接有定位钉(5)，所述调节块(4)的正面通过定位钉(5)活动连接有第二连接杆(6)，所述固定框(1)的内部开设有安装槽(7)，所述固定框(1)的内部通过安装槽(7)固定连接有粘接膜(8)，所述粘接膜(8)的顶部固定连接有隔热膜(9)，所述隔热膜(9)的顶部固定连接有反射膜(10)，所述反射膜(10)的顶部固定连接有黑硅片本体(11)，所述黑硅片本体(11)的顶部固定连接有半球形黑硅片(13)，所述半球形黑硅片(13)的内部开设有真空槽(12)，所述黑硅片本体(11)的顶部且位于半球形黑硅片(13)的外侧分别开设有十字纵横交错的主格栅槽(14)和副格栅槽(15)。2.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：何其金，张靖，何飞，
申请(专利权)人：江苏德润光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32