沉积过滤气体的装置、双筒装置及生产线制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种沉积过滤气体的装置、双筒装置及生产线，沉积过滤气体的装置包括：过滤空间，过滤空间包括进气端和出气端，过滤空间内设置有过滤装置，过滤装置包括同轴设置的多个滤芯；滤芯包括沿轴向贯通设置的排气通道，多个滤芯的排气通道连通，多个滤芯本体的端面为密闭端面；进气端与多个滤芯的外壁连通，排气端与排气通道连通，滤芯的过滤方向为由外壁指向排气通道。本实用新型专利技术提供的沉积过滤气体中砷化合物的装置，可将大分子颗粒砷沉积物和砷反应固态副产物的混合物沉积、过滤。沉积过滤面积大，能力强。可以阻止砷沉积物和砷反应固态副产物的混合物等有毒有害的物质排放到大气中，同时也可以避免这些固态物质对真空泵进行堵塞。

Device, double cylinder device and production line for depositing and filtering gas

【技术实现步骤摘要】
沉积过滤气体的装置、双筒装置及生产线
本技术涉及过滤设备领域，尤其是一种沉积过滤气体的装置、双筒装置及使用其的生产线。
技术介绍
MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition,金属有机化合物化学气相沉淀)设备是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，反应气体经反应室后大部分热分解，但还有部分尚未完全分解。因此尾气中含有大量的大分子颗粒砷沉积物和砷反应固态副产物的混合物。现有的一些沉积过滤装置或者过滤效果差，流量小，或者结构复杂，暂用空间大，或者维修维护费时费力等等。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题为了解决现有技术的上述问题，本技术提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积过滤气体的装置，其特征在于，包括：滤罐，所述滤罐内包括过滤空间，所述过滤空间包括进气端和出气端，所述过滤空间内设置有过滤装置，所述过滤装置包括竖向设置的滤芯；所述滤芯包括沿轴向贯通设置的排气通道，滤芯本体的端面为密闭端面；所述进气端与所述滤芯的外壁连通，所述排气端与所述排气通道连通，滤芯的过滤方向为由外壁指向排气通道。

【技术特征摘要】
1.一种沉积过滤气体的装置，其特征在于，包括：滤罐，所述滤罐内包括过滤空间，所述过滤空间包括进气端和出气端，所述过滤空间内设置有过滤装置，所述过滤装置包括竖向设置的滤芯；所述滤芯包括沿轴向贯通设置的排气通道，滤芯本体的端面为密闭端面；所述进气端与所述滤芯的外壁连通，所述排气端与所述排气通道连通，滤芯的过滤方向为由外壁指向排气通道。2.如权利要求1所述的沉积过滤气体的装置，其特征在于：包括轴向设置的多个所述滤芯，多个所述滤芯的排气通道连通，最上侧的滤芯为第一滤芯，最下侧的滤芯为第二滤芯；所述进气端位于下部，连通所述多个滤芯的外壁，所述排气端位于上部，连通所述多个滤芯的排气通道。3.如权利要求2所述的沉积过滤气体的装置，其特征在于：所述第二滤芯的下端设置下压板，所述第一滤芯的上端设置上盖板，所述多个滤芯的排气通道内设置支撑杆；所述支撑杆的两端分别与所述上盖板和下压板连接，使所述上盖板和下压板沿轴向夹紧所述多个滤芯；所述多个滤芯相对的端面间还设置密封板，所述上盖板对应所述排气通道的区域设置有通气孔，所述密封板对应所述排气通道的区域也设置有通气孔。4.如权利要求2所述的沉积过滤气体的装置，其特征在于：包括多个所述过滤空间，还包括进气总路和排气总路；所述进气总路包括进气口，还包括多个排气口，所述进气总路的进气口用于通入待沉积过滤的气体，所述进气总路的多个排气口每个分别对应一个所述过滤空间的进气端；所述排气总路包括排气口，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁旭，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11