【技术实现步骤摘要】
一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法
本专利技术属于针对单颗IC盖印的方法,涉及一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法。
技术介绍
在IC芯片中,需要对IC芯片进行镭射盖印,对于在一条wafer大板上盖印,只能镭射同一盖印内容,如同一条大板需要镭射不同的盖印则需要用用胶带遮住不同盖印内容的区域,对同一种盖印内容的IC区域进行盖印,待该区域的盖印完成后,再对下一种盖印内容的IC区域进行盖印,依次类推。如同一条大板需要进行多种盖印,则需要反复且多次使用胶带遮住部分盖印区域,进行多次不同内容的镭射盖印,工作量巨大;如大板为90颗IC,需要盖印20种不同的内容,则最少需要8个小时时间完成。反复进同一条大板进行多次盖印,很容易遮住需要盖印区域或未遮住不需盖印区域,造成盖印错误或者盖印不全。
技术实现思路
针对
技术介绍
所提到的问题,本专利技术要解决的技术问题是提供一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法,可对单颗IC进行盖印,2.优化流程,减少单颗盖印的盖印时间。本专利技术的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法,本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用,包括如下步骤:S1:对wafer进行激光切割,在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔;S2:丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC,在wafer的背面粘上胶带,制成单颗IC的盖印治具;S3:将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站,将基板完整契合在盖印治具上,对盖印治具的IC孔位进行切除后,放入单颗IC的盖印治具,可最多一次盖印8颗或者更多相 ...
【技术保护点】
1.一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法,其特征在于:本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用,包括如下步骤:S1:对wafer进行激光切割,在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔;S2:丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC,在wafer的背面粘上胶带,制成单颗IC的盖印治具;S3:将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站,将基板完整契合在盖印治具上,对盖印治具的IC孔位进行切除后,放入单颗IC的盖印治具,可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。
【技术特征摘要】
1.一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法,其特征在于:本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用,包括如下步骤:S1:对wafer进行激光切割,在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔;S2:丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC,在wafer的背面粘上胶带,制成单颗IC的盖印治具;S3:将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站,将基板完整契合在盖印治具上,对盖印治具的IC孔位进行切除后,放入单颗IC的盖印治具,可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。2.根据权利要求1所述的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法,其特征在于:所述激光切割设备为激光汽化切割、激光熔化切割、激光氧气切割中的一种或多种...
【专利技术属性】
技术研发人员:栗甲婿,董想,
申请(专利权)人:沛顿科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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