【技术实现步骤摘要】
可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法
本专利技术涉及用于加工半导体器件的电容耦合等离子体处理装置
，具体涉及一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法。
技术介绍
在CCP（CapacitivelyCoupledPlasma）电容耦合等离子体刻蚀中，由于待处理基片或晶元边缘射频电磁场的不连续性，容易产生边缘效应，并且这种边缘效应对边缘工艺组件的几何尺寸和材料都很敏感，例如，紧贴围绕晶圆的的等离子体聚焦环（FocusRing）由于等离子体刻蚀作用，其尺寸会随着使用时间增加而变小，从而使得边缘鞘层分布也随着时间逐渐变化，导致刻蚀效果变差，例如，刻蚀孔或沟槽的倾斜角会随着聚焦环的高度变低而变大，这样就会影响边缘组件使用寿命，从而增加可消耗部件使用成本。为了改善边缘效应及保持刻蚀效果的稳定性，一种途径是补偿由于刻蚀组件尺寸变化引起的鞘层变形。现有技术多采用有源调节的方式，即通过在边缘环加上一个电极，然后通过此电极馈入射频或直流电压来调节边缘鞘层分布，如图1所示，图中100’为CCP刻蚀装置局部结构示意图，101’为待处理基片，102’为静电...
【技术保护点】
1.一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，包含：相对设置的上电极以及下电极；射频功率源，连接所述下电极或上电极；偏置功率源，连接所述下电极；边缘电极，呈环形，设置在所述下电极外围，并与下电极同心；阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；静电夹盘，设置在所述下电极上方；绝缘环，设置在所述下电极外围的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。
【技术特征摘要】
1.一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，包含：相对设置的上电极以及下电极；射频功率源，连接所述下电极或上电极；偏置功率源，连接所述下电极；边缘电极，呈环形，设置在所述下电极外围，并与下电极同心；阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；静电夹盘，设置在所述下电极上方；绝缘环，设置在所述下电极外围的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。2.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，所述的阻抗调节单元包含：串联的电容和电感。3.如权利要求2所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：控制单元，连接阻抗调节单元中的电容和/或电感，以调节阻抗调节单元的阻抗。4.如权利要求3所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于：所述的电容和/或电感为可变的。5.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：传感器，设置在边缘射频电流接地通路中，以采集射频参数。6.如权利要求5所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：控制单元，连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶如彬，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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