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本发明公开了一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其包含：相对设置的上电极以及下电极；射频功率源，连接所述下电极或上电极；偏置功率源，连接所述下电极；边缘电极，呈环形，设置在所述下电极外围，并与下电极同心；阻抗调节单元，一端连接边...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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